欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-02 11:19 ? 次閱讀

近日,首個采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊在新型半導(dǎo)體二期生產(chǎn)線上順利下線,完成了自包裝、測試及應(yīng)用老化試驗。

這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝,使用銅鍵合技術(shù),高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上,工作溫度可達175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上,車輛行駛距離5 - 8%提高了。

據(jù)武漢開發(fā)區(qū)消息,東風(fēng)集團以“馬赫動力”新一代800v高壓平臺為基礎(chǔ)的z新半導(dǎo)體硅電石模塊工程將于2021年進行第一階段開發(fā),2022年12月正式確定為量產(chǎn)工程。智新半導(dǎo)體在成立4年時間里,已受理51項專利申請,其中發(fā)明專利40項,已批準(zhǔn)專利20項,其中發(fā)明專利11項。

在此之前的2019年6月,東風(fēng)公司與中國中車合作成立了智新半導(dǎo)體有限公司,開始自主開發(fā)生產(chǎn)車用igbt模塊。2021年7月將開始批量生產(chǎn)第6代igbt基礎(chǔ)生產(chǎn)線。半導(dǎo)體硅電石模塊二期工程將于2022年第三季度動工,2023年5月動工。當(dāng)時有消息稱,該項目計劃新建一條車輛段igbt模塊生產(chǎn)線,實現(xiàn)年產(chǎn)30萬輛汽車模塊的生產(chǎn)能力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2736

    瀏覽量

    47796
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1269

    文章

    3842

    瀏覽量

    250230
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2840

    瀏覽量

    49299
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?66次閱讀
    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對比

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)

    Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
    發(fā)表于 10-24 10:51 ?0次下載

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?743次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?906次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?620次閱讀

    碳化硅功率器件的原理簡述

    隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領(lǐng)域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨特的性能優(yōu)勢,逐漸成為業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、優(yōu)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:47 ?722次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的原理簡述

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?688次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?723次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?715次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)勢和分類

    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

    隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車載
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:26 ?465次閱讀
    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?935次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>功率</b>器件的開關(guān)性能比較

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?530次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料??芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
    發(fā)表于 03-08 08:37