欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

內(nèi)匹配寬帶氮化鎵芯片系列介紹

射頻器件國(guó)產(chǎn)化圈 ? 來(lái)源:射頻器件國(guó)產(chǎn)化圈 ? 2023-11-16 10:36 ? 次閱讀

2-6GHZ 100W

d9c1a424-82d3-11ee-939d-92fbcf53809c.png

4-6GHZ 120W

d9ddf610-82d3-11ee-939d-92fbcf53809c.png

6-7 GHZ 100W

d9f57326-82d3-11ee-939d-92fbcf53809c.png

4-8 GHZ 100W

da0a99fe-82d3-11ee-939d-92fbcf53809c.png

編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    456

    文章

    51243

    瀏覽量

    427508
  • 功率管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    83

    瀏覽量

    22063
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1650

    瀏覽量

    116643
  • 脈沖波
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    20

    瀏覽量

    4684

原文標(biāo)題:內(nèi)匹配寬帶氮化鎵芯片

文章出處:【微信號(hào):射頻器件國(guó)產(chǎn)化圈,微信公眾號(hào):射頻器件國(guó)產(chǎn)化圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    深圳銀聯(lián)寶科技氮化芯片2025年持續(xù)發(fā)力

    深圳銀聯(lián)寶科技氮化芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無(wú)線通信領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 02-07 15:40 ?89次閱讀
    深圳銀聯(lián)寶科技<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>芯片</b>2025年持續(xù)發(fā)力

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化(GaN)被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化
    發(fā)表于 01-15 16:41

    氮化電源芯片和同步整流芯片介紹

    電能的高效轉(zhuǎn)換。同步整流芯片的加入則有效地解決了能量損耗問(wèn)題。今天介紹的是35W氮化電源芯片搭配同步整流方案:U8722DE+U7116!
    的頭像 發(fā)表于 01-15 16:08 ?225次閱讀

    氮化芯片U872XAHS系列的主要特性

    帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V,內(nèi)阻1.0--1.2R。封裝類(lèi)型ASOP-7-T4。
    的頭像 發(fā)表于 01-06 15:52 ?216次閱讀

    45W氮化電源IC U8722EE的簡(jiǎn)單介紹

    推出氮化電源IC U8722X系列以來(lái),用量急速上升,市場(chǎng)需求旺盛。今天特地給小伙伴們介紹在U8722X系列中功率最大,推薦輸出功率45W
    的頭像 發(fā)表于 01-02 09:27 ?190次閱讀

    25W氮化電源芯片U8722BAS的主要特征

    在消費(fèi)類(lèi)快充電源市場(chǎng)中,氮化有著廣泛的應(yīng)用,如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化快充產(chǎn)品線,推出的氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-24 16:06 ?419次閱讀

    碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

    SiC和GaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?842次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導(dǎo)熱絕緣片

    40W雙C口氮化快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售!

    誠(chéng)芯微多款合封氮化方案齊上陣,涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化芯片可輕松取代初級(jí)側(cè)兩到三顆
    的頭像 發(fā)表于 09-10 16:35 ?510次閱讀
    40W雙C口<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充方案助力Iphone16<b class='flag-5'>系列</b>順利發(fā)售!

    氮化和砷化哪個(gè)先進(jìn)

    氮化(GaN)和砷化(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問(wèn)題,因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?3253次閱讀

    芯干線科技CEO說(shuō)氮化

    氮化是一種由氮和結(jié)合而來(lái)的化合物,其中氮在元素周期表排序第7位,排序第31位,7月31日世界氮化
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:03 ?712次閱讀

    恒功率U872XAH系列氮化快充芯片

    恒功率U872XAH系列氮化快充芯片YINLIANBAOU872XAH1恒功率U872XAH系列氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-26 08:11 ?505次閱讀
    恒功率U872XAH<b class='flag-5'>系列</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充<b class='flag-5'>芯片</b>

    氮化(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

    本文要點(diǎn)氮化是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:13 ?1047次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

    納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化快充

    加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布其GaNFast氮化
    的頭像 發(fā)表于 06-21 14:45 ?1621次閱讀

    AI的盡頭或是氮化?2024年多家廠商氮化產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進(jìn)市場(chǎng)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)氮化是最新的第三代半導(dǎo)體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開(kāi)啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。經(jīng)過(guò)五六年的培育,氮化的應(yīng)用領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:06 ?3204次閱讀
    AI的盡頭或是<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>?2024年多家廠商<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進(jìn)市場(chǎng)

    德州儀器將提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的氮化芯片

    德州儀器正在將其多個(gè)工廠的氮化(GaN)芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會(huì)津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備,這將使其能夠提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的
    的頭像 發(fā)表于 03-20 09:11 ?722次閱讀
    德州儀器將提供更具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>芯片</b>