(1)SJ-MOS在N層具有柱狀P層(P柱層)。P層和N層交替排列。(參見圖3-9(b))

(2)通過施加VDS，耗盡層在N層中擴(kuò)展，但其在SJ-MOS中的擴(kuò)展方式與在一般D-MOS中不同。(關(guān)于電場強(qiáng)度，參見圖3-9(a)/(b)。電場強(qiáng)度將表示耗盡層的狀態(tài)。

(3)如果是D-MOS的情況，電場強(qiáng)度在P/N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場強(qiáng)度超過硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強(qiáng)度在N層中是均勻的。

(4)所以，SJ-MOS可采用具有較低電阻的N層設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。

采用與DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。

圖3-9(a)D-MOS(π-MOS)的結(jié)構(gòu)和電場

圖3-9(b)SJ-MOS(DTMOS)的結(jié)構(gòu)和電場

文章來源：東芝半導(dǎo)體

審核編輯：湯梓紅