JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管（FET），場效應(yīng)晶體管通過電場來控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率。應(yīng)用場景包括RF技術(shù)、電路開關(guān)、功率控制以及放大電路。在放大電路中主要用于放大弱信號，包括無線信號、模擬信號以及數(shù)字信號。兩者在工作原理上非常相似，但是它們的特性略有不同。

接下來讓我們詳細(xì)介紹一下這兩類元器件。

什么是JFET？

JFET是最簡單的場效應(yīng)晶體管，電流可以從源極流到漏極，或者從漏極流到源極。與雙極結(jié)型晶體管（BJT）不同，JFET使用施加到柵極端子的電壓來控制流過漏極和源極之間通過的電流，因此輸出電流與柵極輸入電壓成比例。當(dāng)柵極被施加一定的反偏電壓時，JFET的溝道會關(guān)斷。JFET可作為電子開關(guān)、電阻器、放大器來使用。它的輸入和輸出端之間被高度隔離，這使其比雙極結(jié)型晶體管更加穩(wěn)定。

JFET又包括N溝道JFET和P溝道JFET，對于N溝道JFET，其漏極和源極之間的載流子為電子，對應(yīng)的關(guān)斷電壓為負(fù)值，其具有比P溝道JFET更低的電阻。對于P溝道JFET，其溝道的載流子為空穴，對應(yīng)的關(guān)斷電壓為正值。它具有比N溝道同類產(chǎn)品更高的電阻值。

什么是MOSFET？

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。由一個絕緣的金屬氧化物薄膜和一個金屬電極組成，所施加的電壓決定了器件的電導(dǎo)率。柵極通過金屬氧化物薄層與源極和漏極通道之間的通道電絕緣。

MOSFET的主要優(yōu)點包括高輸入阻抗、低功耗、穩(wěn)定性好以及可以實現(xiàn)大功率放大等。因此，它在電子電路中得到廣泛應(yīng)用，例如作為開關(guān)、放大器，以及用于構(gòu)建數(shù)字邏輯門和存儲器等。

耗盡型MOSFET與JFET器件具有相同的Normally-On特性，這是耗盡型MOSFET可以在變送器的AD421供電與保護(hù)中替代JFET的基礎(chǔ)。

將兩種器件的電性特性進(jìn)行比較，耗盡型MOSFET的優(yōu)勢在于：

1耐壓更高。Si基JFET器件的耐壓一般在10V～50V，更高耐壓的JFET器件只能用SiC基實現(xiàn)（目前不普及），因此JFET在應(yīng)用上會受到很大的限制，而Si基耗盡型MOSFET的耐壓參數(shù)可以做到10V～1700V。在常見的220V市電和380V工業(yè)用電場景的Normally On應(yīng)用中，耐壓為 600V和1000V的系列產(chǎn)品有著廣泛的需求，而Si基JFET器件的耐壓無法滿足需求，耗盡型MOSFET成為了唯一的選擇。此外，高耐壓的耗盡型MOSFET對于瞬態(tài)浪涌干擾也有非常好的抑制作用。

2泄漏電流更小。通常JFET的柵極泄漏電流比耗盡型MOSFET的柵極泄漏電流高出3個數(shù)量級，此外，耗盡型MOSFET還具有極低的漏-源泄露電流，能有效降低靜態(tài)功耗，非常有利于降低整機(jī)功耗。此外，柵極漏電流對JFET的開關(guān)速度也有一定影響，柵極漏電流較大時，可能導(dǎo)致響應(yīng)時間和恢復(fù)時間增加，從而影響開關(guān)速度。因此，MOSFET自身漏電流更低，反應(yīng)速度更快，對浪涌或瞬態(tài)干擾的保護(hù)更靈敏有效。

3輸入阻抗更大。JFET的輸入阻抗遠(yuǎn)低于MOSFET輸入阻抗，因為MOSFET結(jié)構(gòu)中氧化物絕緣體（柵氧化物）的存在，使得耗盡型MOSFET在柵極端的阻抗更高。對于電壓驅(qū)動的FET器件，輸入阻抗越大，對電壓源的負(fù)載就越輕，因而就越容易驅(qū)動。

而JFET對比于耗盡型MOSFET的優(yōu)勢在于：

JFET相對于耗盡型MOSFET，更不容易受到ESD的損壞。原因是耗盡型MOSFET為絕緣柵結(jié)構(gòu)，其額外的金屬氧化物絕緣體會降低柵極的電容，對ESD更加敏感，容易被靜電擊穿。因此，耗盡型MOSFET在多數(shù)應(yīng)用中，ESD保護(hù)功能的設(shè)計會顯得尤為重要。

升級換代的首選器件

綜上所述，耗盡型MOSFET具備與JFET相似的電性特點，且在大多數(shù)方面性能更優(yōu)，是電路升級換代的首選器件！