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1、傳蘋果自研5G基帶芯片將于2025年面世,iPhone SE 4首發(fā)搭載
據(jù)報道,蘋果正在開發(fā)第四代iPhone SE手機(暫稱iPhone SE 4),該產(chǎn)品將進行重大重新設(shè)計。iPhone SE 4顯示屏預(yù)計會更大,類似iPhone 14采用的全面屏。另外,蘋果將放棄物理Home按鍵,轉(zhuǎn)而提供Face ID進行身份驗證。該設(shè)備還將通過更好的基帶芯片(或稱調(diào)制解調(diào)器)和處理器進行內(nèi)部改進。分析師郭明錤表示,蘋果為iPhone定制的5G基帶芯片將于2025年首次亮相,有可能會隨著iPhone SE 4的發(fā)布而推出。
郭明錤表示,iPhone SE 4將是首款配備蘋果自研5G基帶芯片的設(shè)備。雖然這些只是現(xiàn)階段的猜測,但該公司正在大力投資,以擺脫高通設(shè)計的基帶芯片。高通長期以來一直為蘋果供應(yīng)iPhone 5G基帶芯片。蘋果已經(jīng)收購英特爾智能手機調(diào)制解調(diào)器業(yè)務(wù)的很大一部分,并將繼續(xù)為iPhone測試和構(gòu)建其內(nèi)部基帶芯片。
產(chǎn)業(yè)動態(tài)
2、外媒:鴻海擬與意法半導(dǎo)體聯(lián)手在印度建設(shè)芯片廠
援引知情人士消息報導(dǎo),鴻海(富士康)正在與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)聯(lián)手在印度建設(shè)一家半導(dǎo)體工廠,盼獲得印度政府支持以擴大在該國的業(yè)務(wù)。
知情人士表示,鴻海和意法半導(dǎo)體正在向印度政府申請補助建設(shè)一座40納米芯片工廠。這種成熟制程技術(shù)的芯片常用于汽車、相機、印表機和各式各樣的其他機器。鴻海曾試圖與印度億萬富豪阿加渥(Anil Agarwal)的Vedanta Resources建立合作關(guān)系,然而一年來進度甚微,最終破局。此次透過與意法半導(dǎo)體合作,芯片代工制造商鴻海利用前者在芯片產(chǎn)業(yè)先驅(qū)的專業(yè)知識,擴張利潤豐厚但困難重重的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
3、外媒:目前為止僅發(fā)現(xiàn)華為Mate 60 Pro內(nèi)存為進口其余部件中國制造
據(jù)報道,華為公司的Mate 60 Pro智能手機除了主處理器外,還采用了異常高比例的中國零部件,這表明中國在發(fā)展國內(nèi)技術(shù)能力方面取得了進展。
據(jù)本周報道,華為手機搭載了在中國設(shè)計和制造的7納米麒麟處理器,這是中國芯片制造行業(yè)的一項突破。然而,根據(jù)TechInsights拆解該設(shè)備的最新一輪分析,華為還使用了中國公司生產(chǎn)的許多其他組件。該手機的射頻前端模塊來自昂瑞微(Beijing OnMicro Electronics Co.),衛(wèi)星通信調(diào)制解調(diào)器來自華力創(chuàng)通(Hwa Create Co.)。分析顯示,其射頻收發(fā)器來自廣州天潤芯科技(Guangzhou Runxin Information Technology Co.)。
4、三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%
據(jù)報道,繼高帶寬內(nèi)存(HBM)之后,三星電子將開發(fā)新一代DRAM技術(shù)。援引業(yè)內(nèi)消息稱,三星先進封裝(AVP)業(yè)務(wù)部門正在開發(fā)“Cache DRAM”(緩存DRAM)的下一代DRAM技術(shù),目標(biāo)是在2025年開始量產(chǎn)。據(jù)報道,三星透露,與HBM相比,緩存DRAM將能效提高60%,并將數(shù)據(jù)移動延遲降低50%。
有傳言稱,三星緩存DRAM將采用與HBM不同的封裝方法。HBM目前水平連接到GPU,但緩存DRAM將垂直連接到GPU。由于HBM垂直連接多個DRAM以提高數(shù)據(jù)處理速度,因此有報道稱,緩存DRAM只需要一顆芯片即可存儲與整個HBM相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
5、騰訊混元大模型正式亮相:參數(shù)規(guī)模超千億,已在多個內(nèi)部產(chǎn)品測試
在2023 騰訊全球數(shù)字生態(tài)大會上,騰訊正式發(fā)布混元大模型。據(jù)介紹,混元大模型參數(shù)規(guī)模超千億,預(yù)訓(xùn)練語料超 2 萬億 tokens,騰訊云、騰訊廣告、騰訊游戲、騰訊金融科技、騰訊會議、騰訊文檔、微信搜一搜、QQ 瀏覽器等超過 50個騰訊業(yè)務(wù)和產(chǎn)品,已經(jīng)接入騰訊混元大模型測試,并取得初步效果。
該模型同時也服務(wù)產(chǎn)業(yè)場景,客戶可以基于 API 調(diào)用混元,也可以基于混元做專屬的行業(yè)大模型。混元大模型號稱能夠識別“陷阱”,拒絕被“誘導(dǎo)”回答一些難以回答甚至是不能回答的問題,比如“如何更好地超速”,拒答率提升 20%。
新品技術(shù)
6、意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能,具有卓越的安全性和可靠性
意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)晶體管柵極驅(qū)動器,新產(chǎn)品STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
這款單通道驅(qū)動器可連接最高1200V的電壓軌,而STGAP2GSN 窄版可連接高達 1700V的電壓軌,柵極驅(qū)動電壓最高15V。該驅(qū)動器能夠向所連接的 GaN 晶體管柵極灌入和源出最高3A的電流,即使在高工作頻率下也能精準(zhǔn)控制功率晶體管的開關(guān)操作。
7、伍爾特電子推出撥動開關(guān)產(chǎn)品系列
伍爾特電子現(xiàn)在同樣生產(chǎn)高品質(zhì)的撥動開關(guān)。現(xiàn)有多種不同版本的易用型快速開關(guān)提供,產(chǎn)品名稱為 WS-TOTV。這些開關(guān)符合 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)的 EDS 要求,并經(jīng)過滿載條件下的工作耐久性測試,耐用性得到驗證(電氣壽命:5 萬次)。
撥動開關(guān)通常用于切換設(shè)備的不同功能,因此伍爾特電子同時提供具有ON/OFF/ON 和 ON/ON 切換功能的撥動開關(guān)。這些開關(guān)提供 SPDT(單極雙擲)和 DPDT(雙極雙擲)電路,有水平和垂直版本可選。額定電壓為 30 V 時,載流能力為 1 A。耐壓值可達 500 V,工作溫度為-40至+85°C??蚣芊?UL94 V-0可燃性等級。
投融資
8、打造硅光領(lǐng)先技術(shù)平臺,熹聯(lián)光芯完成超億元B-2輪融資
近日,蘇州熹聯(lián)光芯完成了超億元B-2輪融資。本輪融資由老股東昆侖資本和弘毅投資聯(lián)合領(lǐng)投,江蘇云榮通、蘇州創(chuàng)投等機構(gòu)共同參與。
熹聯(lián)光芯成立于2020年,由半導(dǎo)體、硅光及金融等領(lǐng)域多位資深專家領(lǐng)頭,致力于打造硅光領(lǐng)先技術(shù)平臺,努力推動全球5G、數(shù)據(jù)中心及數(shù)字化進程。為了快速實施在硅光領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局,熹聯(lián)光芯于2021年10月份完成了對德國Sicoya GmbH的100%股權(quán)并購。
9、中昊芯英完成數(shù)千萬新一輪融資,推動大模型建設(shè)布局
近日,中昊芯英完成數(shù)千萬Pre-B+輪融資,本輪融資由杭州華夏恒天資本參與投資,資金用于推動AI計算集群業(yè)務(wù)落地。本輪融資完成后,中昊芯英將進一步完善全自主可控算力和大模型建設(shè)布局,并于近期完成多個AI計算中心客戶的產(chǎn)品交付。
中昊芯英成立于2020年,是一家由硅谷歸國經(jīng)驗豐富的大芯片及AI大模型相關(guān)軟硬件設(shè)計專家共同創(chuàng)立的創(chuàng)新型高科技企業(yè),致力于研發(fā)支撐超大規(guī)模人工智能模型訓(xùn)練的高性能人工智能芯片與計算集群,打造完整的軟硬件一體化方案。
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