鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動數(shù)據(jù)存儲器等方面的應用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用。

電能記憶原理：電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數(shù)據(jù)不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯，電表的精度就會大大降低。

基于FRAMPB85RS2MC存儲器的特點，本文將對傳統(tǒng)電表的電量存儲方案設計進行改革，由于PB85RS2MC的讀寫次數(shù)為100萬次，微處理器(MCU)檢測到一個脈沖就可以寫入FRAM內，由于電量數(shù)據(jù)是實時寫入FRAM，所以，掉電后數(shù)據(jù)也不會丟失。由于FRAM不會像普通存儲器那樣有10ms的寫周期，不用擔心電容的容量變小后會對FRAM存儲數(shù)據(jù)有影響，因為鐵電存儲器內沒有緩沖區(qū)，數(shù)據(jù)是直接寫入FRAM對應的地址中，所以寫入的數(shù)據(jù)也不會出錯。

國產FRAM PB85RS2MC應用特點：

1、PB85RS2MC通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

3、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

4、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作。

綜上，通過采用PB85RS2MC存儲器的電能數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，可以使電能計量系統(tǒng)十分準確，降低了功耗，而且具有結構緊湊，接口線少，控制方式簡單，抗干擾能力強，通信速率較高，擴展靈活等許多優(yōu)點。隨著FRAM技術的不斷發(fā)展，其應用范圍會更加廣泛，并且國芯思辰可提供專業(yè)的技術指導。

注：如涉及作品版權問題，請聯(lián)系刪除。