PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8305內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。
PN8305處于開關(guān)工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)到VDET<-400mV,控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的電流降低到閾值-5mV時(shí),控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。該芯片提供了極為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護(hù)、輸出過(guò)壓鉗位等功能。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路可支持系統(tǒng)輸出電壓低至2V時(shí),PN8305仍能正常工作?!?/p>
PN8305SPC-R1H 特征
■ 內(nèi)置13m/6m 50V Trench MOSFET(PN8305M/H)
■ 內(nèi)置高壓啟動(dòng)電路,適用于低壓模式工作
■ 適用于DCM和QR工作模式
■ 優(yōu)異全面的輔助功能
欠壓保護(hù)
過(guò)壓鉗位
典型電路
功能描述
1.啟動(dòng):在啟動(dòng)階段,內(nèi)部高壓電流源為VCC電路供電并給外部VCC電容充電。當(dāng)VCC電壓達(dá)到4.3V,芯片關(guān)斷高壓?jiǎn)?dòng)電路;當(dāng)系統(tǒng)輸出電壓升高到5V左右時(shí),LDO開始為VCC供電。當(dāng)VCC電壓達(dá)到3.4V時(shí),芯片開始工作; 當(dāng)VCC電壓低于3V時(shí),芯片停止工作。
2.同步工作模式:芯片控制功率MOSFET開關(guān)以實(shí)現(xiàn)同步整流功能。當(dāng)芯片檢測(cè)到VDET<-400mV時(shí),控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到VDET>-5mV時(shí),控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。
3.VIN鉗位功能:PN8305提供VIN電壓鉗位功能。當(dāng)芯片工作頻率低于8.6kHz時(shí),芯片判斷系統(tǒng)處于輕載條件。此時(shí),若VIN電壓高于5.6V,VIN內(nèi)部鉗位管開啟;當(dāng)芯片工作頻率高于8.6kHz時(shí),芯片判斷系統(tǒng)處于重載條件。此時(shí),若VIN電壓高于6V,VIN內(nèi)部鉗位管開啟。
PN8305SPC-R1H 集成高壓?jiǎn)?dòng)的高性能同步整流器,內(nèi)置MOS,搭配主控芯片PN8370常用于5V電池充電器及適配器領(lǐng)域,驪微電子提供更多PN8305SPC-R1H詳細(xì)手冊(cè)及相關(guān)應(yīng)用資料。
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