早前，納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領域的頭部企業(yè)。同時，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產品線，拓展新興應用市場。在2023慕尼黑上海電子展上，納微半導體帶來不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進一步開發(fā)工業(yè)、家電、數據中心服務器、電動汽車等市場。

納微半導體高級現場應用工程師羅月亮對電子發(fā)燒友網表示，AI對算力的需求大幅增長拉動AI服務器市場的機會，在GPU數量和功率增加的同時服務器電源尺寸是固定的，早期服務器電源主要是500瓦、800瓦或者1300瓦功率。而現在增加到2700瓦甚至3200瓦。功率密度變大，體積不變，那么氮化鎵在高頻、高效和高功率密度等方面綜合表現突出，并且服務器電源對可靠性要求高，需要十年質保，值得一提的是納微半導體于業(yè)內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾?？梢哉f，氮化鎵十分適合這一應用場景。例如，基于氮化鎵的2700瓦電源模塊的尺寸，僅是硅器件電源模塊的一半。



在家電領域，消費升級推動電視的輕薄化，羅月亮表示，電視做薄最大的短板是電源，特別是OLED顯示要求的功率更大，納微推出的氮化鎵420瓦電源尺寸大約是硅器件電源的三分之一大小，電源安裝位置更靈活，而且電視可以減薄5毫米。類似的縮小電源模塊體積的典型應用還有冰箱輔源，輔源效率從原來85%左右提升到將近90%，模塊尺寸變小后能夠放置在壓縮機旁邊，走線成本下降，安裝簡單，同時冰箱容積增加。

GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產品。此次還展示了搭載GaNSense半橋芯片的1kW馬達驅動，具備非常高的開關頻率，采用無損耗電流感測技術，無需電抗器，芯片內置過流保護、過溫保護，實現精確的散熱設計，比起傳統硅方案，體積減小70%，功耗損失減少70%。

納微半導體展示推出的業(yè)界首創(chuàng)的GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片技術。初代GaNSense Control 合封氮化鎵功率芯片系列具有高頻準諧振 (HFQR) 反激，支持 QR、DCM、CCM 和多頻率、混合模式運行，頻率高達 225 kHz。GaNSense Control合封芯片集成了無損電流檢測、高壓啟動、抖頻、低待機功率、寬Vdd輸入電壓的特性，能在元件更少，無電流采樣電阻熱點的前提下，帶來小巧、高效、溫控更優(yōu)的系統.

羅月亮表示，這個合封技術的一大創(chuàng)新是 將控制器部分電路，例如高壓啟動管做在GAN上，好處是在電網波動大的情況下避免過壓風險。

GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片將率先覆蓋20-150W的智能手機、平板電腦和筆記本電腦充電器，消費電子和家用電器、銷售終端機、大功率數據中心和400V電動汽車系統中的輔助電源。

新能源汽車帶來的半導體價值已經達到1000多美金，碳化硅、氮化鎵上車更是趨勢所在。羅月亮介紹，例如碳化硅可應用于主驅逆變器、車載充電器、DC-DC轉換器等，氮化鎵可應用于車載充電器OBC、DC-DC直流轉換器、激光雷達等領域。



納微半導體 能提供先進可靠的高壓、高效SiC MOSFET，這對于苛刻環(huán)境、大功率應用場合的可靠性極為關鍵。GeneSiC功率器件使用場景從650V到6500V，納微半導體覆蓋了最全面的碳化硅電壓范圍。重點市場包括電動汽車、太陽能、儲能、家用電器及工業(yè)制造、數據中心、移動設備和消費電子領域，預計到2026年可獲得220億美元每年市場機會。

此外，基于GeneSiC芯片建造的SiCPAK模塊已擴展到更高功率市場，包括鐵路、電動汽車、工業(yè)、太陽能、風能和能量儲存等領域。

據了解，納微半導體的氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過7500萬顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1000萬顆。納微半導體正在以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的技術產品創(chuàng)新，迎接全面電氣化世界的到來。