Perface

最近部門來了一個日本回來的同事，雖然他盡量用非常Poor的中文給我解釋一些東西，其中還夾雜著一些英文讓我很受挫，于是最近來學(xué)一下WAT中的常用的單詞含義。

直接去查縮寫、查單詞很難去記住，要把具體的東西放在具體的場景，引發(fā)知識的連接才會在腦子里留下一定的映像。

感興趣的一起來學(xué)習(xí)一下這篇不錯的文章吧。

注釋是我查詢記錄，如有不妥，歡迎指出修正。

正文

CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本?？梢愿苯拥闹繵afer 的良率。

FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率。

現(xiàn)在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了，減少成本。

CP對整片Wafer的每個Die來測試，而FT則對封裝好的Chip來測試。 CP Pass 才會去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定；

CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數(shù)的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機(jī)臺的電壓和功率不會很高；

FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個（CP passed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測試，有些甚至是待機(jī)測試；

Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual CP 測試對Memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

Pass FP：這里的"Pass FP"可能指的是通過Failure Analysis（故障分析）的過程。在這個過程中，對可能存在的故障或問題進(jìn)行檢測和識別，并對其進(jìn)行修復(fù)和改進(jìn)。

process qual：過程質(zhì)量保證(process qual)是指通過嚴(yán)格控制生產(chǎn)或服務(wù)過程的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，以確保產(chǎn)品或服務(wù)的質(zhì)量達(dá)到預(yù)期水平。

product qual：產(chǎn)品品質(zhì)保證(product qual)是一種質(zhì)量控制方法，以確保產(chǎn)品或服務(wù)的質(zhì)量符合客戶的需求和期望。

CP 測試：這里的"CP"可能指的是Copy Protection（復(fù)制保護(hù)）。這是一種保護(hù)數(shù)字內(nèi)容免遭未經(jīng)授權(quán)的復(fù)制、分發(fā)或展示的技術(shù)。這種測試的目的是為了確保復(fù)制保護(hù)機(jī)制的有效性和安全性。

MRA：MRA可能指的是Memory Read Access（內(nèi)存讀取訪問）。這通常涉及到在計算機(jī)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的過程。

chip level：在電子工程中，"chip level"通常指的是在芯片級別進(jìn)行操作或分析。這可能涉及到對集成電路（Integrated Circuit）或其他微型電子設(shè)備進(jìn)行測試、修復(fù)或改進(jìn)。

Rerepair address：這可能指的是在內(nèi)存中用于修復(fù)或替換數(shù)據(jù)的地址。這通常涉及到數(shù)據(jù)存儲和訪問的過程。

Laser Repair：激光修復(fù)是一種用于修復(fù)或替換半導(dǎo)體芯片中損壞部分的工藝。這種技術(shù)使用激光束來消除損壞的電路元件，并替換為新的、健康的元件。

yield：這里指的是生產(chǎn)率或產(chǎn)量。這是衡量生產(chǎn)效率或生產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量的指標(biāo)。

reliability：可靠性是指產(chǎn)品或服務(wù)在特定條件下、在一定時間內(nèi)完成特定功能的能力。這里的"reliability"指的是產(chǎn)品或服務(wù)的可靠性水平。

?CP是對wafer進(jìn)行測試，檢查fab廠制造的工藝水平?FT是對package進(jìn)行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平

對于測試項來說，有些測試項在CP時會進(jìn)行測試，在FT時就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時間；

但是有些測試項必須在FT時才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計公司會有不同的要求）

一般來說，

?CP測試的項目比較多，比較全；?FT測的項目比較少，但都是關(guān)鍵項目，條件嚴(yán)格。

但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。

FT相對來說簡單一點。

還有一點，memory測試的CP會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。

CP在整個制程中算是半成品測試，目的有2個，

?1是監(jiān)控前道工藝良率，?2是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），

其能夠測試的項比FT要少些。

最簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項只能在封裝后的FT測。

不過許多項CP測試后FT的時候就可以免掉不測了（可以提高效率），所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多。

應(yīng)該說WAT的測試項和CP/FT是不同的。

CP不是制造（FAB）測的！ 而CP的項目是從屬于FT的（也就是說CP測的只會比FT少），項目完全一樣的；不同的是卡的SPEC而已；

因為封裝都會導(dǎo)致參數(shù)漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以確保最終成品FT良率。

還有相當(dāng)多的DH把wafer做成幾個系列通用的die，在CP是通過trimming來定向確定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節(jié)省光刻版的最佳方案；

所以除非你公司的wafer封裝成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才會盲封的。

這里的“DH”指的是“Design House”，即設(shè)計公司。這些公司通常為電子設(shè)備制造商提供芯片設(shè)計和芯片組解決方案。它們可能會將wafer（晶圓）做成幾個系列通用的die（芯片），以提供給不同的客戶使用。

“WAT”可能是指“Wafer Acceptance Test”，即晶圓接受測試。這是在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的一種測試，用于確保晶圓的質(zhì)量和可靠性。

“device”在這里指的是通過WAT測試后的芯片設(shè)備，即將wafer封裝成一個個獨立的芯片。

“盲封”在這里可能指的是在不知道芯片具體功能或規(guī)格的情況下進(jìn)行封裝。通常情況下，為了確保封裝的質(zhì)量和可靠性，需要進(jìn)行嚴(yán)格的測試和驗證。如果公司的晶圓封裝成芯片的過程是唯一的，且WAT良率在99%左右，那么就可以進(jìn)行盲封，即在不了解芯片具體功能或規(guī)格的情況下進(jìn)行封裝。

據(jù)我所知盲封的DH很少很少，風(fēng)險實在太大，不容易受控。

?WAT：wafer level 的管芯或結(jié)構(gòu)測試?CP：wafer level 的電路測試含功能?FT：device level 的電路測試含功能CP=chip probingFT=Final Test

CP 一般是在測試晶圓，封裝之前看，封裝后都要FT的。不過bump wafer是在裝上錫球，probing后就沒有FT

FT是在封裝之后，也叫“終測”。意思是說測試完這道就直接賣去做application。

?CP用prober，probe card。FT是handler，socket CP比較常見的是room temperature=25度，F(xiàn)T可能一般就是75或90度 CP沒有QA buy-off（質(zhì)量認(rèn)證、驗收）

CP兩方面

?1.監(jiān)控工藝，所以呢，覺得probe實際屬于FAB范疇?1.控制成本。Financial fate。我們知道FT封裝和測試成本是芯片成本中比較大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修復(fù)，最有利于控制成本

?FT: 終測通常是測試項最多的測試了，有些客戶還要求3溫測試，成本也最大。 至于測試項呢，?1.如果測試時間很長，CP和FT又都可以測，像trim項，加在probe能顯著降低時間成本，當(dāng)然也要看客戶要求。?1.關(guān)于大電流測試呢，F(xiàn)T多些，但是我在probe也測過十幾安培的功率mosfet，一個PAD上十多個needle。?1.有些PAD會封裝到device內(nèi)部，在FT是看不到的，所以有些測試項只能在CP直接測，像功率管的GATE端漏電流測試Igss CP測試主要是挑壞die，修補die，然后保證die在基本的spec內(nèi)，function well。 FT測試主要是package完成后，保證die在嚴(yán)格的spec內(nèi)能夠function。

關(guān)于3溫測試：這是一種特殊的測試方法，它要求在三個不同的溫度下對產(chǎn)品進(jìn)行測試，通常是常溫（25℃左右）、高溫（如60℃或70℃）和低溫（如-20℃或-40℃）。這種測試的目的是為了檢查產(chǎn)品在不同溫度下的性能和可靠性，以確保產(chǎn)品能在不同環(huán)境下正常工作。

關(guān)于Trim項：Trim在這里可能指的是微調(diào)或者校準(zhǔn)的意思。在電子產(chǎn)品測試中，Trim測試通常指的是對一些可以調(diào)整的參數(shù)進(jìn)行微調(diào)或校準(zhǔn)，以確保產(chǎn)品的性能達(dá)到最佳。例如，在測試一個頻率調(diào)整的振蕩器時，Trim測試可能包括在不同的頻率設(shè)置下測試振蕩器的性能，以找到最佳的工作頻率。

關(guān)于加在probe能顯著降低時間成本：這可能指的是在測試過程中使用一些特定的測試工具或設(shè)備（probe），這些工具或設(shè)備可以更快地完成某些測試，從而顯著降低測試所需的時間和成本。例如，使用自動化測試設(shè)備進(jìn)行功能測試，可以比手動測試更快、更準(zhǔn)確地完成測試，從而降低測試時間和成本。

關(guān)于客戶要求：客戶要求通常是指在產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)過程中，客戶對產(chǎn)品的性能、功能、質(zhì)量、可靠性等方面的要求。這些要求可能會影響測試的策略和方法，例如客戶可能要求進(jìn)行更嚴(yán)格的測試以保證產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

?CP的難點在于，如何在最短的時間內(nèi)挑出壞die，修補die。?FT的難點在于，如何在最短的時間內(nèi)，保證出廠的Unit能夠完成全部的Function。

小結(jié)

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由

?晶圓制造，?晶圓測試，?芯片封裝?封裝后測試組成，

而測試環(huán)節(jié)主要集中在

?WAT，?CP?FT

三個環(huán)節(jié)。

圖1 集成電路設(shè)計、制造、封裝流程示意圖

WAT

WAT（Wafer Acceptance Test）測試，也叫PCM（Process Control Monitoring），對Wafer 劃片槽（Scribe Line）測試鍵（Test Key）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定.

例如CMOS的電容，電阻， Contact，Metal Line 等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用Probe Card扎在Test Key的Metal Pad上，Probe Card另一端接在WAT測試機(jī)臺上，由WAT Recipe自動控制測試位置和內(nèi)容，測完某條Test Key后，Probe Card會自動移到下一條Test Key，直到整片Wafer測試完成。

WAT測試有問題，超過SPEC，一般對應(yīng)Fab各個Module制程工藝或者機(jī)臺Shift，例如Litho OVL異常，ETCH CD 偏小，PVD TK偏大等等。WAT有嚴(yán)重問題的Wafer會直接報廢。

WAT測試：這是對半導(dǎo)體晶圓（Wafer）的接受測試，用于監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。它也被稱為PCM（Process Control Monitoring），是一種通過電性參數(shù)來檢驗半導(dǎo)體制造過程中工藝控制的方法。

劃片槽（Scribe Line）和測試鍵（Test Key）：這是在半導(dǎo)體制造過程中用于WAT測試的兩個關(guān)鍵元素。劃片槽是沿著晶圓邊緣的窄條，用于后續(xù)的切割（dicing）過程。測試鍵則是設(shè)在劃片槽內(nèi)或者邊緣的特定區(qū)域，用于WAT測試。 電性參數(shù)：這些參數(shù)包括電容、電阻、接觸以及金屬線路等，這些都是在制造過程中需要監(jiān)控的重要指標(biāo)。它們反映了半導(dǎo)體器件的電氣特性，如電流傳導(dǎo)能力、電壓承受能力等。

Probe Card：這是一種測試工具，用于連接WAT測試機(jī)臺和測試鍵。它的一端與測試鍵的金屬pad接觸，另一端連接到WAT測試機(jī)臺。

WAT Recipe：這應(yīng)該是某種自動控制測試位置和內(nèi)容的軟件或者程序，它可以根據(jù)預(yù)先設(shè)定的參數(shù)來指導(dǎo)Probe Card進(jìn)行準(zhǔn)確的測試。

SPEC：這應(yīng)該是特定于WAT測試的規(guī)格或者標(biāo)準(zhǔn)，超出這個規(guī)格或者標(biāo)準(zhǔn)可能意味著半導(dǎo)體制造過程中的某些工藝或者機(jī)臺存在問題。

Module制程工藝或者機(jī)臺Shift：這是指在半導(dǎo)體制造過程中，如光刻（Litho）、蝕刻（Etch）、薄膜沉積（PVD）等工藝模塊出現(xiàn)問題，或者是機(jī)臺的運行狀態(tài)發(fā)生變化。

Litho OVL異常、ETCH CD 偏小、PVD TK偏大：這些都是對半導(dǎo)體制造過程中可能出現(xiàn)的問題的描述。其中Litho OVL異?？赡苤傅氖枪饪踢^程中的光學(xué)臨近效應(yīng)（Optical Proximity Effect）異常；ETCH CD 偏小可能指的是蝕刻后線條寬度小于預(yù)期；PVD TK偏大可能指的是薄膜沉積過程中的厚度偏差。

報廢：如果WAT測試出現(xiàn)嚴(yán)重問題，比如大量電性參數(shù)超出規(guī)格，或者連續(xù)出現(xiàn)工藝問題，那么整片半導(dǎo)體晶圓會被判定為不合格，進(jìn)行報廢處理。

IC測試鍵（Test Key）是指用于測試半導(dǎo)體芯片上電路性能和可靠性的特定鍵。這些鍵通常在芯片制造過程中設(shè)置，用于在生產(chǎn)線上進(jìn)行自動化測試。測試鍵的設(shè)計和位置取決于芯片的類型和功能。

通過使用測試鍵，可以測試芯片的電性能、功能和可靠性。測試鍵通常會連接到芯片上的電路，以便在測試期間測量電流、電壓和其他電氣參數(shù)。此外，測試鍵還可以用于驗證芯片的功能，例如通過施加特定的輸入信號并檢查輸出信號來測試芯片的邏輯功能。

測試鍵對于確保芯片的質(zhì)量和可靠性非常重要。通過使用測試鍵，可以檢測到制造過程中的缺陷和問題，并及時采取措施進(jìn)行修復(fù)和改進(jìn)。因此，測試鍵是確保半導(dǎo)體芯片質(zhì)量和性能的重要工具之一。

CP

CP（Circuit Probing）也叫“Wafer Probe”或者“Die Sort”，是對整片Wafer的每個Die的基本器件參數(shù)進(jìn)行測試，例如Vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，把壞的Die挑出來，會用墨點（Ink）標(biāo)記，可以減少封裝和測試的成本，CP pass才會封裝，一般測試機(jī)臺的電壓和功率不高，CP是對Wafer的Die進(jìn)行測試，檢查Fab廠制造的工藝水平。

CP測試程序和測試方法優(yōu)化是Test Engineer努力的方向，下面介紹幾種降低CP測試成本的方法。

?1.同一個Probe Card可以同時測多個Die，如何排列可以減少測試時間？假設(shè)Probe Card可以同時測6個Die，那么是2×3排列還是3×2，或者1×6，都會對扎針次數(shù)產(chǎn)生影響，不同的走針方向，也會產(chǎn)生Test時間問題。?2.隨著晶圓尺寸越來越大，晶圓上的Die越來越多，很多公司CP Test會采用抽樣檢查（Sampling Test）的方式來減少測試時間，至于如何抽樣，涉及不同的Test Recipe，一些大數(shù)據(jù)實時監(jiān)控軟件可以在測試的同時按照一定算法控制走針方向，例如抽測到一個Die失效后，Probe Card會自動圍繞這個Die周圍一圈測試，直到測試沒有問題，再進(jìn)行下一個Die的抽測，這種方法可以明顯縮短測試時間。

FT

FT（final test）是對封裝好的Chip進(jìn)行Device應(yīng)用方面的測試，把壞的chip挑出來，F(xiàn)T pass后還會進(jìn)行process qual和product qual，F(xiàn)T是對package進(jìn)行測試，檢查封裝造廠的工藝水平。

FT的良率一般都不錯，但由于FT測試比CP包含更多的項目，也會遇到Low Yield問題，而且這種情況比較復(fù)雜，一般很難找到root cause。

廣義上的FT也稱為ATE（Automatic Test Equipment），一般情況下，ATE通過后可以出貨給客戶，但對于要求比較高的公司或產(chǎn)品，F(xiàn)T測試通過之后，還有SLT（System Level Test）測試，也稱為Bench Test。

SLT

SLT測試比ATE測試更嚴(yán)格，一般是功能測試，測試具體模塊的功能是否正常。成都中冷低溫的ThermoStream TS-780高低溫沖擊氣流儀以速度、精度和可靠性作為基本設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，提供了非常先進(jìn)的溫度測試能力。

溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約10秒，并有更廣泛的溫度范圍-80℃到+225℃; 經(jīng)長期的多工況驗證，滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

TS-780應(yīng)用于提供老化測試、特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗，用于芯片、微電子器件、集成電路 （SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP 等） 、閃存 Flash、UFS、eMMC 、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、傳感器、小型模塊組件等電子元器件/模塊冷熱測試。

?WAT是在晶圓制造過程中進(jìn)行的測試，通過對Die與Die之間Scribe Line Test Key電學(xué)性能的測試，來監(jiān)控Fab制程的穩(wěn)定性；?CP測試是制造完成后，封測之前進(jìn)行的電學(xué)測試，把壞的Die標(biāo)記出來，減少封裝的成本；?FT是Die切割，打磨，封裝后進(jìn)行器件功能性的測試，可以評價封測廠的封裝水平，只有所有的測試都通過后，才可以應(yīng)用到產(chǎn)品上。

附錄一芯片量產(chǎn)測試常用“黑話”

1、TO

Tape Out，流片，指提交最終GDSII文件給到Foundry進(jìn)行fab加工。

2、MPW

Multi Project Wafer，多項目晶圓，將多個使用相同工藝的集成芯片放在同一晶圓片上進(jìn)行流片，制造完成后，每個設(shè)計可以得到數(shù)十片芯片樣品，多用于出前期工程片。

3、Full Mask

全掩膜，即制造流程中全部掩膜都為某集成芯片設(shè)計服務(wù)，小批試產(chǎn)及量產(chǎn)階段。

4、Shuttle

MPW時間，每月或每季度固定時間，即“班車”。

5、SEAT

一次MPW的最小面積，可一次選擇多個Seat。

6、Wafer

晶圓，多為8寸、12寸。

7、notch

缺口，用于判別晶圓方向。

8、Yield

良率，CP良率、FT良率、綜合良率。

9、CP

Circuit Probing、Chip Probing，晶圓測試，一般遍歷測試整片Wafer的每個die，確保die滿足DC、AC、功能設(shè)計要求。一般有多道CP，如MCU類芯片：CP1、CP2測試Flash，CP3測試定制化功能，CP4高溫測試等。CP測試項理論上較FT測試項多，提前篩除Fail die以節(jié)省成本，且一般情況下CP測試扎針pad少，同測Site數(shù)多，機(jī)時成本較FT低。

10、FT

Final Test，終測、成測，對package后的芯片進(jìn)行定制化測試，芯片出廠前最后一道關(guān)卡。

11、Foundry

晶圓廠，如臺積電（TSMC）。

12、Die

wafer切割后的最小單元，即封裝前的芯片。

13、Chip

芯片，即我們見到的封裝好后的芯片。

14、IP

Intellectual Property Core，非網(wǎng)絡(luò)中所說的IP地址、IP協(xié)議，而是芯片設(shè)計行業(yè)中的IP核，即知識產(chǎn)權(quán)核，是可重用設(shè)計方法學(xué)中的可重用模塊，如UART、SPI、IIC等。

15、SOC

System On Chip，片上系統(tǒng)，包含CPU、總線、外設(shè)等都在一顆芯片內(nèi)部實現(xiàn)。

16、MCU

Microcontroller Unit，微控制器單元，概念和SOC類似，但MCU是芯片類型，SOC是設(shè)計方式。將CPU、memory、Timer、ADC、DMA等整合在一顆芯片上，形成的微型芯片級計算機(jī)。

17、RTL

register-transferlevel，描述同步數(shù)字電路的硬件描述語言。

18、Netlist

網(wǎng)表，RTL經(jīng)過綜合生成。

19、SDC

設(shè)計提供約束文件，綜合工具需要SDC才能將RTL轉(zhuǎn)換成netlist，主要包括：芯片工作頻率，芯片IO時序，設(shè)計規(guī)則，特殊路徑等。

20、GDS

netlist經(jīng)過后端工具編程版圖，而版圖提交給foundry的就是GDS II

21、Merge

拼接，將模塊、程序等合并。

22、Margin

邊界，如Margin Test以確定芯片設(shè)計上下限值是否滿足需求。

23、OD

針壓，指CP測試階段，Prober扎在wafer pad上的機(jī)械壓力值，一般根據(jù)工藝、晶圓、測試者經(jīng)驗、彈坑實驗確定。

24、彈坑

彈坑實驗，CP廠使用不同的針壓力對未扎過針的die進(jìn)行扎針驗證，在封裝廠進(jìn)行鋁層腐蝕后，觀測哪組針壓下出現(xiàn)彈坑；將結(jié)果反饋CP廠，由其參考實驗結(jié)果調(diào)整在CP測試時施加針壓大小。彈坑實驗die作報廢處理，在wafer制程及pad鋁層厚度不變情況下，只需進(jìn)行1次彈坑實驗。

25、TD

Touch down，下針，CP測試中單次扎針。

26、fab

將設(shè)計文件交付工廠生產(chǎn)的過程，也代指fab廠。

27、layout

設(shè)計。

28、tolerance

容忍度，一般在LB布局布線時提到，如測試項要求有哪些Pin腳的走線線長要一致，阻抗限制等。

29、LB

Load Board，ATE上放置的根據(jù)不同芯片定制的母版，用以承載芯片進(jìn)行批量測試。

30、probe

探針，一般指CP階段給pad扎針的針，在針卡上，針卡需針對wafer定制。

31、prober

放置并傳輸wafer的機(jī)器，CP測試時的設(shè)備。

32、Site

測試座位，一般指同測數(shù)，需根據(jù)芯片測試所需資源評估同測數(shù)量。

33、Socket

測試座、治具，芯片放置其中，需定制。

34、Kit

FT量產(chǎn)測試時使用，連接Handler和LB，吸取芯片并壓緊進(jìn)行測試后分bin，需定制。

35、Handler

機(jī)械手，安裝Kit后設(shè)置操作流程自動進(jìn)行FT測試。

36、ATE

Automatic Test Equipment，自動化測試設(shè)備，專用于芯片量產(chǎn)測試，量產(chǎn)測試工程師吃飯的家伙。

37、板卡

ATE內(nèi)部搭載的資源，不同板卡不同功能、資源，搭配不同板卡可實現(xiàn)各種測試要求。

38、probe card

針卡，一般根據(jù)芯片pad位置定制針卡，分為工程卡和量產(chǎn)卡，對應(yīng)調(diào)試階段和量產(chǎn)階段，插在共板上連接測試機(jī)。

39、GU

Golden Unit，金手指，也叫Golden Sample，指經(jīng)過測試驗證的good chip，可用于環(huán)境調(diào)試時驗證環(huán)境是否正常。

40、pitch

中心距（間距），die pitch、pad pitch。

41、cable

cable連接線，一般一端連接測試機(jī)母板，一端連接芯片測試板。

42、IQC

Incoming Quality Control，來料檢驗。

43、bake

烘烤，CP測試中可選步驟。

44、pad

die的pin，pad數(shù)量多于pin數(shù)。

45、pin

chip的pin。

46、map

一般用在wafer測試中，顯示測試結(jié)果pass/fail、分bin等。

47、UV

紫外線照射，封裝時進(jìn)行，memory芯片除外。

48、自主回收

CP、FT測試中對第一次測試fail die的處理，將對其自動進(jìn)行重新復(fù)測，稱為自主回收。

49、package

封裝，wafer做完CP測試后，會在封裝廠經(jīng)過磨劃、拋光、切割等工序，形成die，同時將CP測試中暴露出的fail die挑粒，最后對good die進(jìn)行封裝，進(jìn)行FT測試。

50、Bin

分類，測試時pass/fail芯片放置或編號作區(qū)分，分為HW Bin和SW Bin，Bin號由工程師定義，一般與DC、AC等測試參數(shù)相關(guān)。

51、Spacing

間距。