進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對開關(guān)過程的分析驗證器件設(shè)計方案并提出改進方向、提取開關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書、計算開關(guān)損耗和反向恢復損耗為電源熱設(shè)計提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開關(guān)特性的對比等。

測量延時的影響

被測信號在測量過程中會經(jīng)歷兩次延時，不同信號所經(jīng)歷延時的差別會對測量結(jié)果造成一定的影響。一次延時是示波器模擬前端的延時，索性示波器不同通道間延時差別在 ps 級別，對于 ns 級別的 ns、us 級別的功率器件開關(guān)過程可以忽略不計。另一次是探頭的延時，不同的探頭直接的延時差別在 ns 級別，此時對于開關(guān)速度較快的器件就有明顯的影響了，特別是對于近幾年開始逐漸推廣使用的 SiC 和 GaN 器件影響就更大了。

我們以 SiC MOSFET 開關(guān)過程測量為例來說明測量延時的影響。

在下圖中，藍色波形為未對探頭進行延時校準前獲得的波形（校準前波形），紅色波形為對探頭進行延時校準后獲得的波形（校準后波形）。

按照理論，在開通過程中，當 IDS 開始上升時，會在回路寄生電感上產(chǎn)生壓降，這會使 VDS 有所下降，IDS 的上升與 VDS 的下降應(yīng)該幾乎在同一時刻開始的。而在校準前波形中，IDS 開始上升時，VDS 保持不變，在一段 5.5ns 延時后才開始下降。這一情況與理論明顯不符合，可以推斷此時 IDS 信號超前 VDS 信號。而在進行校準后，這一問題得到了解決。

按照理論，在關(guān)斷過程中，VDS 的尖峰應(yīng)該在IDS 過零附近。而在校準前波形中，IDS 過零5.5ns 后，VDS 才達到最高值。在進行校準后，這一問題也得到了解決。

同時我們還整理出開關(guān)特性參數(shù)，包括：開通延時 td(on)、開通時間 tr、開通能量 Eon、關(guān)斷延時 td(off)、關(guān)斷時間 tf、關(guān)斷能量 Eoff?？梢钥吹介_通延時 td(on) 和關(guān)斷延遲 td(off) 校準前后有 2ns 左右差異，開通時間 tr 和關(guān)斷時間 tf 校準前后幾乎不變，開通能量 Eon 校準前395.31uJ 比校準后 147.53uJ 大了 1.67 倍，關(guān)斷能量 Eoff 校準前 20.28uJ 比校準后 70.54uJ小了 71.3%。

由此可見延時對于器件開關(guān)特性的分析和參數(shù)計算有著非常明顯的影響，在進行測量之前，我們可以通過以下四種方法來進行延時校準。

方法一 : 同時測量示波器自帶方波信號

校準不同電壓探頭之間的延時差別非常簡單， 只需要同時測量同一電壓信號，然后再根據(jù)測量結(jié)果進行校準即可。

我們可以利用示波器自帶的方波信號，一般在示波器側(cè)面板或前面板?？梢钥吹剑瑑蓚€探頭雖然都在測量示波器自帶方波，但在示波器屏幕上顯示的波形出現(xiàn)的延時，1 通道測量通路超前 2 通道測量通路 5.6ns。那么我們就可以在示波 器的通道設(shè)置菜單中設(shè)置 1 通道延時為 -5.6ns， 或設(shè)置 2 通道延時為 +5.6ns 完成校準。

方法二 : 示波器自帶功能校正

對于固定型號的電壓或者電流探頭，其延時是基本固定的，只要知道探頭型號就能夠直接進行延時校準?，F(xiàn)在示波器的功能越來越強大，通過探頭的接口可以識別出探頭的型號，這樣示波器就可以直接自動設(shè)備延時校準值。

方法三 : 延時校準夾具

仿照方法一中同時測量同一信號來校準不同電壓探頭延時差別的思路，測量同時變化的電壓和電流信號，就能夠校準電壓探頭和電流探頭之間的延時差別。很多示波器廠商基于此思路已經(jīng)推出了電壓、電流探頭延時校準夾具，方便工程師直接使用，而不用再自己做校準源。例如泰克的相差校正脈沖發(fā)生器信號源 TEK-DPG 和功率測量偏移校正夾具 067-1686-03。

方法四 : 利用器件開關(guān)特征

如果受限于手頭設(shè)備，我們還可以通過上邊提到的器件開關(guān)過程的特征來進行校準。按照理論，在開通過程中 IDS 的上升與 VDS 的下降應(yīng) 該幾乎在同一時刻開始的。那么我們可以進行不同測試條件下的雙脈沖測試，讀出每次開通過程中 IDS 與 VDS 之間的延時，然后去平均值后進行校準即可。

責任編輯：彭菁