長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司授予“晶圓循環(huán)時(shí)間的確定方法和裝置”專(zhuān)利,許可公告日為10月3日,許可公告號(hào)為cn113536572b。
![wKgZomUjagiAGMqKAAHBfs3IS_U459.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A9/20/wKgZomUjagiAGMqKAAHBfs3IS_U459.png)
據(jù)專(zhuān)利文摘(摘要),本申請(qǐng)的決定施行如晶片周期時(shí)間的方法及裝置提供,獲取多個(gè)站點(diǎn)的機(jī)臺(tái)的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù),根據(jù)多個(gè)站點(diǎn)的機(jī)臺(tái)的實(shí)際生產(chǎn)數(shù)據(jù),建立隨機(jī)數(shù)表,該隨機(jī)數(shù)表中包括各機(jī)臺(tái)的樣本數(shù)據(jù)。樣品數(shù)據(jù)包括晶圓處理時(shí)間、機(jī)臺(tái)宕機(jī)概率、宕機(jī)修復(fù)時(shí)間和隨機(jī)區(qū)間使用Monte Carlo算法和隨機(jī)數(shù)表,模擬晶片在各種機(jī)臺(tái)集團(tuán)的生產(chǎn)過(guò)程模擬器模擬過(guò)程經(jīng)過(guò)zhongjing圓機(jī)臺(tái)每次生成的隨機(jī)數(shù)隨機(jī)數(shù)表中的暗號(hào)屬于區(qū)間。隨機(jī)數(shù)用于選擇機(jī)器的狀態(tài),在模擬裝置中輸入組裝、晶片個(gè)數(shù)、模擬數(shù),以獲得晶圓周期的時(shí)間。
這種方法可以精確地模擬晶片的周期,并計(jì)算出任何一組、晶圓的數(shù)量和模擬次數(shù)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
近日,浙江吉利控股集團(tuán)有限公司及其旗下的吉利汽車(chē)研究院(寧波)有限公司成功獲得了一項(xiàng)關(guān)于自動(dòng)駕駛脫困技術(shù)的專(zhuān)利授權(quán)。該專(zhuān)利名稱(chēng)為“一種自動(dòng)駕駛的脫困方法、
發(fā)表于 01-15 11:33
?737次閱讀
工藝中常用的材料包括:
芯片粘結(jié)劑:作為漿料涂覆到晶圓背面,之后再烘干。采用這種方法,成本較低,同時(shí)可以控制鍵合層厚度并且提高單位時(shí)間產(chǎn)量。
WBC膠水:其成分
發(fā)表于 12-19 09:54
?374次閱讀
高臺(tái)階基底晶圓貼蠟方法是半導(dǎo)體制造中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,特別是在處理具有高階臺(tái)金屬結(jié)構(gòu)的晶圓時(shí)。以下是一種有效的高臺(tái)階基底
發(fā)表于 12-18 09:47
?204次閱讀
,指晶圓在其直徑范圍內(nèi)的最大和最小厚度之間的差異。
測(cè)量方法:晶圓在未緊貼狀態(tài)下,測(cè)量晶
發(fā)表于 12-17 10:01
?595次閱讀
晶圓單面拋光的裝置及方法主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,以下是對(duì)其詳細(xì)的介紹:
一、晶圓單面拋光
發(fā)表于 12-12 10:06
?311次閱讀
大尺寸藍(lán)寶石晶圓平坦化的方法主要包括以下幾種:
一、傳統(tǒng)研磨與拋光方法
粗研磨
使用研磨墊配合綠碳化硅溶液對(duì)藍(lán)寶石晶
發(fā)表于 12-06 10:36
?301次閱讀
本文從硅片制備流程為切入點(diǎn),以方便了解和選擇合適的硅晶圓,硅晶圓的制備工藝流程比較復(fù)雜,加工工序多而長(zhǎng),所以必須嚴(yán)格控制每道工序的加工質(zhì)量,
發(fā)表于 10-21 15:22
?432次閱讀
。而硅晶圓是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 制造工藝: 碳化硅晶圓的制造工藝相對(duì)復(fù)雜,需要高溫、高壓和長(zhǎng)時(shí)間的生長(zhǎng)過(guò)
發(fā)表于 08-08 10:13
?1878次閱讀
該發(fā)明涉及一種晶圓清洗設(shè)備及晶圓定位裝置、定位方法。其中,晶
發(fā)表于 05-28 09:58
?451次閱讀
杭州維沃移動(dòng)通信有限公司的“信息確定方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”專(zhuān)利在2024年5月7日獲得相關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)并予以公示,公布編號(hào)為CN11799
發(fā)表于 05-11 16:33
?617次閱讀
將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體,一個(gè)個(gè)判定是否為良品,此制程稱(chēng)為“晶圓針測(cè)制程”。
發(fā)表于 04-19 11:35
?991次閱讀
這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中,氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入口管道;在反應(yīng)腔室內(nèi),自上而下依次安置著射頻匹配器、氣體分配盤(pán)、晶圓托盤(pán)以及氣體排出部分。
發(fā)表于 04-03 09:48
?379次閱讀
共讀好書(shū) 在本文中,我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝(WLP)。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝,包括:光刻(Pho
發(fā)表于 03-05 08:42
?1616次閱讀
美的獲實(shí)用新型專(zhuān)利授權(quán) 美的新獲得一項(xiàng)實(shí)用新型專(zhuān)利授權(quán),該專(zhuān)利名為“一種功放模塊組件、射頻發(fā)生
發(fā)表于 02-24 17:18
?1813次閱讀
近日,科大訊飛成功獲得了一項(xiàng)名為“高空拋物檢測(cè)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)”的專(zhuān)利授權(quán)。該專(zhuān)利
發(fā)表于 02-23 11:24
?928次閱讀
評(píng)論