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Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2023-12-09 16:40 ? 次閱讀

Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),有數(shù)據(jù)顯示,受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響,全球Micro LED顯示器的出貨量2027年將飆升至1600多萬片, 市場需求潛力大。LCD、OLED與LED是實現(xiàn)超高清顯示的三大重要技術(shù)路線,其中LCD、OLED起源發(fā)展于日韓美等國家,相關(guān)技術(shù)與專利均被國外壟斷。

近年來,LED半導(dǎo)體顯示技術(shù)競爭上升到國家戰(zhàn)略層面。LED超高清顯示領(lǐng)域,國內(nèi)外處于同一起跑線,中國最有可能實現(xiàn)彎道超車,成為全球LED顯示產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)者。

近日,在廈門召開的第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)的“Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用論壇”上,佛山市國星光電股份有限公司Micro LED 項目技術(shù)負(fù)責(zé)人趙龍帶來了“Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢分析”的主題報告,分享了Micro LED關(guān)鍵技術(shù)及其面臨的挑戰(zhàn)、Micro LED產(chǎn)業(yè)化趨勢及其國星產(chǎn)品規(guī)劃等內(nèi)容。涉及Micro LED芯片制備技術(shù)、Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)、Micro LED巨量鍵合技術(shù)、Micro LED全彩化技術(shù)、Micro LED檢測&修復(fù)技術(shù)等。

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Micro LED芯片制備技術(shù)方面,對于 Micro LED芯片,芯片尺寸微縮,無法再使用傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的挑揀( Sorting)與分選( Binning)技術(shù), 因此外延需要極高的波長均勻性,外延片波長均勻性需控制在 0.8 nm甚至更小。優(yōu)化襯底結(jié)構(gòu),襯底厚度等;嚴(yán)格控制生長過程中的溫度及氣流;優(yōu)化生長過程中的外延翹曲。

對于 Micro LED芯片電流往往非常小,因此需要在低電流密度下外量子效率剛好為芯片峰值效率,外延中缺陷密度和內(nèi)應(yīng)力均會導(dǎo)致其外量子效率較低,相對于Micro LED芯片的外延需控制位錯密度在107cm-2。優(yōu)化外延結(jié)構(gòu)減少內(nèi)部應(yīng)力;提升電子空穴濃度,減少P-GaN缺陷密度。

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Micro LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)研究方面,開展了兩種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移工藝驗證,通過轉(zhuǎn)移膜材和轉(zhuǎn)移工藝參數(shù)優(yōu)化,目前可以實現(xiàn)彈性印章轉(zhuǎn)移UPH最高達(dá)10KK/h ,激光轉(zhuǎn)移效率UPH最高可達(dá)80KK/h,轉(zhuǎn)移精度±2微米。

Micro LED巨量鍵合技術(shù)研究方面,開展Micro LED芯片巨量鍵合工藝研究,開發(fā)了多梯度溫度共晶鍵合工藝,有效減少共晶層空洞率,提高陣列焊料互聯(lián)質(zhì)量,Micro LED全彩模組巨量轉(zhuǎn)移&巨量鍵合綜合良率提升至99.99%。Micro LED量子點(diǎn)全彩技術(shù)研究方面,量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層(QDCC)技術(shù)研究上,設(shè)計并制備出一種低藍(lán)光透過率的QDCC結(jié)構(gòu),通過在QDCC結(jié)構(gòu)中集成藍(lán)光吸收層,使得紅色像素中藍(lán)光透過率由15.9%降低至1.2%,綠色像素中藍(lán)光透過率由38%降低至2.4%,大大提高了全彩模組顯色準(zhǔn)確性。

Micro LED量子點(diǎn)全彩技術(shù)研究,開發(fā)了藍(lán)光Micro LED模組和QDCC基板精準(zhǔn)對位貼合工藝,模組對貼偏移量<2微米,制備出P0.1 PM-Micro LED全彩顯示模組,模組點(diǎn)亮率>99.9%,綁定驅(qū)動IC后可以實現(xiàn)圖畫和字符顯示。

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報告指出,Micro LED 在超大尺寸安防屏/會議屏、車載顯示屏、數(shù)字化車燈、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域具有廣闊的產(chǎn)業(yè)化與商業(yè)化應(yīng)用前景。Micro LED高亮、低功耗性能優(yōu)勢,有望成為下一代主流顯示技術(shù)。國星光電Micro LED產(chǎn)品布局,聚焦“一大一小”顯示應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品類型。MIP(Micro LED in Package)新型封裝架構(gòu)器件、Micro LED 智能手表屏、Micro LED數(shù)字化車燈光源、Micro LED AR眼鏡微顯示屏等方面取得了不錯的研究成果。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:國星光電趙龍:Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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