近期，北京大學(xué)彭練矛教授、王勝副研究員在清華大學(xué)主辦的高起點(diǎn)新刊Nano Research Energy上發(fā)表題為“Recent Progress of Photodetector based on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備、碳納米管薄膜紅外探測(cè)器以及碳納米管光電集成研究方面的最新進(jìn)展。

圖1 碳納米管探測(cè)器和光電集成

碳納米管材料由于具有高紅外吸收系數(shù)（3×10? cm?1）、高遷移率（10? cm2 V s?1）、基底適配范圍廣以及低溫加工工藝的特點(diǎn)（＜ 200 ℃）得到了廣泛的關(guān)注。隨著近幾年來(lái)碳納米管溶液提純技術(shù)的不斷進(jìn)步，高半導(dǎo)體純度碳納米管薄膜的制備技術(shù)的日趨成熟為制備大面積，均一的高性能光電器件和邏輯電路等奠定了材料基礎(chǔ)，文章梳理了不同半導(dǎo)體碳納米管提純技術(shù)的特點(diǎn)和最新研究進(jìn)展。

在碳納米管薄膜紅外探測(cè)器性能研究方面，回顧了不同類型的碳納米管紅外探測(cè)器研究的代表性工作，總結(jié)了不同類型探測(cè)器的特點(diǎn)以及最新研究進(jìn)展，包括熱探測(cè)器，光電導(dǎo)探測(cè)器和光伏探測(cè)器等。同時(shí)介紹了課題組利用非對(duì)稱歐姆接觸金屬制備的無(wú)勢(shì)壘雙極性碳納米管二極管探測(cè)器的特點(diǎn)和在此基礎(chǔ)上開展的一系列研究工作。

圖2 基于碳納米管的紅外探測(cè)器的典型機(jī)理和器件結(jié)構(gòu)

文章進(jìn)一步總結(jié)了碳納米管光電集成方面的特點(diǎn)及最新研究進(jìn)展。碳納米管薄膜在光電器件和集成電路方面相對(duì)傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料而言具有一定的優(yōu)勢(shì)和潛力，其優(yōu)勢(shì)如下：

（1）碳納米管可以同時(shí)構(gòu)建高性能的集成電路，光發(fā)射和光探測(cè)器件，是理想的光電一體化集成平臺(tái)；

（2）半導(dǎo)體碳納米管的帶隙可以隨手性調(diào)節(jié)，覆蓋短波紅外波段；

（3）碳納米管器件可以采用低溫?zé)o摻雜的加工工藝，滿足三維集成的熱預(yù)算要求；

（4）碳納米管是一維半導(dǎo)體，和襯底不存在晶格失配，利于多層堆疊的三維光電集成或者在片光電集成。

三維光電集成或者在片光電集成一方面是可以極大的提升光電子芯片的集成密度；另一方面是可以在片完成信息的收集，存儲(chǔ)以及處理。碳納米管在電子學(xué)和光電子學(xué)的優(yōu)勢(shì)有助于它可以構(gòu)建光電集成系統(tǒng)。

最后，作者對(duì)碳納米管探測(cè)器和光電集成的未來(lái)研究方向進(jìn)行了展望。雖然碳納米管在已有的紅外探測(cè)器和光電集成系統(tǒng)中已經(jīng)展現(xiàn)巨大的優(yōu)勢(shì)和潛力，但是在走向應(yīng)用過(guò)程中也存在一定的挑戰(zhàn)。包括碳納米管的半導(dǎo)體純度控制、薄膜厚度控制、表面聚合物導(dǎo)致?lián)诫s效應(yīng)以及帶來(lái)的金屬歐姆接觸等問(wèn)題限制了其器件性能的進(jìn)一步提升。因此較為理想的碳納米管薄膜需要滿足以下要求：

（1）碳納米管薄膜的半導(dǎo)體純度需要大于99.9999%，并且薄膜具有很好的均一性；

（2）碳納米管薄膜具有一定的厚度可控性以保證光吸收效率；

（3）碳納米管薄膜表面干凈，在提純過(guò)程中引入的表面聚合物或者分散劑等雜質(zhì)可以被有效去除，減小對(duì)器件性能的影響；

（4）碳納米管薄膜的排列具有一定取向性。

改進(jìn)后的碳納米管薄膜探測(cè)器性能將會(huì)進(jìn)一步提升并且實(shí)現(xiàn)高性能的光電集成系統(tǒng)，從而發(fā)揮出碳納米管光電器件和光電集成的優(yōu)勢(shì)。

圖3 碳納米管的光電集成系統(tǒng)
責(zé)任編輯：彭菁