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本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產(chǎn)品——ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

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產(chǎn)品一：ODU MEDI-SNAP 連接器

ODUMEDI-SNAP采用靈活、可靠并且緊湊的產(chǎn)品設(shè)計，因其型式小巧、插芯密度高、有多種角度，可在最小的安裝空間內(nèi)實現(xiàn)優(yōu)良性能。該系列全套系統(tǒng)包括插拔自鎖或易分離式連接器、帶相應(yīng)組裝的電纜，以及機械或視覺編碼定位。

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產(chǎn)品特性

• 可達1000 V AC的高電壓解決方案
• 符合誤觸防護標準IEC 60601–1 (最多2個MOPP/2個MOOP)
• 安裝及維護的工作量極小
• 可傳輸多種介質(zhì)
• 雖有塑料外殼，仍可完全消毒

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適用范圍

• 醫(yī)療
• 測量和測試
• 工業(yè)電子

2

產(chǎn)品二：安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

安森美M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化，并提供低22mΩ的漏極-源極導(dǎo)通電阻。M3S系列SiC MOSFET由18V柵極驅(qū)動驅(qū)動時可提供最佳性能，但也可與15V柵極驅(qū)動配合使用。該設(shè)備采用平面技術(shù)，可在柵極處于負柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。安森美1200V M3S系列SiC MOSFET采用D2PAK-7L封裝，具有低共源電感。

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產(chǎn)品特性

• 針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化
• 低開關(guān)損耗
• 在40A、800V條件下，典型接通開關(guān)損耗485μJ
• 18V，性能最佳；15V，兼容IGBT驅(qū)動器電路
• 100%經(jīng)雪崩測試
• 更高的功率密度
• 提高了對意外涌入電壓尖峰或振鈴的耐受能力

02

適用范圍

• 交流-直流轉(zhuǎn)換
• 直流-交流轉(zhuǎn)換
• 直流-直流轉(zhuǎn)換
• 開關(guān)模式電源（SMPS）
• UPS
• 電動汽車充電器
• 太陽能逆變器
• 能量存儲器系統(tǒng)

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