通常在汽車行駛記錄儀中，數據一般包括兩個部分, 一部分為汽車實時數據 (存放汽車發(fā)生事故前后的數據) , 另一部分為汽車歷史數據 (存放汽車過去一段時間內的行駛狀況) 。汽車實時數據主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責任。

行車記錄儀里一般記錄的是兩個輸入量 (如速度, 剎車) 的狀況，其他也有要求存儲7個開關量的數據 (轉向燈, 車門等) , 也還會記錄發(fā)動機的溫度和其他的一些輸入量的狀況。由于行駛記錄儀的數據是如此重要, 所以對存儲器的要求很高。

存儲歷史數據的存儲器大家都比較容易選擇，目前大容量的Flash和U盤；但汽車的實時數據的存儲器比較難選擇，要求掉電后數據能保存，因為發(fā)生事故時, 汽車系統可能會沒有電源；為了保證實時數據的準確性, 要求輸入量的檢測周期越短越好。

NVRAM+電池管理：

若將傳統存儲器EEPROM和FLASH用于行車記錄儀，當發(fā)生事故系統檢測到掉電時，會沒有足夠的時間和電量存入數據，而且汽車系統的環(huán)境比較復雜，所以SRAM+電池的存儲方式很不可靠，目前很少有工程師采用這種方案設計。

鐵電存儲器（ FRAM）存儲方式：

國產舜銘存儲FRAMPB85RS2MC核心技術是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得PB85RS2MC同時擁有隨機存取存儲器和非易失性存儲器的特性；具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點。

1、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作。

2、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

3、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

4、PB85RS2MC通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以保持數據。

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