DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計算模擬軟件包，該軟件包能針對輸入的半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)，基于材料基因組數(shù)據(jù)庫和第一性原理軟件包，自動計算并輸出半導(dǎo)體的熱力學(xué)穩(wěn)定性，缺陷和雜質(zhì)形成能及離化能級，半導(dǎo)體樣品中缺陷、雜質(zhì)和載流子濃度及費(fèi)米能級，關(guān)鍵缺陷和雜質(zhì)誘導(dǎo)的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。

針對任一半導(dǎo)體，DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì)：熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷（含雜質(zhì)，下同）形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費(fèi)米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。

本期將給大家介紹DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測 5.5-5.5.1.1 的內(nèi)容。

5.5. 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

在以上的案例中，我們展示了TSC模塊可以計算元素化學(xué)勢，用于DEC模塊的缺陷形成能計算。此外，TSC也可以獨(dú)立運(yùn)行來分析目標(biāo)化合物的穩(wěn)定性，而無需先行做PREPARE模塊的計算。

在dasp.in中設(shè)置tsc_only = T，可以直接運(yùn)行TSC模塊，待TSC結(jié)束第一階段分析后，將自行做level = 1的第二階段分析。

以下示例為 Cs2AgBiCl6 與 Rb2LiInI、 K2LiYF6 三種雙鈣鈦礦材料的分析過程。

5.5.1. Cs2AgBiCl6 （預(yù)測結(jié)果：穩(wěn)定）

5.5.1.1. 準(zhǔn)備文件

利用 TSC 模塊快速分析材料穩(wěn)定性的第一步仍然是準(zhǔn)備好POSCAR與dasp.in文件。

材料 Cs2AgBiCl6 的POSCAR文件可參考 Materials Project 數(shù)據(jù)庫獲得，需用戶自行優(yōu)化或設(shè)置晶體結(jié)構(gòu)。本案例采取的POSCAR文件如下：

在dasp.in文件中，用戶需根據(jù)自身情況設(shè)置任務(wù)腳本相關(guān)參數(shù)，并設(shè)置tsc_only = T以及database_api。

其中，對于 TSC 模塊的參數(shù)：

tsc_only = T # 僅進(jìn)行 level = 1 的穩(wěn)定性快速分析。

plot_3d = T # 對四元化合物，本模塊可輸出三維相圖（僅供用戶參考），該參數(shù)默認(rèn)為F，設(shè)置為T即可輸出三維相圖。

審核編輯 ：李倩