等離子刻蝕時(shí)，暴露在離子束下的金屬或poly會(huì)積累電荷（就像一根天線一樣，收集電荷）而產(chǎn)生電勢(shì)，積累的電荷與暴露在離子束下金屬面積成正比；如果積累了足夠電荷的一根長(zhǎng)金屬線或POLY直接連接到MOS管的GATE上時(shí)，就會(huì)放電，柵氧會(huì)被擊穿，導(dǎo)致芯片失效。

在金屬互連線的制造過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量游離電荷，對(duì)于游離電荷來(lái)說(shuō)，一邊是二氧化硅絕緣體材料，一邊是金屬，自然會(huì)往金屬上聚集，金屬像海綿把周圍的水吸收進(jìn)來(lái)。當(dāng)積累的電荷逐漸變多，電勢(shì)變高，金屬就會(huì)找地方放電，越長(zhǎng)的金屬容易收集到更多的電荷，更容易引起天線效應(yīng)。

antenna ratio（天線比）定義為：構(gòu)成所謂天線的導(dǎo)體面積與其相連的柵面積之比，比值越大天線效應(yīng)越容易發(fā)生（這個(gè)值與工藝有關(guān)，常見為300：1），隨著工藝尺寸越來(lái)越小，天線效應(yīng)發(fā)生的可能越來(lái)越高；

消除天線效應(yīng)的方法：就是要想辦法減小antenna ratio；使直接連接到柵的導(dǎo)體面積變小；

1.跳線法

采用跳線法，斷開存在天線效應(yīng)的金屬M(fèi)1，一根長(zhǎng)金屬M(fèi)1連接到GATE上，收集足夠的電荷后，產(chǎn)生的電勢(shì)超過(guò)柵氧承受的擊穿電壓后，柵氧被擊穿

2. 添加天線器件

在存在天線效應(yīng)的導(dǎo)體上添加反偏的二極管，為積累的電荷提供一個(gè)泄放回路，這樣積累的電荷就不會(huì)對(duì)柵氧造成損壞，從而消除天線效應(yīng)；

3. 插入緩沖器Buffer

通過(guò)在直接連接到柵的導(dǎo)體上插入緩沖器來(lái)切斷長(zhǎng)線消除天線效應(yīng)

審核編輯：黃飛