對話ADI工程師：詳析熱門型號放大器的應用難題
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本期為大家分享的熱門問答帖來自放大器專區(qū)。趕緊來看看，您是否也有相同的疑惑？點擊“閱讀原文”前往論壇發(fā)帖提問獲取ADI專家的支持吧~
ADHV4702增大輸出電流后出現(xiàn)燒芯片問想把運放 ADHV4702 的輸出電流增大到100mA，采用VP2540 和 VN2540 兩個 MOS 管，按照 datasheet 上的圖設(shè)計電路。仿真看不到問題。但是，在實驗中，ADHV4702 大概輸出電流 50mA 超過1分鐘就會燒芯片。已經(jīng)燒了6pcs了，求幫忙。
非常感謝您的建議！我馬上安排采購器件做實驗。另外，對于上面的電路圖，可以改成V-端輸入，V+端接地么？
答 你是想改成反相放大器結(jié)構(gòu)吧？如果是改成反相放大器結(jié)構(gòu)肯定也是沒有問題的。
TOP-1_BoostCurrent_ADHV4702+MOS_PN100V_Tran-Sim.asc（點擊“閱讀原文”，前往原貼下載）
問按照您的電路圖，功能仿真不對。是不是我哪個地方弄錯了？
你的PMOS 方向反了，IRF9640的S極鏈接R3。另外如果要繼續(xù)做板的話，建議你在運放的同相端和反相端之間加兩個BAV199做保護。你可以把你的具體需求告訴，我可以幫你繼續(xù)優(yōu)化一下電路。但我想了解你這個電路應用場景是什么？
問嗯，實際電路中加了BAV199做保護，實際電路就是做一個正負10V正弦輸入，輸出正負100V驅(qū)動2k歐+6.8mH串聯(lián)的負載，驅(qū)動電流最大100mA。 答你的帶寬要求多少？
問
1kHZ就可以。另外一個問題，剛才我把R6換成39k. 情況是好了很多，但是，在輸出50V以上時，仍然感覺芯片的溫度很燙。我想請教一下，芯片燒毀的原理是啥？是因為MOS管的大電流通過R6反饋到芯片輸出端？
答 ADHV4702自身承載的功率過高所致，MOSFET的柵極需要比輸出高出4V以上的閾值電壓才能工作，所以R6上的壓降會在4V左右，甚至更高。這樣你就知道了ADHV4702的輸出電流，即 4V/R6, 如果這個電流過高，乘以電源電壓與輸出電壓的壓差，基本就知道加載在放大器上的功耗了。高壓的供電的放大器都會比較熱，這個是不可避免的，靜態(tài)功耗的電流乘以供電電壓就是這個放大器的靜態(tài)功耗?？隙ū纫话愕姆糯笃饕摺?/span>
最好要加散熱器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散熱的，應該盡可能的連接更大的銅皮用于散熱。
如果是1kHz，你可以將C1改為100pF~470pF之間就可以滿足你需要的帶寬，需要注意的是C1的耐亞最好是實際承載電壓的2倍。比如你目前的輸出是+/-100V, 這個電容的耐壓最好選擇200V。 問
上述電路在0V輸出附近有這么一個奇變，這個應該是MOS管引起的。如果不提高輸出電流的話，沒有這個現(xiàn)象。麻煩問一下，這個問題該怎么解決？
答 我覺得這個可能是你導入錯誤的SPICE模型導致的問題，你的目標是要輸出正弦信號么？從原理上說這個電路通過負反饋實現(xiàn)正弦信號是沒有問題的。你可能需要用實際電路測試下來看是否有問題。 另外把原電路中 R10（Rsense）去掉，那個電阻我是用來采樣電流的，在你的實際電路中沒有意義，這個電路的輸出直接掛接你的實際負載即可。問
目標信號是隨機的，是不是MOS管在輸出小電流的時候引起的？上升段和下降段都有這個問題。
答 是的，因為當電流很小的時候，ADHV4702輸出的電流流過39k那個電阻無法產(chǎn)生超過4V的閾值電壓，這樣MOSFET無法導通，使得在微電流的時候MOSFET處于截至狀態(tài)。這個電路的問題存在于MOSFET并不是一直處于導通狀態(tài)。 問但是，ADHV4702本身具有10ma的輸出能力，在小電流的時候，MOS是否工作無所謂吧？發(fā)現(xiàn)把39k減小就沒事，是ADHV4702的驅(qū)動能力不夠？
仿真結(jié)果看，把39k換成10k，失真幾乎不可見。麻煩您看看，10k是否不會導致芯片燒毀，在輸出100V的時候。
答 我覺得這個是跟模型相關(guān)，未必是真實的情況，10k電阻原理上是不會導致芯片燒毀的，最終電路參考下圖：
階躍響應的輸出信號和R6上的瞬態(tài)電流情況參考下圖：
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