在進(jìn)行EMC抗擾度測(cè)試時(shí)，必須在所有適用的測(cè)試頻率下檢查所用射頻功率放大器的線性度。檢查方法如下：

確定產(chǎn)生測(cè)試電平所需的功率，包括調(diào)制。例如:

• 測(cè)試電平:10v /m
• 調(diào)制:80% AM, 1 kHz
• 所需場(chǎng)強(qiáng)包括調(diào)制:18 V/m

輻射抗干擾校準(zhǔn)配置示例

在特定頻率下所需的功率由n點(diǎn)均勻性校準(zhǔn)期間測(cè)量的校準(zhǔn)文件決定(在上面的例子中，均勻面產(chǎn)生18 V/m的功率)。然后對(duì)所有頻率點(diǎn)進(jìn)行如下檢查:

1. 設(shè)置信號(hào)發(fā)生器電平，使放大器提供所需的輸出功率。
2. 將信號(hào)發(fā)生器電平降低5.1 dB。
3. 放大器的輸出功率至少降低3.1 dB。如果功率下降小于3.1 dB，說(shuō)明放大器壓縮過(guò)遠(yuǎn)，不滿足壓縮要求。

通過(guò)上述測(cè)試，將檢查每個(gè)頻率點(diǎn)的放大器是否表現(xiàn)出小于 2 dB 的壓縮，從所需測(cè)試電平（包括調(diào)制）所需的（最大）功率測(cè)量，幅度范圍為 5.1 dB 。作為對(duì)照組，1 dB 壓縮點(diǎn)測(cè)試需要測(cè)量放大器的增益降低 1 dB 的點(diǎn)，即以放大器的“小信號(hào)增益”為起點(diǎn)（全功率下典型值為 20 dB），測(cè)量在哪個(gè)輸出功率下增益降低了 1 dB。這種測(cè)量是在更大的幅度范圍內(nèi)進(jìn)行的，從而更早地實(shí)現(xiàn)了壓縮。

1 dB 方法主要用于電信市場(chǎng)，其中大振幅范圍內(nèi)的線性度很重要。這與 EMC 測(cè)試相反，EMC 測(cè)試中唯一相關(guān)的一點(diǎn)是放大器在應(yīng)用放大器的功率點(diǎn)周圍的表現(xiàn)，目的是確保 AM 調(diào)制不會(huì)失真太多。因此，1db壓縮點(diǎn)對(duì)EMC測(cè)量的要求過(guò)于嚴(yán)格。

根據(jù)所使用的放大器技術(shù)，放大器將表現(xiàn)出“軟”或“硬”壓縮行為。在第一種情況下，放大器將提供很多額外的“可用”功率高于1db壓縮點(diǎn)，而放大器的“硬”壓縮行為通常鎖定僅高于1db壓縮點(diǎn)。特別是具有 GaN 晶體管的放大器會(huì)表現(xiàn)出軟壓縮行為。與基于硅和砷化鎵的放大器相比，這種相對(duì)較新的晶體管技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是壽命更長(zhǎng)、效率更高。