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數(shù)明半導(dǎo)體高壓、高速MOSFET/IGBT 驅(qū)動器通過AEC-Q100認證

數(shù)明半導(dǎo)體 ? 來源:數(shù)明半導(dǎo)體 ? 2023-06-27 14:56 ? 次閱讀

為滿足汽車市場對產(chǎn)品可靠性和安全性的需求,數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片SiLM21814-AQ,該產(chǎn)品通過AEC-Q100認證。600V,2.5A/3.5A的高低邊門極驅(qū)動SiLM21814-AQ具有驅(qū)動電流大、耐壓高、抗負壓能力強的優(yōu)勢,可廣泛應(yīng)用于AC/DC、DC/DC電源、逆變器、變頻壓縮機等眾多領(lǐng)域。

SiLM21814-AQ提供獨立的高邊、低邊輸出驅(qū)動信號。采用專有的高壓集成電路和鎖存免疫CMOS技術(shù),提供可靠的單芯片驅(qū)動方案。邏輯輸入電平與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL兼容,最低支持3.3V邏輯輸入。輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級,以減小驅(qū)動器交叉導(dǎo)通。精確的匹配延遲適合高頻應(yīng)用。浮動通道可用于驅(qū)動高邊配置的N型溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓可高達600V。

產(chǎn)品特性

Key Features

支持600V高壓應(yīng)用

典型驅(qū)動電流:2.5A/3.5A

寬VCC工作范圍:10V~20V

為自舉供電設(shè)計的浮動通道

支持高低邊欠壓閉鎖功能

輸入信號兼容3.3V/5V

抗瞬態(tài)負壓能力:-40V/600ns

典型開通/關(guān)斷延遲:180ns/200ns

最大通道匹配延遲:35ns

符合車規(guī) AEC-Q100

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原文標(biāo)題:新品發(fā)布 丨 數(shù)明半導(dǎo)體推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT 驅(qū)動器 SiLM21814-AQ

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