光半導(dǎo)體的類型
光半導(dǎo)體的類型如下:
(1)發(fā)光器件???可見光LED、紅外LED、紫外LED、激光二極管
(2)受光器件???光傳感器、太陽能電池、CMOS傳感器
(3)復(fù)合器件(發(fā)光元件與受光元件的組合)???光耦、光纖耦合器
LED的發(fā)光原理
發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光原理是向化合物半導(dǎo)體的pn結(jié)施加正向電流。
當(dāng)正向電流通過發(fā)光二極管時,載流子(電子和空穴)移動。p型區(qū)的空穴向n型區(qū)移動,n型區(qū)的電子向p型區(qū)移動。注入的載流子重組,重組前后的能量差將以光的形式釋放出來。發(fā)射光取決于化合物半導(dǎo)體的能隙(Eg)。
(備注:傳統(tǒng)的硅二極管不發(fā)光,因?yàn)橹亟M能量變成了熱能。)
LED的波長范圍
LED發(fā)射不同波長的紫外光乃至紅外光。發(fā)射波長將通過下面采用化合物半導(dǎo)體材料能隙(Eg)的等式進(jìn)行表示。
λ(nm)=1240/Eg(eV)
具有較大能隙的材料發(fā)射較短的波長,具有較小能隙的材料發(fā)射較長的波長。
對于應(yīng)用于電視遙控器等的紅外LED,使用GaAs(砷化鎵)材料;對于紅色/綠色指示器LED,使用GaP(磷化鎵)或InGaAlP(磷化鋁鎵銦);對于藍(lán)色LED,使用InGaN(氮化銦鎵)或GaN(氮化鎵)。
不同材料LED的發(fā)光顏色(按材料)
什么是光耦?
光 耦是將發(fā)光二極管(LED)和光電探測器集成于一個封裝中的器件。與其它光學(xué)器件不同,光不會發(fā)射至封裝外。其外觀類似于非隔離器/固態(tài)繼電器。雖然光耦是一種光學(xué)器件,但它不處理光,而是處理電信號。
光耦的操作示例:
(1)LED接通(0?1)。
(2)LED光進(jìn)入光電晶體管。
(3)光電晶體管接通。
(4)輸出電壓改變0?1。
(1)LED關(guān)斷(1?0)。
(2)LED光停止進(jìn)入光電晶體管。
(3)光電晶體管關(guān)斷。
(4)輸出電壓改變1?0。
為什么需要光耦?
在光耦中,原邊(LED側(cè))和副邊(受光器件側(cè))是電絕緣的。因此,即使原邊和副邊的電位(甚至GND電位)不同,也可以將原邊電信號傳輸?shù)礁边叀?/p>
如右圖所示的逆變器應(yīng)用中,控制單元(如微控制器)通常在低直流電壓下工作。另一方面,IPM和IGBT將驅(qū)動高電壓負(fù)載(比如需要200V交流電)。高壓系統(tǒng)部件可通過耦合器直接由微控制器控制。
光耦的類型
LED用于光耦的輸入。另一方面,有各種器件可用于輸出。
晶體管輸出
光電晶體管是一種探測器。也可使用達(dá)林頓類型。
IC輸出
我們有光電二極管作為受光器件的產(chǎn)品、邏輯等輸出產(chǎn)品、用于IGBT和MOSFET柵極驅(qū)動的大電流輸出產(chǎn)品、以及隔離放大器等高功能產(chǎn)品。
光電晶閘管或光電可控硅用于輸出。它們主要用于交流線路的控制。
光繼電器(MOSFET輸出)
光伏陣列(光電二極管陣列)驅(qū)動MOSFET的柵極來打開/關(guān)閉輸出。通過這種操作,它可以用作MOSFET輸出的繼電器開關(guān)。
光耦的類型(封裝)
光耦必須具有符合安全標(biāo)準(zhǔn)的封裝形狀和介電強(qiáng)度。根據(jù)安全標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計時,需要檢查以下各項(xiàng)。
絕緣爬電距離
兩個導(dǎo)體之間沿絕緣體表面的最短距離(原邊和副邊)。
間隙
通過空氣測量的兩個導(dǎo)體之間的最短距離。
絕緣厚度
兩個導(dǎo)體之間絕緣體的最小距離。
隔離電壓
兩個導(dǎo)體之間的隔離電壓 *
根據(jù)UL規(guī)定,即使施加1分鐘也不會破壞絕緣的交流電壓。
光耦的類型(內(nèi)部結(jié)構(gòu))
由于要求的絕緣性能、封裝尺寸和內(nèi)部芯片尺寸等限制,光耦具有不同類型的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)。
單模透射型:
框架式LED和框架式光電探測器采用面對面的模壓封裝。LED與光電探測器之間的透光部件采用硅樹脂材料。
帶膜的單模透射型:
為了提高隔離電壓,可在LED和光電探測器之間插入聚酰亞胺薄膜。
雙模透射型:
在這種透射結(jié)構(gòu)中,內(nèi)模為白色,外模為黑色。紅外線透光率高的樹脂用于透光部件的白色模具。
反射型:
框架式LED和框架式光電探測器位于同一平面。LED光在硅樹脂中反射并到達(dá)光電探測器。因此,它被稱為反射型。
光耦的安全標(biāo)準(zhǔn)
將光耦安裝在電氣設(shè)備中以保護(hù)人體免于觸電時,光耦可能需要遵守不同安全標(biāo)準(zhǔn)方面的規(guī)定。
現(xiàn)行有各種確保安全的法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)。
從設(shè)計和制造的角度來看,安全標(biāo)準(zhǔn)可分為“設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)”和“零件標(biāo)準(zhǔn)”。
設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)是設(shè)計和制造電視機(jī)、錄像機(jī)和電源裝置等設(shè)備的基礎(chǔ)?!罢麢C(jī)標(biāo)準(zhǔn)”根據(jù)設(shè)備類型、隔離方法及其等級、驅(qū)動電壓等不同而異。
此外,絕緣部分必須保持的項(xiàng)目(介電強(qiáng)度(絕緣電壓)、爬電距離、間隙等)被指定為“零件標(biāo)準(zhǔn)”。
主要安全標(biāo)準(zhǔn)
零件標(biāo)準(zhǔn)
UL1577(cUL)
隔離電壓標(biāo)準(zhǔn)(1分鐘)
批準(zhǔn)組織:UL(美國保險商實(shí)驗(yàn)室公司)
EN60747-5-5
最大工作隔離電壓和最大過壓標(biāo)準(zhǔn)
批準(zhǔn)組織:VDE(德國電氣工程師協(xié)會)
批準(zhǔn)組織:TUV(技術(shù)監(jiān)督協(xié)會)
整機(jī)標(biāo)準(zhǔn)
(批準(zhǔn)組織:BSI(UK)SEMKO(瑞典)等)
EN60950
電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(工作站、PC機(jī)、打印機(jī)、傳真電阻器、調(diào)制解調(diào)器等)標(biāo)準(zhǔn)
EN60065
家用電器設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)(電視、收音機(jī)、錄像機(jī)等)
光耦的特性(電流傳輸比:CTR)
晶體管耦合器的電流傳輸比:它是用輸出電流相對于輸入電流的放大率來表示的,比如晶體管hFE。
電流傳輸比=CTR=IC/IE=輸出(集電極)電流/輸入電流×100(%)
例如:
當(dāng)輸出是IF=5mA時,得到IC=10mA。
CTR=IC /IF=10mA/5mA×100(%)=200%
光耦的主要特性(觸發(fā)LED電流)
觸發(fā)LED電流”是指“觸發(fā)狀態(tài)發(fā)生變化的LED電流”。
IFT, IFH, IFLH, IFLH等用作符號。
規(guī)格書中顯示的觸發(fā)LED電流表示了產(chǎn)品保證的電流值。為了穩(wěn)定運(yùn)行,設(shè)計人員在設(shè)計時必須保證至少有觸發(fā)LED電流(最大值)流動。
輸入LED電流IF從0mA逐漸增大,如果輸出在1mA時切換到導(dǎo)通狀態(tài),則IFT=1mA。
在下面的規(guī)格書中,將輸出切換到導(dǎo)通狀態(tài)所需的IF
最大值為3mA。
觸發(fā)LED電流是電路設(shè)計和使用壽命設(shè)計的重要項(xiàng)目。
光耦的老化變化數(shù)據(jù)
光耦的老化變化數(shù)據(jù)
發(fā)光元件(LED)的光輸出會隨時間的推移而減弱。在光耦中,LED光輸出的老化變化比受光器件的老化變化更為明顯。因此,設(shè)計人員需要利用所采用的光耦的老化變化數(shù)據(jù)來估計發(fā)光等級的降低趨勢。設(shè)計人員將根據(jù)使用設(shè)備的使用環(huán)境和LED的總工作時間來計算LED的光輸出變化。必須將該值反映在LED正向電流(IF)的初始值中。
*例如,當(dāng)占空比(發(fā)光持續(xù)時間)為50%,工作時間為1000小時,則計算總運(yùn)行時間為500小時。
左圖顯示了LED光輸出老化變化數(shù)據(jù)。
右圖顯示了LED光輸出低于某一標(biāo)準(zhǔn)時的運(yùn)行時間。
例如,左圖中的A點(diǎn)和右圖中的B點(diǎn)顯示了相同條件下的老化變化。(IF=50mA,Ta=40℃,8000小時)
如何使用光耦
這些問題將在下一頁通過以下步驟進(jìn)行解釋。
第1步:設(shè)計LED輸入電流IF及輸入側(cè)電阻RIN
第2步:根據(jù)IF和CTR計算輸出電流
第3步:設(shè)計輸出側(cè)電阻RL
第4步:檢查每個設(shè)計常數(shù)
如何使用光耦“輸入電流”
第1步:設(shè)計LED輸入電流和輸入電阻RIN。
光耦的輸入電流(IF)是多少?
它將由(1)輸入電源電壓(5V),(2)限流電阻(RIN)和(3)LED正向電壓(VF)決定。
根據(jù)規(guī)格示例,確定限流電阻和輸入電流(IF)。
RIN=(VCC-VF)/IF=(5V-1.3V)/10mA=370Ω
如何使用光耦“輸出電流”
第2步:根據(jù)IF和CTR計算光電晶體管的輸出電流。
光耦的輸出電流(IC)值是多少?
根據(jù)電流傳輸比(IC/IF)計算輸入電流(IF)=10mA時輸出電流(IC)的變化。從IC-IF曲線可以看出IC=10mA(@IF=5mA,VCE=5V,Ta=25℃)。所以這個樣本的CTR是200%, 這與當(dāng)BL最小時的值相同(200%到600%)。還可以看到IC=20 mA(@IF=10 mA、VCE=5V、Ta=25℃)。
接下來,我們用這里得到的IC值來推導(dǎo)RL。在這項(xiàng)計算中,設(shè)計RL的值,使得VCE即使在IC值最小時也成為飽和電壓。
如何使用光耦“輸出側(cè)電阻器”
第3步:設(shè)計輸出側(cè)電阻RL
根據(jù)輸出晶體管的IC-VCE特性確定RL。為了用于信號傳輸,必須完全滿足連接到負(fù)載側(cè)的器件的“L”電平。
這里,我們設(shè)置VCE=0.3V作為目標(biāo)值。
當(dāng)RL=1kΩ時,IF=10mA,VCE=0.9V,這無法滿足目標(biāo)值。當(dāng)RL=2kΩ時,VCE=0.2V左右,這可以滿足目標(biāo)值。因此,選擇RL=2kΩ。在實(shí)際設(shè)計中,還必須考慮負(fù)載側(cè)的阻抗。
如何使用光耦檢查
第4步:檢查每個設(shè)計常數(shù)
考慮工作溫度、速度、使用壽命設(shè)計、電阻公差等是否具有足夠的裕度。
溫度范圍 ? VF,CTR,允許電流等。
負(fù)載電阻 ? 開關(guān)速度,暗電流的影響等。
確認(rèn)器件使用壽命
光耦的輸入LED光輸出會隨著時間的推移而減弱。
必須確認(rèn)特性滿足要求,同時必須考慮器件在使用壽命目標(biāo)期間的退化趨勢。
光耦的老化變化可以根據(jù)輸入電流(IF)和環(huán)境溫度來計算。
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:你真的懂光耦嗎?
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