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場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-02 11:31 ? 次閱讀

場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方?

MOSFET和場效應(yīng)管(FET)都屬于半導(dǎo)體器件中的一種,類似晶體管。MOSFET是MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管的簡稱,而FET可以包括MOSFET在內(nèi),但MOSFET不一定是FET。

FET是一種電源管,利用電場調(diào)控電荷的流動(dòng),其構(gòu)造簡單,以柵極電壓驅(qū)動(dòng)的方式,電阻小,不易受高電壓或高電流影響。FET主要有三種類型:JFET(結(jié)型場效應(yīng)管)、MOSFET和MESFET(金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管)。

MOSFET是一種三端口(源、漏、柵)半導(dǎo)體器件,利用柵電壓控制漏電流的變化。MOSFET可以分為N型和P型兩種,又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,其中增強(qiáng)型MOSFET是應(yīng)用最廣泛的一種。

MOSFET的工作原理是,當(dāng)柵極電壓為0時(shí),源極和漏極之間沒有電路,所以漏極電流等于0。當(dāng)施加正電壓到柵極時(shí),柵極形成的電場會(huì)引導(dǎo)N型MOSFET的電子向漏極移動(dòng),因此導(dǎo)通。

FET與MOSFET之間最大的區(qū)別是柵級(jí)結(jié)構(gòu)。FET中的柵極與通道之間沒有氧化物,而MOSFET中柵極和通道之間氧化物厚度為1-2nm,相當(dāng)薄。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于極高的輸入阻抗、低噪聲、低電源電流和高放大倍數(shù)。此外,MOSFET還具有防止輸出非線性失真的能力。

在實(shí)際應(yīng)用中,MOSFET被廣泛用于放大器、開關(guān)、振蕩器、計(jì)算機(jī)邏輯電路、電源恒流源和放大器輸入級(jí)之間的驅(qū)動(dòng)等各種用途。

因此,MOSFET和FET雖然都屬于場效應(yīng)管,但在柵極結(jié)構(gòu)、電流控制和應(yīng)用領(lǐng)域上均有明顯不同。MOSFET作為一種高性能、多用途的電子器件已經(jīng)贏得了廣泛的應(yīng)用,并與FET一樣成為電子工業(yè)不可缺少的組成部分。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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