建議收藏：預(yù)防和整改EMI的22個(gè)總結(jié)！|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（上）

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作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲)，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾。

而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

a、1MHz以內(nèi)

以差模干擾為主，增大X電容就可解決。

b、1MHz～5MHz

差模共模混合，采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決。

c、5MHz～10MHz

以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

d、10MHz～25MHz

對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHz以上干擾有較大的衰減。

e、25～30MHz

可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變 PCB的LAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈，在輸出整流管兩端并RC濾波器。

f、30MHz～50MHz

普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻，RCD緩沖電路采用1N4007 慢管，VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決。

g、100～200MHz

普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠。

h、100MHz～200MHz

大部分出于PFC MOSFET及PFC二極管，現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果，水平方向基本可以解決問(wèn)題，但垂直方向就很無(wú)奈了。

開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100MHz以下的頻段。也可以在MOS二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會(huì)有所降低。

綜上所述，相信通過(guò)本文的描述，各位對(duì)建議收藏：預(yù)防和整改EMI的22個(gè)總結(jié)（上）都有一定了解了吧，有疑問(wèn)和有不懂的想了解可以隨時(shí)咨詢深圳比創(chuàng)達(dá)這邊。今天就先說(shuō)到這，下次給各位講解些別的內(nèi)容，咱們下回見(jiàn)啦！也可以關(guān)注我司wx公眾平臺(tái)：深圳比創(chuàng)達(dá)EMC！

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審核編輯 黃宇