欧美性猛交xxxx免费看_牛牛在线视频国产免费_天堂草原电视剧在线观看免费_国产粉嫩高清在线观看_国产欧美日本亚洲精品一5区

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(一)

FindRF ? 來源:FindRF ? 2023-12-18 09:30 ? 次閱讀

在接下來的一個章節(jié)里面,我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級硅的方法,以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段),以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體生長和晶圓制備)。包括對制造過程中使用的不同類型晶圓的性質(zhì),以及相關(guān)加工操作的一些詳細(xì)描述。還有關(guān)于如何直徑450毫米的晶體面臨的一些挑戰(zhàn),在相關(guān)部分,詳細(xì)介紹了450毫米硅片的制備方法。

更高密度和更大尺寸的芯片的發(fā)展要求交付更大直徑的晶圓片。從20世紀(jì)60年代的直徑為1英寸的晶圓開始,該行業(yè)經(jīng)過了非??焖俚陌l(fā)展,在2000年代已經(jīng)轉(zhuǎn)向300毫米(12英寸)直徑的晶圓,現(xiàn)在的節(jié)點已經(jīng)達(dá)到了450mm大小的尺寸(18-in)(如下圖所示)。

f0ff2600-9ce3-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

為了適應(yīng)不斷增大的芯片尺寸,需要更大直徑的晶圓來滿足快速提升的需求,進(jìn)而會促進(jìn)成本的不斷下降,推動了晶圓制造工藝不斷前進(jìn)(見后續(xù)章節(jié)繼續(xù)討論)。晶圓的準(zhǔn)備方面,面臨的挑戰(zhàn)是艱巨的。在晶體生長中,結(jié)構(gòu)和電氣的一致性和污染防治是一大挑戰(zhàn)。在晶圓制備中,平整度、直徑控制、雜質(zhì)含量和晶體完整性都是非常嚴(yán)峻的問題。更大的晶圓直徑,需要更堅固的加工工具,最終,將實現(xiàn)完全自動化。

批量生產(chǎn)的300毫米直徑的晶圓重約20磅(7.5公斤),價值50萬美元或更多。1個450mm主板的重量約為800公斤重,長210厘米。這些挑戰(zhàn)與幾乎每個參數(shù)規(guī)格都有直接關(guān)聯(lián)。要跟上這些挑戰(zhàn)的步伐,晶圓直徑的增長是微芯片持續(xù)進(jìn)化的關(guān)鍵。然而,轉(zhuǎn)換成更大直徑的晶圓既昂貴又耗時。因此有些晶圓廠是否仍在使用較小的晶圓直徑,(如下圖所示)即便主流的工業(yè)界已經(jīng)發(fā)展到更大直徑的晶圓。

f11e708c-9ce3-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

半導(dǎo)體硅的制備

半導(dǎo)體器件和電路是在硅片內(nèi)部和表面形成的半導(dǎo)體材料。那些晶圓片必須被摻雜到特定電阻率水平,并且污染物水平也需要控制,生成特定的晶體結(jié)構(gòu),達(dá)到光學(xué)平整,并滿足其它主機(jī)的機(jī)械潔凈度規(guī)范。硅片制備階段集成電路級硅片的制造分為四個階段:1、將礦石轉(zhuǎn)化為高純度氣體;2、將氣體轉(zhuǎn)化為多晶硅;3、將多晶硅轉(zhuǎn)化為單晶,摻雜晶錠的制備;4、半導(dǎo)體制造的第一個階段是晶圓,它們可以從地球中最多的一些沙子中提取和純化。凈化從化學(xué)反應(yīng)開始。對于硅來說,它是將礦石轉(zhuǎn)化成含硅氣體,如四氯化硅或三氯硅烷。含硅氣體隨后與氫反應(yīng)(如下圖所示)生成半導(dǎo)體級硅。生產(chǎn)出來的硅純度為99.9999999%,這個純度可是說是地球上最純凈的物質(zhì)了。其晶體結(jié)構(gòu)稱為多晶或多晶硅。

f13ab710-9ce3-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

透明物質(zhì)

晶體材料物質(zhì)的不同之處在于它們的原子結(jié)構(gòu)。在一些材料,如硅和鍺,原子在整個材料中排列成一個非常重復(fù)的確定結(jié)構(gòu)。這些材料叫做晶體。

原子沒有確定的周期性排列的物質(zhì)被稱為非晶的物質(zhì),塑料是就是典型的非晶材料的例子。







審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 多晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    242

    瀏覽量

    29389
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    27754

    瀏覽量

    222860
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4982

    瀏覽量

    128347

原文標(biāo)題:半導(dǎo)體行業(yè)(二百二十八)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備(一)

文章出處:【微信號:FindRF,微信公眾號:FindRF】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    【轉(zhuǎn)帖】文讀懂晶體生長和晶圓制備

    重復(fù)排列成非常固定的結(jié)構(gòu),這種材料稱為晶體。原子沒有固定的周期性排列的材料被稱為非晶體或無定形。塑料就是無定形材料的例子。晶體生長半導(dǎo)體晶圓是從大塊的
    發(fā)表于 07-04 16:46

    NaCLO3晶體生長控溫實驗分析設(shè)計

    NaCLO3溶液晶體生長是我國載人航天工程中的項重要空間科學(xué)實驗項目,為了確保NaCLO3晶體生長實驗在空間微重力環(huán)境下的成功進(jìn)行,必須進(jìn)行充分、有效的地基模擬實驗,包括
    發(fā)表于 12-23 14:09 ?12次下載

    晶體生長參數(shù)的檢測與優(yōu)化

    為了獲得優(yōu)質(zhì)的碲鋅鎘單晶體,采用工控機(jī)和組態(tài)王6?53開發(fā)了晶體生長參數(shù)的檢測優(yōu)化系統(tǒng).實現(xiàn)對晶體生長爐內(nèi)各個溫區(qū)的溫度、籽晶桿的旋轉(zhuǎn)方式及各個時段的旋轉(zhuǎn)速
    發(fā)表于 03-01 16:30 ?16次下載

    基于嵌入式Linux的晶體生長控徑系統(tǒng)的研究

    基于嵌入式Linux的晶體生長控徑系統(tǒng)的研究  1 引言   隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展,直拉法單晶硅生長技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導(dǎo)地位。為使
    發(fā)表于 03-12 11:14 ?575次閱讀
    基于嵌入式Linux的<b class='flag-5'>晶體生長</b>控徑系統(tǒng)的研究

    GT Advanced推全新MonoCast晶體生長系統(tǒng)

    GT Advanced Technologies Inc.日前推出全新的 DSS450 MonoCast 晶體生長系統(tǒng)。
    發(fā)表于 02-05 10:44 ?682次閱讀

    半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況

    半導(dǎo)體級多晶硅通過在單晶爐內(nèi)的晶體生長,生成單晶硅棒,這個過程稱為晶體生長半導(dǎo)體硅片則是指由單晶硅棒切割而成的薄片。下游在
    發(fā)表于 09-29 11:08 ?8006次閱讀

    解決方案|半導(dǎo)體晶體生長測溫

    場景半導(dǎo)體晶體生長測溫要解決的問題還原爐應(yīng)用中,需多點位測溫,有的點位位置較高對準(zhǔn)目標(biāo)比較困難。升溫過程中,材料狀態(tài)可能發(fā)生變化,導(dǎo)致發(fā)射率隨之發(fā)生變化導(dǎo)致測溫失準(zhǔn)。建議使用雙色測溫儀。直拉法應(yīng)用中
    的頭像 發(fā)表于 07-24 17:49 ?928次閱讀
    解決方案|<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶體生長</b>測溫

    半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長硅片準(zhǔn)備(二)

    晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。
    的頭像 發(fā)表于 12-22 10:21 ?728次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>晶體生長</b>和<b class='flag-5'>硅片</b><b class='flag-5'>準(zhǔn)備</b>(二)

    半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長硅片準(zhǔn)備(三)

    我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從塊完整的半導(dǎo)體晶體切成出來形成的。
    的頭像 發(fā)表于 12-25 09:28 ?1086次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>晶體生長</b>和<b class='flag-5'>硅片</b><b class='flag-5'>準(zhǔn)備</b>(三)

    半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長硅片準(zhǔn)備(四)

    浮區(qū)晶體生長是本文所解釋的幾個過程之,這項關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來的技術(shù),至今仍用于特殊用途的需求。
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:12 ?641次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>晶體生長</b>和<b class='flag-5'>硅片</b><b class='flag-5'>準(zhǔn)備</b>(四)

    半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長硅片準(zhǔn)備(五)

    晶體生長的過程中,由于某些條件的引入將會導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。
    的頭像 發(fā)表于 01-05 09:12 ?447次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>晶體生長</b>和<b class='flag-5'>硅片</b><b class='flag-5'>準(zhǔn)備</b>(五)

    半導(dǎo)體行業(yè)晶體生長硅片準(zhǔn)備(六)

    晶體在切割塊上被定向了,我們就可以沿著切割塊的這根軸線打磨出個平面或缺口(具體可以見下圖所示)。
    的頭像 發(fā)表于 01-08 09:47 ?669次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>行業(yè)</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>晶體生長</b>和<b class='flag-5'>硅片</b><b class='flag-5'>準(zhǔn)備</b>(六)

    晶體生長溫控儀數(shù)據(jù)采集解決方案

    單晶硅、多晶硅、藍(lán)寶石等晶體生長基礎(chǔ)促進(jìn)了半導(dǎo)體工業(yè)和電子工業(yè)的發(fā)展。晶體生長是指氣相、液相物料在穩(wěn)定溫度環(huán)境中轉(zhuǎn)換成固相晶體的過程。其中生長
    的頭像 發(fā)表于 10-25 10:47 ?208次閱讀

    芯片制造工藝:晶體生長、成形

    1.晶體生長基本流程下圖為從原材料到拋光晶圓的基本工藝流程:2.單晶硅的生長從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法(Czochralski)。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:48 ?424次閱讀
    芯片制造工藝:<b class='flag-5'>晶體生長</b>、成形

    晶體生長相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷

    。 ? 1 摻雜對晶格硬度變化影響 在晶體系統(tǒng)中,摻雜是種常見的技術(shù)手段,通過向晶格中添加雜質(zhì)原子,可以改變晶體的機(jī)械性能。這種現(xiàn)象在金屬和半導(dǎo)體材料中尤為普遍。摻雜不僅會引起
    的頭像 發(fā)表于 12-30 11:40 ?168次閱讀