當前，SiC器件已廣泛應用在新能源車的主驅、OBC等關鍵部件，有效的降低了提升了開關速度，降低了能量損耗，使得整車的重量得到減少，續(xù)航里程得到提升。車用發(fā)展迅速，市場廣闊，在新能源產業(yè)強勁需求下，全球SiC產業(yè)步入高速成長期，市場快速增長。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，河北普興電子科技股份有限公司產品總監(jiān)張永強分享了200 mm 4H-SiC高質量厚層同質外延生長的最新研究進展。

普興電子從16年開始SiC的研發(fā)，19年實現(xiàn)了6寸SiC外延片的量產，21年中標國家工信部碳化硅外延產業(yè)化的項目。目前主要為1200V MOS產品，已通過車規(guī)級驗證，應用在新能源車主驅模塊上。

8寸外延是碳化硅外延技術的發(fā)展趨勢。報告顯示，普興電子近期研發(fā)出的8英寸碳化硅外延片的新產品，解決了8寸襯底應力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點。厚度均勻性為0.6%，濃度均勻性為2.3%。8寸產品的均勻性已達到與6寸量產產品相當?shù)乃健?/strong>