基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

目前充電樁電源模塊主打的是40mR/1200V碳化硅MOSFET分立器件，適合充電樁電源模塊DCDC階段的LLC/移相全橋的應(yīng)用，SiC MOSFET解DCDC的電路比傳統(tǒng)的超結(jié)的復(fù)雜拓?fù)鋪斫庖谐杀緝?yōu)勢。基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFETB2M040120Z可替代英飛凌IMZA120R040M1H、安森美NTH4L040N120M3S以及科銳C3M0040120K、意法SCT040W120G3-4AG用于充電樁電源模塊DCDC階段的LLC/移相全橋電路。

B2M040120Z性能參數(shù)及封裝

相比上述品牌型號，B2M040120Z的Coss更?。?15pF），抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力更強，體二極管的Vf和trr的優(yōu)勢明顯，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險。綜合來看，B2M040120Z在LLC/移相全橋型電源應(yīng)用中的表現(xiàn)會更好。

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點：

更低比導(dǎo)通電阻：通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。

更低器件開關(guān)損耗：器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。

更高可靠性：通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

更高工作結(jié)溫：工作結(jié)溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。

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