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與ASML達(dá)成歷史性協(xié)議,三星將在2nm芯片制造取得優(yōu)勢

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-12-18 14:31 ? 次閱讀

2023年12月,三星電子首席執(zhí)行官李在镕陪同韓國總統(tǒng)尹錫悅訪問荷蘭,與ASML簽訂重要商業(yè)協(xié)議。雙方?jīng)Q定共投一萬億韓元(約合7.62億美元),在韓國設(shè)立研發(fā)中心,研發(fā)EUV光刻技術(shù)。作為協(xié)議的關(guān)鍵部分,三星將率先獲取新一代High-NA EUV光刻儀。

現(xiàn)時,ASML是全球唯一的EUV***制造商,這臺設(shè)備主要應(yīng)用于生產(chǎn)7nm及以下制程芯片。目前,ASML年產(chǎn)此類設(shè)備數(shù)量有限,供不應(yīng)求。李在镕本次來訪韓國主要是與ASML商討優(yōu)先供應(yīng)事宜。

三星已獲High-NA EUV***優(yōu)先供應(yīng)權(quán),期望以此為契機(jī),提升DRAM及邏輯芯片領(lǐng)域High-NA技術(shù)的運用效率。在位于韓國京畿道東灘的芯片研發(fā)中心,來自ASML和三星的工程師們將攜手合作,進(jìn)一步推進(jìn)EUV芯片制造技術(shù)。此次協(xié)議不僅是采購2nm芯片制造設(shè)備,更旨在和ASML展開深度合作,充分發(fā)揮新型設(shè)備的潛力。

據(jù)了解,ASML預(yù)計2024年將推出10臺2nm芯片制造設(shè)備,其中已有6臺被英特爾預(yù)定。新款High-NA EUV***聚光能力從0.33升級到0.55,將實現(xiàn)更精密的曝光圖案,助力2nm節(jié)點生產(chǎn)。未來幾年,ASML期待將這種新設(shè)備年產(chǎn)量提升至20臺。

在順利引進(jìn)ASML新款***后,三星計劃于2025年底量產(chǎn)出貨2nm芯片。然而,據(jù)第三方分析,此計劃或因市場情況和生產(chǎn)質(zhì)量等因素有所推遲。

值得注意的是,數(shù)年前高通選擇三星代工驍龍888、驍龍8 Gen1芯片,采用5nm、4nm制程工藝。然而,因三星工藝問題導(dǎo)致芯片過熱,高通最終轉(zhuǎn)向臺積電生產(chǎn)。近期有消息顯示,第五代驍龍8有望重回三星代工,并將采用2nm工藝。與此同時,臺積電、三星、英特爾在2nm制程上積極布局,力圖爭奪市場訂單份額。

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