問(wèn)題

產(chǎn)線生產(chǎn)某款電子產(chǎn)品過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)有很大比例的D類(lèi)功放芯片損壞。

分析

1、從拿到的壞機(jī)芯片樣品來(lái)看，芯片有燒壞的痕跡，明顯是電應(yīng)力損壞的。

2、用萬(wàn)用表量芯片的各個(gè)引腳，輸出腳直接對(duì)地短路了。很可能過(guò)壓導(dǎo)致芯片內(nèi)的mos管損壞。

3、用示波器量正常板子的輸出引腳波形，發(fā)現(xiàn)電壓峰值達(dá)到6.8V，而規(guī)格書(shū)上要求的電壓只有5.5V，可以判斷是過(guò)壓導(dǎo)致的損壞（喇叭線圈上產(chǎn)生的反向電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致電壓過(guò)高）。

解決

由于D類(lèi)功放芯片的電源是5V，加上喇叭線圈上的反向電動(dòng)勢(shì)，很容易使得電壓超過(guò)5.5V，導(dǎo)致芯片損壞。因此，整改方案直接降低5V電源為4V（滿(mǎn)足產(chǎn)品喇叭功率的要求）。

如果板子上D類(lèi)功放輸出有LC位置，可以直接上磁珠和電容，吸收尖峰，測(cè)試的電壓峰值也會(huì)低很多。

小結(jié)

1、采用新芯片方案時(shí)，需要把規(guī)格書(shū)的關(guān)鍵參數(shù)弄清楚，設(shè)計(jì)上考慮余量；

2、D類(lèi)功放設(shè)計(jì)要考慮喇叭線圈導(dǎo)致的反向電動(dòng)勢(shì)；

3、D類(lèi)功放設(shè)計(jì)輸出最好預(yù)留RC或LC位置，遇到問(wèn)題可以調(diào)整參數(shù)解決，比如輻射。

D類(lèi)功放原理：

D類(lèi)功放芯片的典型電路圖：

D類(lèi)功放芯片規(guī)格：VDD最高電壓是6V，其他管腳（包括輸出）最高電壓是5.5V

D類(lèi)功放芯片輸出的磁珠和電容：