基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動器提供驅(qū)動能力的來源,市場潛力巨大。
金升陽致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案,基于自主電路平臺、IC平臺、工藝平臺,升級推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA_(T)-R3G系列產(chǎn)品,同時為結(jié)合充電樁市場應(yīng)用需求,打造了全新的滿足元器件100%國產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動電源產(chǎn)品。
產(chǎn)品優(yōu)勢
優(yōu)勢特點
01高可靠隔離電壓:5000VAC(加強絕緣)
R3代驅(qū)動電源產(chǎn)品基于自主IC設(shè)計平臺,在可靠性上相較于R1代和競品有了極大的提升,隔離電壓高達5000VAC(R1產(chǎn)品/競品為3750VAC),滿足加強絕緣設(shè)計要求,整體可靠性得到極大提升。
02滿足1700VDC長期絕緣要求
作為現(xiàn)階段主流的半導(dǎo)體器件,應(yīng)用電壓為650V/900V/1200V/1700V;R3代驅(qū)動電源基于IEC-61800-5-1標準要求,實現(xiàn)長期絕緣電壓(持續(xù)放電)滿足1700V,應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT器件。
03元器件100%國產(chǎn)化,多項性能指標提升
R3代驅(qū)動電源相較于R1代產(chǎn)品,在整體性能上得到了很大提升。
效率提升:80%→86%
紋波下降:75mVpp→50mVpp
強帶載能力:220uF→2200uF
靜電性能提升:±6kV→±8kV
優(yōu)勢對比
表1 QA-R3G系列性能對比表
產(chǎn)品特點
QA-R3G系列
超小型SIP封裝
CMTI>200kV/μs
局部放電1700V
隔離電壓5000VAC(加強絕緣)
最大容性負載2200μF
超小隔離電容3.5pF(typ.)
工作溫度范圍:-40℃ to +105℃
可持續(xù)短路保護
QA_T-R3G系列
CMTI>200kV/μs
局部放電1700V
隔離電壓5000VAC(加強絕緣)
最大容性負載2200μF
超小隔離電容2.5pF(typ.)
工作溫度范圍:-40℃ to +105℃
SMD封裝
效率高達86%
可持續(xù)短路保護
產(chǎn)品應(yīng)用
作為IGBT/SiC MOSFET的專業(yè)驅(qū)動電源,該系列產(chǎn)品在應(yīng)用上基本覆蓋相對應(yīng)的行業(yè),包含充電樁、光伏等領(lǐng)域。
QA_(T)-R3G系列應(yīng)用電路圖
產(chǎn)品選型
表2 QA-R3G系列選型表
表3 QA_T-R3G系列選型表
審核編輯:湯梓紅
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7234瀏覽量
214164 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1268文章
3831瀏覽量
249929 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2881瀏覽量
62899 -
驅(qū)動電源
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
411瀏覽量
42456
原文標題:IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源——QA_(T)-R3G系列
文章出處:【微信號:金升陽科技,微信公眾號:金升陽科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論