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GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦:身藏寶藏,初現(xiàn)鋒芒

科技見(jiàn)聞網(wǎng) ? 來(lái)源:科技見(jiàn)聞網(wǎng) ? 作者:科技見(jiàn)聞網(wǎng) ? 2023-10-17 14:31 ? 次閱讀

10月13日,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)隆重舉行了氮化鎵(GaN)器件品牌發(fā)布會(huì),暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)。

借此,我們注意到這家一亮相便驚艷四座的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業(yè)長(zhǎng)期耕耘、專注專精、做深做細(xì)、低調(diào)沉潛的形象,恰如金庸筆下武功深不可測(cè)而又難掩鋒芒的無(wú)名僧人。

隨著下游市場(chǎng)需求爆發(fā),第三代半導(dǎo)體逐漸駛進(jìn)黃金賽道,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體入場(chǎng)GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績(jī)單:“僅用1.5年時(shí)間從建廠到中試線穩(wěn)定產(chǎn)能達(dá)到1.5萬(wàn)片;7天完成外延至成品器件的周期;量產(chǎn)平均良率達(dá)到85%;研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3...”

那么,譽(yù)鴻錦是如何在如此短的時(shí)間內(nèi),就實(shí)現(xiàn)了高效、超高良率、低成本的氮化鎵國(guó)產(chǎn)化建設(shè)?讓我們一起探究這家國(guó)產(chǎn)GaN賽道“掃地僧”背后的故事和產(chǎn)業(yè)抱負(fù)。

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譽(yù)鴻錦董事長(zhǎng)閆懷寶

為解氮化鎵普及率低

譽(yù)鴻錦發(fā)起一場(chǎng)“產(chǎn)業(yè)效率革命”

正視現(xiàn)狀讓人清醒。

第三代化合物半導(dǎo)體前景廣闊,為霞尚滿天。然而,其市場(chǎng)普及率仍然非常低,與硅基器件相比存在數(shù)量級(jí)差距。

從材料成本來(lái)說(shuō),氮化鎵(GaN)器件并不比硅基器件昂貴。譽(yù)鴻錦分析了氮化鎵滲透率依然低的原因:并不是很多人所認(rèn)為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足,導(dǎo)致成本均攤困難。本質(zhì)問(wèn)題出現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)效率上,只有把系統(tǒng)效率提升,才能用更低的成本推動(dòng)器件的大規(guī)模應(yīng)用。

曾幾何時(shí),器件研發(fā)從流片、封測(cè)到驗(yàn)證等環(huán)節(jié)要等數(shù)月甚至數(shù)年之久,空轉(zhuǎn)成本可達(dá) 2000 多萬(wàn)元,如果將原本 1 年或 1 個(gè)月的研發(fā)生產(chǎn)周期流程壓縮到 7 天,對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈意義不言而喻。

氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵是“物美價(jià)廉”,便宜的前提是要大幅提高生產(chǎn)效率。

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體正是從這個(gè)角度開(kāi)始解題,提出“產(chǎn)業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM 整合 x 高研發(fā)效率 x 設(shè)備降本 x 快速應(yīng)用驗(yàn)證”,希望從產(chǎn)業(yè)鏈全維度來(lái)加速氮化鎵器件的降本,以及大規(guī)模應(yīng)用普及。

無(wú)論是從 IDM 產(chǎn)線構(gòu)建,還是量產(chǎn)節(jié)奏,以及供應(yīng)周期來(lái)看,“高效”是譽(yù)鴻錦現(xiàn)階段進(jìn)入市場(chǎng)的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。在目前月產(chǎn) 1.5 萬(wàn)片的中試線之后,據(jù)譽(yù)鴻錦品牌戰(zhàn)略官?gòu)埨淄嘎?,目前譽(yù)鴻錦的月產(chǎn)能已經(jīng)做到了國(guó)內(nèi)實(shí)際上的產(chǎn)能第一,正在建設(shè)的二期線將會(huì)在今年年底封頂。二期線建成投產(chǎn)后,產(chǎn)能將會(huì)達(dá)到每月 25 萬(wàn)片,屆時(shí)可能成為全球最大的氮化鎵 IDM 工廠。

譽(yù)鴻錦發(fā)起的這一場(chǎng)“產(chǎn)業(yè)效率革命”,是希望從產(chǎn)業(yè)鏈全維度來(lái)加速氮化鎵器件的降本。

登高而招,順風(fēng)而呼,頗有產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略野心。

成本減少2/3

Super IDM產(chǎn)業(yè)集群新模式

據(jù)了解,譽(yù)鴻錦首創(chuàng)能夠讓氮化鎵實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)效率革命的Super IDM 產(chǎn)業(yè)集群生態(tài)模式:Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設(shè)備材料 + IDM +終端技術(shù)應(yīng)用+ 零售服務(wù)生態(tài)鏈”,是包括設(shè)備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術(shù)服務(wù)體系群以及終端產(chǎn)品應(yīng)用生態(tài)鏈的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念。

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譽(yù)鴻錦品牌戰(zhàn)略官?gòu)埨?/p>

憑借 85% 平均量產(chǎn)良率獲得高一致性器件,譽(yù)鴻錦實(shí)現(xiàn)了高集成度 IDM-7 天制造周期、高研發(fā)效率使時(shí)間縮短 2/3,自研設(shè)備和設(shè)備國(guó)產(chǎn)化使成本降低 2/3。

譽(yù)鴻錦董事長(zhǎng)閆懷寶在發(fā)布會(huì)上自信地表示:“這在整個(gè)業(yè)界是基本上不可被復(fù)制的”,而量產(chǎn)速度,僅僅是冰山一角。

據(jù)了解,譽(yù)鴻錦擁有在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設(shè)備產(chǎn)線。除此之外,譽(yù)鴻錦還具備正向的設(shè)備調(diào)試和組裝能力。譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在創(chuàng)立之初就組建了產(chǎn)業(yè)奠基人邵春林博士為首的的技術(shù)團(tuán)隊(duì)?;贙now-How的正向研發(fā)能力,根據(jù)目標(biāo)需求自由選擇甚至開(kāi)拓新的技術(shù)路線,并實(shí)現(xiàn)快速制樣和驗(yàn)證,提升氮化鎵良率;以及短時(shí)間內(nèi)開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)先進(jìn)的MOCVD設(shè)備。

Super IDM 產(chǎn)業(yè)集群的深度耦合,可以實(shí)現(xiàn)上游設(shè)備自主可控、成本下降,IDM環(huán)節(jié)極致效率,應(yīng)用終端快速導(dǎo)入和批量驗(yàn)證,從而實(shí)現(xiàn)推動(dòng)氮化鎵產(chǎn)業(yè)快速普及的產(chǎn)業(yè)目標(biāo)。

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發(fā)布全功率段器件

繪就產(chǎn)業(yè)合作新“藍(lán)圖”

值得一提的是,譽(yù)鴻錦發(fā)布了從 100V-650V-900~1200V 的全功率段器件,能應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域。其中,譽(yù)鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個(gè)氮化鎵SBD器件,以及900V藍(lán)寶石基氮化鎵晶圓的實(shí)物展示引起了行業(yè)的重點(diǎn)關(guān)注。

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其中1200V/85mΩ的氮化鎵MOSFET在今年第四季度就可以送樣,并且1700V的氮化鎵器件也即將會(huì)推出。

與國(guó)際頭部友商相比,譽(yù)鴻錦的功率器件可以做到海外廠商價(jià)格的幾分之一。而且譽(yù)鴻錦的氮化鎵器件將以硅器件的價(jià)格為目標(biāo),推動(dòng)氮化鎵對(duì)硅的加速替代。

目前,譽(yù)鴻錦實(shí)現(xiàn)了極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準(zhǔn)可控的載流子調(diào)控等自主關(guān)鍵技術(shù)能力。具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)氮化鎵材料的技術(shù)矩陣,以及功率電子、激光與顯示、射頻全產(chǎn)品能力。

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譽(yù)鴻錦在終端產(chǎn)品生態(tài)鏈平臺(tái)上,已經(jīng)具備儲(chǔ)能充電、電動(dòng)出行、激光顯示應(yīng)用等產(chǎn)品品牌。在現(xiàn)場(chǎng)簽約環(huán)節(jié),譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體與行業(yè)top的應(yīng)用型大學(xué)“東莞理工”國(guó)際微電子學(xué)院就共建人才培養(yǎng)和產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)平臺(tái)項(xiàng)目簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。同時(shí)也同“大族激光”旗下的“大族機(jī)器人”簽署了氮化鎵電機(jī)研發(fā)與應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)合作戰(zhàn)略協(xié)議。

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結(jié)語(yǔ)

GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦,已經(jīng)造就了國(guó)產(chǎn)氮化鎵行業(yè)的一份驚喜——不知不覺(jué),不可或缺。經(jīng)由GaN產(chǎn)業(yè)鏈加碼布局,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體已蓄崛起之勢(shì),有望成為國(guó)內(nèi)首屈一指的集研發(fā)、制造、封測(cè)及銷售為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體整合設(shè)備生產(chǎn)模式企業(yè),冀未來(lái)實(shí)現(xiàn)國(guó)有替代技術(shù)突圍。

譽(yù)鴻錦表示,他們希望憑借更好的器件良率和一致性,以更少更高的規(guī)格實(shí)現(xiàn)全場(chǎng)景需求和優(yōu)勢(shì)成本覆蓋,兼顧高性能和低成本的方式推動(dòng)氮化鎵器件全面普及,以實(shí)現(xiàn)譽(yù)鴻錦“用氮化鎵半導(dǎo)體改變每個(gè)人的生活”的產(chǎn)業(yè)理想。

掃堂亮招者,起于三寸方圓,以就萬(wàn)仞之深。期待默默投入,堅(jiān)持長(zhǎng)期主義的譽(yù)鴻錦亮出更多寶藏。

審核編輯 黃宇

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