N阱CMOS工藝版圖

1 下圖為一個(gè)采用N阱CMOS工藝的版圖。

（1）從版圖中提取邏輯圖。

（2）此版圖中應(yīng)用了哪幾種類型的設(shè)計(jì)規(guī)則？

設(shè)計(jì)規(guī)則：最小寬度，最小間距，最小包圍，最小延伸。

（3）畫出虛線處的剖面圖，并在圖中標(biāo)出場(chǎng)氧和柵氧的位置。

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。CMOS中的C表示“互補(bǔ)”，即將NMOS器件和PMOS器件同時(shí)制作在同一硅襯底上，制作CMOS集成電路。CMOS集成電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強(qiáng)、集成度高等眾多優(yōu)點(diǎn)。CMOS工藝已成為當(dāng)前大規(guī)模集成電路的主流工藝技術(shù)，絕大部分集成電路都是用CMOS工藝制造的。

CMOS中既包含NMOS晶體管也包含PMOS晶體管，NMOS晶體管是做在P型硅襯底上的，而PMOS晶體管是做在N型硅襯底上的，要將兩種晶體管都做在同一個(gè)硅襯底上，就需要在硅襯底上制作一塊反型區(qū)域，該區(qū)域被稱為“阱”。根據(jù)阱的不同，CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由于工藝簡(jiǎn)單、電路性能較P阱CMOS工藝更優(yōu)，從而獲得廣泛的應(yīng)用。

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