納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊—納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布再度進(jìn)入三星進(jìn)供應(yīng)鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，氮化鎵正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車的市場份額。
Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×1080的Dynamic AMOLED 2X屏，刷新率為120Hz，屏幕峰值亮度高達(dá)1750尼特，同時(shí)配備了康寧大猩猩玻璃增加耐用性。性能方面則搭載了高通第二代驍龍8移動(dòng)平臺，8G運(yùn)存和512G存儲(chǔ)空間，使用更加流暢。后置最高達(dá)5000萬像素的3攝鏡頭，帶來更優(yōu)異的影像體驗(yàn)。
為支撐強(qiáng)大的性能，Galaxy S23配備一塊3900mAh的鋰離子電池，搭載GaNFast氮化鎵功率芯片的25W充電器（型號為EP-T2510）以及USB PD3.0接口，使其僅需30分鐘就能充滿50%的電量，并在待機(jī)模式下，只消耗5mW的電力。PD 3.0接口意味著這款新充電器可以為從Galaxy Buds2耳機(jī)到Galaxy Z Fold5，Galaxy Flip和Galaxy A23的一系列設(shè)備供電。
納微半導(dǎo)體的GaNFast氮化鎵功率芯片運(yùn)用在該充電器的150kHz高頻反激(HFQR)拓?fù)?/strong>結(jié)構(gòu)中，并憑借著領(lǐng)先的高頻性能，使得充電器體積縮小30%以上。此外，納微的器件具有領(lǐng)先的交付能力、可靠的質(zhì)量和極高可靠性，完美符合三星嚴(yán)格的資質(zhì)要求。
納微半導(dǎo)體
全球高級銷售副總裁
David Carroll
“作為移動(dòng)快充的行業(yè)先驅(qū)，納微半導(dǎo)體持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)著下一代快充市場，目前全球前十大移動(dòng)設(shè)備生產(chǎn)商都在生產(chǎn)我們的GaNFast充電器。
從25W到20MW，我們將不斷擴(kuò)大領(lǐng)先的氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品組合，全面覆蓋從移動(dòng)設(shè)備和消費(fèi)電子，到電動(dòng)汽車、太陽能及工業(yè)應(yīng)用的所有領(lǐng)域?！?/p>
關(guān)于納微半導(dǎo)體
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過185項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利，其中，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過1億顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1200萬顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。
審核編輯：劉清
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