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      韓國(guó)SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

      SEMIEXPO半導(dǎo)體 ? 來源：SEMIEXPO半導(dǎo)體 ? 2023-11-29 17:01 ? 次閱讀

      據(jù)報(bào)道，韓國(guó)SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購(gòu)當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購(gòu)后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗(yàn)證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。

      據(jù)悉，SKMP開發(fā)的新型KrF光刻膠厚度為14~15微米，與東進(jìn)半導(dǎo)體（DONGJIN SEMICHEM）向三星供應(yīng)的產(chǎn)品類似，而日本JSR公司的類似產(chǎn)品厚度僅為10微米。

      光刻膠的厚度對(duì)于提高3D NAND閃存工藝處理效率有較大幫助，但是更高的厚度也意味著技術(shù)難度更高，因?yàn)榛瘜W(xué)材料的粘性可能導(dǎo)致涂層表面不平整，這也是東進(jìn)半導(dǎo)體目前仍是三星這類產(chǎn)品唯一供應(yīng)商的原因。隨著SKMP加入競(jìng)爭(zhēng)，SK海力士將能夠用這款KrF光刻膠生產(chǎn)238層3D NAND閃存。

      SKMP很可能取代日本JSR的主導(dǎo)地位，成為其主要的供應(yīng)商。目前，SK海力士238層3D NAND閃存晶圓的月產(chǎn)能約為5000片，預(yù)計(jì)未來將進(jìn)一步提升產(chǎn)能，從而帶動(dòng)SKMP公司光刻膠的銷量。

      SK海力士于2023年8月展示了世界首款321層NAND閃存芯片樣品，屬于TLC 4D NAND，容量高達(dá)1Tb，預(yù)計(jì)產(chǎn)品將于2025年量產(chǎn)。







      審核編輯：劉清

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      原文標(biāo)題：韓國(guó)SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠，可助力3D NAND閃存制造

      文章出處：【微信號(hào)：Smart6500781，微信公眾號(hào)：SEMIEXPO半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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