Netsol并口STT-MRAM非易失存儲(chǔ)S3R8016
Netsol在STT-MRAM領(lǐng)域，處于領(lǐng)先地位?；谠趦?nèi)存相關(guān)領(lǐng)域的豐富開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及低成本、超小型和低功耗內(nèi)存解決方案設(shè)計(jì)的專業(yè)知識(shí)、為工業(yè)自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療、游戲、企業(yè)數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等廣泛領(lǐng)域的各種應(yīng)用程序，提供最優(yōu)化的定制內(nèi)存解決方案。
我司英尚微官方代理供應(yīng)商提供的Netsol型號(hào)S3R8016并口STT-MRAM是一個(gè)容量8Mbit，具有并行異步接口的完全隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。支持x16或x8 I/O模式。采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
審核編輯黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7529瀏覽量
164373 -
非易失存儲(chǔ)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
2瀏覽量
5507 -
MRAM
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
236瀏覽量
31805
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
富士通鐵電白皮書(shū)，選擇鐵電存儲(chǔ)的4點(diǎn)理由以及技術(shù)原理分析
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。
上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)優(yōu)勢(shì)
鈦酸鉛 PZT ， 鈮酸鋰 LiNbO3 和 氮化鋁鈧 AlScN， 或用于 MRAM 和 STT-MRAM 的材料（如
TPL1401數(shù)字電位器易失性和非易失性的區(qū)別是什么？
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了?！?b class='flag-5'>非
發(fā)表于 11-21 07:15
新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開(kāi)發(fā)流程
嵌入式閃存及其對(duì)應(yīng)的離片NOR閃存，在非易失性內(nèi)存領(lǐng)域（即用于持久性或長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)）多年來(lái)占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而，隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下，這些傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)在支持方面顯得力不從
CDCM6208掉電會(huì)遺失設(shè)置嗎？里面有沒(méi)有非易失存儲(chǔ)器？
這個(gè)芯片編程設(shè)置好以后，掉電會(huì)遺失設(shè)置嗎？里面有沒(méi)有非易失存儲(chǔ)器？
發(fā)表于 11-12 07:16
軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器都是存儲(chǔ)器嗎
存儲(chǔ)器的類型，我們可以將其分為兩大類：易失性存儲(chǔ)器（Volatile Memory）和非易失性存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory
鐵電存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫(xiě)能力和非易失性存儲(chǔ)特性的
ram存儲(chǔ)器和rom存儲(chǔ)器的區(qū)別是什么
非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)方式： RAM存儲(chǔ)器使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）或靜態(tài)
中芯國(guó)際獲非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作方法專利
該專利涉及一種新型非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材
韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備
DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？欤哂?b class='flag-5'>易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫(xiě)速度相對(duì)較慢，但它具有非
發(fā)表于 04-08 11:07
?378次閱讀
昂科燒錄器支持GOWIN高云半導(dǎo)體的非易失性FPGA GW2AN-UV9XUG256
。 GW2AN-UV9XUG256是高云半導(dǎo)體晨熙?家族第一代具有非易失性的FPGA產(chǎn)品，內(nèi)部資源豐富，高速LVDS接口以及豐富的BSRAM存儲(chǔ)器資源、NOR Flash資源，這些內(nèi)嵌
有了2D NAND，為什么要升級(jí)到3D呢？
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代，汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路
瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開(kāi)發(fā)出具有快速讀寫(xiě)能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
發(fā)表于 03-05 10:05
?2632次閱讀
瑞薩電子宣布已開(kāi)發(fā)具有快速讀寫(xiě)操作的測(cè)試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的電路技術(shù)，以下簡(jiǎn)稱MRAM）具有快速讀寫(xiě)操作的測(cè)試芯片。
MRAM特性優(yōu)勢(shì)和存儲(chǔ)原理
MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論