我一直認(rèn)為，對于電子工程師來講，最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊，可能一開始讀起來會很吃力，但只要你能堅(jiān)持住，并且本著一種不懂就問，不會就查的態(tài)度，相信我，不需要多久你就能看到自己的進(jìn)步。

所以今天我就帶大家解讀一種非常常見，但又似懂非懂的器件——MOSFET，也就是我們常說的MOS管的器件手冊。

解讀對象

英飛凌的一款NMOS：lRLML6346TRPbF。

但有一點(diǎn)需要提前給大家說明，不同的生產(chǎn)廠商，針對同一器件的手冊是不一樣的，特別是一些不重要的參數(shù)，有的甚至都不會去提供，大家一定要注意觀察。

關(guān)鍵參數(shù)與外形

打開芯片手冊之后，首先映入你的眼簾的就是MOS的幾個關(guān)鍵參數(shù)和封裝外形圖。

這里的幾個參數(shù)都需要你的重點(diǎn)關(guān)注：VDS漏源電壓、VGS柵源電壓的最大值、RDS導(dǎo)通內(nèi)阻的最大值（在不同的電壓條件下）。這幾個參數(shù)后邊還會提到，稍后再說。

右邊是該器件的 內(nèi)部原理圖以及封裝型號SOT-23 。

關(guān)鍵參數(shù)最大值

再往下你就會看到 六個主要參數(shù)的最大值 ，意思就是說器件可以在這個值運(yùn)行，但絕不能超過這個值，否則器件將會被損壞。

VDS漏源電壓30V ，這就代表你加在漏極與柵極之間電壓的最大值不能超過30V；

ID漏極電流值 ，分別給出了兩個背板溫度下的漏極電流值，也就是漏極的通流能力，能流過的最大電流，而且漏極的最大通流能力，是隨著溫度的升高而降低的；

IDM脈沖峰值 ，對于功率MOS來講一般都有著很強(qiáng)的峰值通流能力，連接管腳和內(nèi)部芯片之間的接線決定了這個數(shù)值的大小；

PD最大耗散功率 ，給出了兩個溫度下的耗散功率，襯底的溫度越高，耗散功率越低；

下面這個 線性降額因子 ，表示每升高一度，耗散功率下降0.01W；

VGS柵源之間的電壓值 ，不能超過12V；

TJ與TSTG器件所能承受的殼溫和存儲溫度，超過這個溫度就會使MOS管的可靠性降低。

這幾個關(guān)鍵參數(shù)的極值是器件隨能承受的極限，絕對不能超過這些值，平時在選型設(shè)計(jì)的時候要保留相關(guān)的余量。

熱阻參數(shù)

再往下你會看到這樣一個表格，只有兩行，但卻十分的重要。

這是器件外殼到環(huán)境的熱阻參數(shù)。

當(dāng)然前提是不安裝散熱器，器件在流通空氣中運(yùn)行時，殼溫是如何升高的。

100的意思就是說，在流通空氣中，功率的耗散為1W，將會產(chǎn)生使殼溫高于外界空氣的環(huán)境溫度100攝氏度。

熱度參數(shù)當(dāng)然要配合圖片食用~

圖9是殼溫與漏極的電流的關(guān)系圖，隨著殼溫的升高，漏極的通流能力下降。

電氣特性

再往下，就是電氣特性了。

這個表里面參數(shù)很多，我們選幾個比較重要的參數(shù)了解一下。

VDSS漏源之間的耐壓值；

R DS(ON) 器件的導(dǎo)通內(nèi)阻；

這三個圖呢，分別是導(dǎo)通內(nèi)阻在不同條件下的變化：

• 左一說明導(dǎo)通內(nèi)阻是正溫度系數(shù)的，隨著溫度的升高，導(dǎo)通內(nèi)阻越大；
• 中間是在2.5V與4.5V驅(qū)動電壓下，導(dǎo)通內(nèi)阻隨漏極電流的變化，很顯然驅(qū)動電壓高的，導(dǎo)通內(nèi)阻比較??；
• 右一表示在不同的殼溫下，增大驅(qū)動電壓，導(dǎo)通內(nèi)阻的變化，殼溫越低導(dǎo)通內(nèi)阻越小。

V GS(th) 柵極門檻電壓，0.8V就是說柵極只有達(dá)到0.8V，漏源才會開始有電流流過；

這兩張圖呢是MOSFET的柵極特性在不同條件下的變化曲線，左一是在不同VDS的條件下，Vgs和Qg對應(yīng)的關(guān)系。

Qg，Qgs，Qgd，我們最關(guān)注的是Qg這個參數(shù)，他是柵極總的電荷，與驅(qū)動損耗的關(guān)系比較大；

t那幾個參數(shù)是開關(guān)上升與下降的時間，但這個值是在特定的條件下測得的，當(dāng)外界環(huán)境改變時，這些參數(shù)也會變化；

C是寄生電容這幾個參數(shù)，我們最長關(guān)注的是Coss輸出電容，特別是在LLC諧振電源中，這個參數(shù)非常的重要。

體二極管

Is電流是體二極管可以連續(xù)導(dǎo)通的電流，最大值1.3A；

Ism是流過提二極管的脈沖電流，最大是17A；

Vsd體二極管的正向壓降，最大1.2V；

trr與Qrr分別是反向恢復(fù)時間和反向恢復(fù)電荷；

左一是流過Isd電流越大，Vsd也就越大。

右一是體二極管反向恢復(fù)的示意圖。

到這里一些常見的性能參數(shù)就解讀完畢了，這篇文章只是簡單的讓大家知道MOSFET有哪些特性參數(shù)，以及對這些參數(shù)有一個簡單認(rèn)識，具體的更深層次的并沒有講明。

器件手冊與芯片的數(shù)據(jù)手冊還有點(diǎn)不同，并沒有涉及電路設(shè)計(jì)的部分，下次給大家分析一個降壓芯片的手冊，重點(diǎn)放在外圍電路的搭建。