GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。

經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia 在提供大規(guī)模、高質量的銅夾片 SMD 封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案 CCPAK 應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia 對此感到非常自豪。GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優(yōu)勢，進一步加強了 Nexperia 為可持續(xù)應用開發(fā)前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業(yè)應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

Nexperia 的創(chuàng)新型 CCPAK 封裝采用了 Nexperia 成熟的銅夾片封裝技術，無需內部焊線，從而可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET 提供頂部或底部散熱配置，進一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB 的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅 MOSFET 驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia 的 GaN 技術提高了開關穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約 24%。此外，器件的 RDS(on) 在 25℃ 時僅為 33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效的體二極管導通壓降。

Nexperia 副總裁兼 GaN FET 業(yè)務部總經理 Carlos Castro 表示：

“Nexperia 深刻認識到，工業(yè)和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩(wěn)健的開關解決方案，以便在進行功率轉換時實現(xiàn)出色的熱效率。因此 Nexperia 決定將其級聯(lián) GaN FET 的優(yōu)異開關性能與其 CCPAK 封裝的優(yōu)越熱性能結合起來，為客戶提供杰出的解決方案?！?/p>

Nexperia 不斷豐富其 CCPAK 產品組合，目前已推出頂部散熱型 33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快還將推出底部散熱型版本 GAN039-650NBB，其 RDS(on) 與前者相同。







審核編輯：劉清