雖然此類設(shè)備已被證明在上述應(yīng)用中有效,但它們體積龐大、笨重、單色且僅限于某些波段。后者是一個(gè)主要的技術(shù)限制,因?yàn)?a target="_blank">光電陰極僅在以下范圍之一中起作用:400~1000nm,1000~2500nm或>2500nm。然而,Z. Zheng及其同事在本文中展示了一種能夠覆蓋所有這些頻段的薄膜,而無(wú)需將光轉(zhuǎn)換為電子,反之亦然。
在這項(xiàng)工作中,研究人員采用了非線性超表面的概念。超表面是納米級(jí)諧振器陣列,可以操縱光的特性,包括光的傳播方向、強(qiáng)度和波長(zhǎng)。能夠轉(zhuǎn)換光波長(zhǎng)的超表面被稱為非線性超表面。本文利用了由硅薄膜組成的非線性超表面。該薄膜可容納精心設(shè)計(jì)和制造的納米級(jí)孔,即膜幾何形狀,與入射光強(qiáng)烈共振。用近紅外光照射設(shè)計(jì)的超表面后,它通過(guò)非線性過(guò)程在原始波長(zhǎng)的1/3處產(chǎn)生新的顏色,即所謂的三次諧波產(chǎn)生(THG)。
通過(guò)控制納米孔陣列的對(duì)稱性,研究人員展示了一種用于調(diào)整光波長(zhǎng)和強(qiáng)度的多功能工具,最終用于近紅外成像。上圖說(shuō)明了任意物體的近紅外成像概念。作為演示,電信波長(zhǎng)(1512nm)周圍的NIR光穿過(guò)扇形星目標(biāo),并通過(guò)超表面轉(zhuǎn)換為可見光信號(hào)(504nm)。圖1中(bii和cii)顯示的圖像在CCD相機(jī)上形成。
這種創(chuàng)新的近紅外成像方法可廣泛擴(kuò)展到大頻段和多色工藝。值得注意的是,被開發(fā)的材料,即硅,在當(dāng)今的CMOS行業(yè)中被大量使用。因此,硅超表面的大規(guī)模生產(chǎn)不需要大量投資。此外,硅不吸收波長(zhǎng)>1000 nm的近紅外光,因此加熱不是問(wèn)題。最后但并非最不重要的一點(diǎn)是,硅是一種中心對(duì)稱材料。因此,非線性硅超表面可用于THG以外的其他三階非線性相互作用。例如,通過(guò)使用稱為四波混合的過(guò)程,可以涉及NIR和可見光范圍內(nèi)的多個(gè)波長(zhǎng),從而能夠生成彩色圖像。換句話說(shuō),本文中演示的平臺(tái)是下一代薄型、廉價(jià)、寬帶和彩色NIR相機(jī)和探測(cè)器的構(gòu)建模塊。這項(xiàng)研究工作發(fā)表在《光電進(jìn)展》雜志上。相關(guān)鏈接:https://phys.org/news/2023-05-all-optical-near-infrared-imaging-ultra-thin.html
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原文標(biāo)題:利用非線性超表面進(jìn)行全光學(xué)近紅外成像
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