摘要：在后摩爾時(shí)代，集成電路設(shè)計(jì)理念正向Chiplet架構(gòu)轉(zhuǎn)變。本文從D2D接口IP設(shè)計(jì)，D2D封裝和D2D測(cè)試三個(gè)方面介紹了Chiplet D2D的解決方案，并給出了采用此解決方案的XSR 112G D2D的測(cè)試結(jié)果。

1.后摩爾時(shí)代向Chiplet的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變

當(dāng)前摩爾定律逐步趨向物理極限，半導(dǎo)體行業(yè)正在發(fā)生重大的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變?；贑hiplet架構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)理念逐漸成為行業(yè)主流。這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變的驅(qū)動(dòng)因素主要有以下幾種：

1)單芯片的尺寸變得太大，無(wú)法制造；

2)充分利用已有KGD（Known Good Die）芯片實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能芯片，可以減少設(shè)計(jì)周期和成本，并提高良率。

在這些驅(qū)動(dòng)因素下，整個(gè)Chiplet行業(yè)在2031年有望達(dá)到471.9億美元[1]，如圖1所示，Chiplet市場(chǎng)在2021~2031十年期年復(fù)合增長(zhǎng)率保持36.4%；其中實(shí)現(xiàn)Die to Die（D2D）互連的接口IP市場(chǎng)在2026達(dá)到3.24億美元[2]，D2D IP市場(chǎng)在2021~2026五年期年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)50%，如下圖2所示。

圖1 Chiplet市場(chǎng)

圖2 D2D IP市場(chǎng)趨勢(shì)

Chiplet應(yīng)用場(chǎng)景主要分兩種，第一種是將同工藝大芯片分割成多個(gè)小芯片，然后通過接口IP互連在一起實(shí)現(xiàn)算力堆疊；第二種是將不同工藝不同功能的芯片通過接口IP互連并封裝在一起實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成，如圖3所示。算力堆疊主要應(yīng)用于CPU、TPU和AI芯片等，對(duì)接口IP的要求是低延遲和低誤碼率，通常采用并行接口IP。異構(gòu)集成，主要應(yīng)用于CPU、FPGA和通信芯片等，對(duì)接口IP的要求是標(biāo)準(zhǔn)化，兼容性，可移植性和生態(tài)系統(tǒng)等，通常采用串行接口IP。

圖3 典型應(yīng)用場(chǎng)景

為了便于組裝不同供應(yīng)商開發(fā)的芯粒，需要標(biāo)準(zhǔn)化的芯粒間互連標(biāo)準(zhǔn)，行業(yè)聯(lián)盟已共同定義出多種芯?；ミB標(biāo)準(zhǔn)，如XSR，BoW，OpenHBI，UCIe等。它們的主要性能指標(biāo)如圖4所示。其中，XSR采用差分串行結(jié)構(gòu)，目前最高速率達(dá)112Gbps，可用于異構(gòu)集成連接IO die；后3種采用單端并行結(jié)構(gòu)，目前最高速率是UCIe的32Gbps, 同時(shí)它還定義了完整的協(xié)議層，繼承了CXL和PCIe的生態(tài)優(yōu)勢(shì)，可用于算力堆疊中計(jì)算IP間的互連。

圖4 主流D2D的關(guān)鍵指標(biāo)

完整的D2D解決方案包括：D2D接口IP設(shè)計(jì)、D2D封裝設(shè)計(jì)和D2D測(cè)試,下面分別做詳細(xì)介紹。

2.D2D接口IP設(shè)計(jì)解決方案

D2D接口IP由物理層(PHY)和控制器組成，如下圖5所示。物理層PHY是封裝介質(zhì)的電氣接口。從分層結(jié)構(gòu)上分為模擬PHY和數(shù)字PHY，模擬PHY包括電氣AFE（發(fā)射器、接收器）以及邊帶信道，可實(shí)現(xiàn)兩個(gè)晶粒之間的參數(shù)交換和協(xié)商。數(shù)字PHY包括鏈路初始化、訓(xùn)練和校準(zhǔn)算法以及測(cè)試和修復(fù)功能。從接口類型上分并行接口和串行接口。

控制器由鏈路層（Link layer）和邏輯物理層（Physical Layer Logical）。鏈路層負(fù)責(zé)上層協(xié)議接口適配，協(xié)議仲裁和協(xié)商，以及基于 CRC，可選的FEC（Forward Error Correction）和重傳機(jī)制來(lái)確保鏈路可靠地傳輸數(shù)據(jù)；邏輯物理層負(fù)責(zé)鏈路訓(xùn)練和管理功能以及具體的PHY適配（比如加擾，解擾，塊對(duì)齊，OS插入和提取等）。在鏈路初始化時(shí)，邏輯物理層會(huì)等待 PHY 完成鏈路初始化，通過鏈路狀態(tài)機(jī)進(jìn)入工作模式。鏈路層會(huì)通過協(xié)商確定使用哪個(gè)協(xié)議（如果實(shí)施了多個(gè)協(xié)議）?？刂破飨蛏现С諧XS、AXI、FDI（Filt aware D2D interface）接口來(lái)支持PCIe、CXL、UCIe以及SOC和RAW協(xié)議層；向下兼容RDI(Raw D2D interface)和PIPE接口來(lái)適配不同的物理電氣層[3][4][5]。

下面分別介紹一下并口和串口的D2D PHY架構(gòu)。

圖5 D2D分層架構(gòu)

2.1 并口D2D PHY架構(gòu)

為了滿足低延遲，高能效，低誤碼率要求，物理層接口采用單端并口傳輸，使用2.5D封裝形式。并口D2D物理層結(jié)構(gòu)如圖6所示：

圖6 并口D2D PHY系統(tǒng)框架

并口物理層模擬部分包括4個(gè)LM（Lane module），每個(gè)LM數(shù)據(jù)位寬為單向16bit，共64bit?？梢愿鶕?jù)所需帶寬靈活配置LM數(shù)目。每個(gè)LM還可以配置1~2個(gè)Slicer用于Filt Header或CRC校驗(yàn)。每Lane具備高精度和高解析度自校準(zhǔn)延遲線，RX線性連續(xù)時(shí)間均衡器（CTLE）和DFE均衡器以實(shí)現(xiàn)高速性能，并根據(jù)走線長(zhǎng)度可關(guān)閉DFE均衡器，以降低功耗。

并口物理層數(shù)字部分包括的功能塊有RDI_TX/RX_MAP實(shí)現(xiàn)RDI接口到LM的映射；SPU（Sideband Process Unit）/TFSM（Train FSM）/LSM（Link SM）實(shí)現(xiàn)PHY啟動(dòng)，Lane修復(fù)/反轉(zhuǎn)，TX/RX訓(xùn)練，VREF訓(xùn)練，眼圖訓(xùn)練，自適應(yīng)，鏈路狀態(tài)管理，鏈路雙方配置等功能。

芯耀輝實(shí)現(xiàn)的并口物理層采用DDR模式傳輸數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)率為16Gbps，符合UCIe和CCITA發(fā)布的《小芯片接口總線技術(shù)要求》標(biāo)準(zhǔn)；使用Forward clock模式簡(jiǎn)化接收端設(shè)計(jì)，可以減小延遲，降低功耗；延遲時(shí)間從本端FDI到對(duì)端FDI小于2ns；能效0.5~1pJ/bit。

2.2串口D2D PHY架構(gòu)

為了滿足高帶寬，較長(zhǎng)距傳輸，較低封裝成本的要求，物理層接口采用差分串口傳輸，使用2D substrate封裝形式。串口D2D物理層結(jié)構(gòu)如下圖7所示：

圖7 串口D2D PHY架構(gòu)

串口物理層模擬部分包括8通道Analog Lane，每通道由TX和RX組成，可實(shí)現(xiàn)雙向8通道全雙工差分信號(hào)傳輸，兼容NRZ和PAM4信令，數(shù)據(jù)率覆蓋2.5~112Gbps[6]。為適應(yīng)較差的信道，TX采用3 Taps FFE均衡器，RX采用線性均衡器。為了優(yōu)化延遲，時(shí)鐘架構(gòu)可采用Forward clock架構(gòu)。為了優(yōu)化功耗，每個(gè)通道可獨(dú)立開關(guān)，獨(dú)立運(yùn)行。

串口物理層數(shù)字部分包括PMA Digital Control和PHY處理單元（PPU）。主要實(shí)現(xiàn)PHY上下電時(shí)序控制；上電時(shí)TX/RX校準(zhǔn)、自適應(yīng)算法及順序控制；正常運(yùn)行時(shí)，實(shí)時(shí)自適應(yīng)校準(zhǔn)；內(nèi)建測(cè)試邏輯控制等功能。

芯耀輝實(shí)現(xiàn)的串口物理層兼容CEI-112G-XSR協(xié)議，最高速率達(dá)112Gbps，可均衡通道損耗達(dá)-10dB，帶寬線密度約1Tbps/mm，能效1.5pJ/bit，延遲時(shí)間小于6ns，誤碼率小于1e-15。

3.D2D封裝方案

適合D2D的封裝類型包括傳統(tǒng)的2D有機(jī)基板（Substrate），先進(jìn)2.5D封裝（RDL Fanout和Silicon Interposer）及3D封裝（Hybrid Bonding）。具體選用那種封裝類型，需綜合考慮IO數(shù)量，IO密度，數(shù)據(jù)率，成本，復(fù)雜度和接口類型等因素，如圖8所示[7]。通常對(duì)于高速串行接口，數(shù)據(jù)率越高，IO數(shù)量越少，IO密度越低，復(fù)雜度和成本也越低，建議采用2D或者RDL Fanout 2.5D封裝類型。對(duì)于高密度并行接口，數(shù)據(jù)率越低，IO數(shù)量越多，IO密度越高，復(fù)雜度和成本也越高，建議采用2.5D或者3D封裝類型。

圖8 D2D封裝類型選擇

考慮到出Pin密度，電源Drop，信號(hào)完整性，減小基板層數(shù)，降低成本等因素。Bump map和互連走線采用如圖9所示結(jié)構(gòu)[2]。圖中TX信號(hào)bump和RX信號(hào)bump分開單獨(dú)放一起，可以方便對(duì)端Die的互連，減小走線間Cross talk；兩個(gè)Die之間bump采用相隔近的與相隔近的互連，相隔遠(yuǎn)的與相隔遠(yuǎn)的互連，可以減少基板疊層，減小信號(hào)走線間交疊，從而減少成本，提高信號(hào)完整性。但這樣會(huì)造成線與線間延遲時(shí)間的輕微差別，可以通過Die內(nèi)Deskew功能去除。從信號(hào)完整性角度來(lái)看，還需要考慮Bump阻抗不連續(xù)，Via阻抗不連續(xù)，走線阻抗不連續(xù)和噪聲耦合等問題。

圖9 Bump map方案

封裝設(shè)計(jì)好后，需要抽取S參數(shù)，并利用IBIS-AMI模型驗(yàn)證信號(hào)質(zhì)量。能建模IBIS-AMI并驗(yàn)證走線S參數(shù)的工具有很多，它們中大部分都提供了自動(dòng)化IBIS-AMI建模流程，可以基于圖形界面設(shè)計(jì)[8]。如圖10和圖11所示，用戶可以使用軟件內(nèi)建的常用算法模型，來(lái)快速對(duì)TX的FFE去加重預(yù)加重均衡和模擬輸出（AnalogOut）以及RX的模擬輸入（AnalogIn），CTLE連續(xù)時(shí)間線性均衡，AGC自動(dòng)增益放大， DFE自適應(yīng)判決反饋均衡和CDR時(shí)鐘恢復(fù)等進(jìn)行建模，既可設(shè)置為NRZ模式也可設(shè)置為PAM4模式，而且內(nèi)建的Channel模型可以很方便調(diào)用Touchstone格式的通道S參數(shù)。

圖10中，Channel調(diào)用的通道S參數(shù)為-10dB@28GHz；TX設(shè)置為NRZ模式，數(shù)據(jù)率為56Gbps，擺幅為500mV，輸入信號(hào)為PRBS31，F(xiàn)FE均衡不使能；RX 設(shè)置CTLE gain-boost從0dB到-10dB，AGC增益設(shè)置為1，DFE不使能，CDR使能。仿真得到的眼高175mV，眼寬15.76ps，COM為15.7dB。圖11中，將設(shè)置改為PAM4模式，數(shù)據(jù)率為112Gbps，輸入信號(hào)為QPRBS13，其它不變的情況下。仿真得到的眼圖的三個(gè)眼高基本一致為40mV，眼的線性度RLM為99.8%。

圖10

用IBIS-AMI模型進(jìn)行NRZ信號(hào)通道分析

圖11

用IBIS-AMI模型進(jìn)行PAM4信號(hào)通道分析

4.D2D測(cè)試方案

以串口D2D為例。為了全面測(cè)試和debug數(shù)據(jù)鏈路，D2D接口IP在設(shè)計(jì)時(shí)，需考慮全面的環(huán)回測(cè)試路徑，如圖12所示。數(shù)據(jù)通路測(cè)試路徑包括：數(shù)字側(cè)近端環(huán)回路徑A：本端數(shù)字部分內(nèi)環(huán)測(cè)試；模擬側(cè)近端環(huán)回路徑B：本端模擬部分內(nèi)環(huán)測(cè)試；模擬側(cè)遠(yuǎn)端環(huán)回路徑C：對(duì)端模擬部分外環(huán)測(cè)試；數(shù)字側(cè)遠(yuǎn)端環(huán)回路徑D：對(duì)端數(shù)字部分外環(huán)測(cè)試。時(shí)鐘通路測(cè)試路徑包括：時(shí)鐘近端環(huán)回路徑E：本端發(fā)送時(shí)鐘至接收時(shí)鐘的環(huán)回測(cè)試；時(shí)鐘遠(yuǎn)端環(huán)回路徑F：對(duì)端接收時(shí)鐘至發(fā)送時(shí)鐘的環(huán)回測(cè)試。

圖12 環(huán)回測(cè)試模式

由于D2D高速引腳一般封裝在Package內(nèi)，不引出。這樣對(duì)D2D IP的測(cè)試造成了一定的不方便。因此，測(cè)試方案和Package設(shè)計(jì)都需要特殊考慮。如圖13所示[9][10]，測(cè)試需要2個(gè)Die（Octal Macro）實(shí)現(xiàn)TX到RX的環(huán)回測(cè)試。為了驗(yàn)證D2D IP能過不同的通道損耗，通道損耗設(shè)計(jì)為1dB~10dB@28GHz。為了真實(shí)測(cè)試出D2D IP的性能，需要對(duì)從PCB連接器處到封裝基板的走線做去嵌處理。

圖13

D2D test setup and package view

采用以上測(cè)試方案，通道損耗為-10dB@28GHz時(shí)，芯耀輝設(shè)計(jì)的112G 串口D2D 樣片TX輸出的測(cè)試結(jié)果如圖14所示。圖中56G-NRZ測(cè)試采用PRBS31碼型，眼高為363mV，Rj為345fs(rms)；56G-PAM4測(cè)試采用QPRBS13碼型，三個(gè)眼高從上到下分別為224.6mV，235.6mV，229.0mV，RLM=97.7%；112G-PAM4測(cè)試采用QPRBS13碼型，三個(gè)眼高從上到下分別為為99mV，109.2mV，97mV，RLM=95.3%。測(cè)試結(jié)果滿足CEI-112G-XSR協(xié)議要求。

圖14XSR D2D TX測(cè)試結(jié)果

5.結(jié)束語(yǔ)

多晶粒Chiplet已成為芯片設(shè)計(jì)行業(yè)主流系統(tǒng)方案，D2D接口規(guī)范為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極具競(jìng)爭(zhēng)力的性能優(yōu)勢(shì)，包括高能效 (pJ/b)，高帶寬線密度 (Tbps/mm) 和低延遲 (ns)，支持主流IO協(xié)議以及任何用戶定義的協(xié)議，支持多種封裝類型。本文從接口IP設(shè)計(jì)到封裝設(shè)計(jì)再到測(cè)試方案，詳細(xì)介紹了Chiplet D2D解決方案。參照此方案可輕松實(shí)現(xiàn)多晶粒系統(tǒng)互連。

2022年4月，芯耀輝作為首批會(huì)員加入了UCIe組織，推出支持UCIe協(xié)議且兼容多樣化D2D和C2C場(chǎng)景的“并口D2D PHY IP”以及高能效比和高寬帶利用率的“串口112G D2D SerDes PHY IP”的完整D2D解決方案，如圖15所示。同年10月，芯耀輝承接了國(guó)家科技部重點(diǎn)研發(fā)專項(xiàng)，作為國(guó)家隊(duì)成員著力推動(dòng)國(guó)內(nèi)Chiplet標(biāo)準(zhǔn)CCITA的產(chǎn)業(yè)化落地。公司一直專注于高速接口IP領(lǐng)域，積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)能力，已經(jīng)為客戶提供了5G、數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等相關(guān)芯片IP產(chǎn)品，率先實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)客戶的量產(chǎn)。隨著產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步的發(fā)展，以及相關(guān)的下游的封裝等一些技術(shù)的成熟，Chiplet在國(guó)內(nèi)的發(fā)展前景可期。

圖15 芯耀輝完整IP解決方案