欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅晶圓劃切方案集合

西斯特精密加工 ? 2022-12-08 16:50 ? 次閱讀

碳化硅硬度高,耐磨性好,碳化硅晶片硬度大,莫氏硬度分布在 9.2~9.6之間,化學(xué)穩(wěn)定性高,幾乎不與任何強(qiáng)酸或強(qiáng)堿發(fā)生反應(yīng),切割劃片很有難度。

深圳西斯特科技在碳化硅晶圓切割方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),現(xiàn)將部分案例整理如下,供各位朋友參考。更多方案細(xì)節(jié)歡迎來電來函咨詢。

劃切案例一

?

材料情況

晶圓規(guī)格

6寸

晶圓厚度

0.175mm

劃片槽寬度

100um

Die size

3.0*2.54mm

?

工藝參數(shù)

設(shè)備型號(hào)

TSK-S20

主軸轉(zhuǎn)速

35000rpm

進(jìn)刀速度

0.8mm/s

刀片高度

0.15/0.05mm

?

切割方案

推薦刀片

SST 2000-R-70-ECB

切割模式

單刀切斷

品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

正面離保護(hù)線>10um

背面<50um

側(cè)崩<芯片厚度1/4

其他

先激光開槽

?

劃切效果


a7593e14-76d3-11ed-b116-dac502259ad0.jpga78480ba-76d3-11ed-b116-dac502259ad0.jpg

劃切案例二

?

材料情況

晶圓規(guī)格

4寸

晶圓厚度

0.38mm

劃片槽寬度

80um

Die size

4.3*4.3mm

?

工藝參數(shù)

設(shè)備型號(hào)

DISCO 6340

主軸轉(zhuǎn)速

35000rpm

進(jìn)刀速度

3mm/s

刀片高度

0.28/0.05mm

?

切割方案

推薦刀片

SST 3000-R-70 DCB

切割模式

Step

品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

正面離保護(hù)線10um

背崩<40um

其他

SD3500-N1-50 CD先開槽

?

劃切效果

a79ff58e-76d3-11ed-b116-dac502259ad0.jpg

劃切案例三

?

材料情況

晶圓規(guī)格

8寸

晶圓厚度

0.2mm

劃片槽寬度

100um

Die size

5.37*4.46mm

?

工藝參數(shù)

設(shè)備型號(hào)

DISCO 6362

主軸轉(zhuǎn)速

45000/35000rpm

進(jìn)刀速度

2mm/s

刀片高度

0.2/0.05mm

?

切割方案

推薦刀片

3500-R-70 CCG

2000-R-50 EGF

切割模式

Step

品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

正面離保護(hù)線20um

背崩<50um

?

劃切效果

a7beec64-76d3-11ed-b116-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4982

    瀏覽量

    128347
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?99次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    方案會(huì)對測量結(jié)果產(chǎn)生不同程度的影響。 二、常見吸附方案概述 在碳化硅襯底測量中,常見的吸附方案包括真空吸附、靜電吸附等。真空吸附通過產(chǎn)生負(fù)壓將襯底固定,操作相對簡
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:30 ?90次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底的特氟龍夾具相比其他吸附<b class='flag-5'>方案</b>,對于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 BOW/WARP 的影響

    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
    的頭像 發(fā)表于 01-13 14:36 ?165次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底的環(huán)吸<b class='flag-5'>方案</b>相比其他吸附<b class='flag-5'>方案</b>,對于測量<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底 BOW/WARP 的影響

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    超短脈沖激光輔助碳化硅切片

    切片工藝具有重要價(jià)值。然而,該技術(shù)的原理和損傷層形成機(jī)理尚未完全明確。因此,本文將介紹超短脈沖激光輔助SiC切片工藝原理,并深入探討超短脈沖激光在材料內(nèi)部加工的機(jī)理問題。 超短脈沖激光輔助
    的頭像 發(fā)表于 11-25 10:02 ?308次閱讀
    超短脈沖激光輔助<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>切片

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?2849次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進(jìn)化到12英寸!

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)

    全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸的 PE1O6 和適用于8英寸
    發(fā)表于 10-17 14:21 ?191次閱讀
    ASM推出全新PE2O8<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延機(jī)臺(tái)

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)

    全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸的 PE1O6 和適用于8英寸
    發(fā)表于 10-17 14:11 ?407次閱讀
    ASM推出全新PE2O8<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延機(jī)臺(tái)

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?1867次閱讀

    英國公司Clas-SiC考慮在印度建設(shè)碳化硅工廠

    總部位于英國蘇格蘭的碳化硅(SiC)制造公司Clas-SiC,正積極尋求與多家企業(yè)合作,在印度建立一座或多座碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。這一舉措不僅彰顯了Clas-SiC在
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:44 ?770次閱讀

    國產(chǎn)8英寸碳化硅邁入新紀(jì)元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

    5月27日,中國半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線,這一成就標(biāo)志著國產(chǎn)8英寸碳化硅的生產(chǎn)正式邁入國產(chǎn)化階段。此項(xiàng)目總投資高達(dá)9.61億元
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:24 ?1322次閱讀
    國產(chǎn)8英寸<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>邁入新紀(jì)元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

    芯聯(lián)集成8英寸碳化硅工程批已順利下線

    近日,芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批已順利下線,這一里程碑事件標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國內(nèi)首家成功開啟8英寸碳化硅生產(chǎn)的廠家。此項(xiàng)技術(shù)的突破不僅體現(xiàn)了芯聯(lián)集成在
    的頭像 發(fā)表于 05-27 10:57 ?700次閱讀

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

    MOS碳化硅
    瑞森半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37