2023年，對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而是言充滿(mǎn)挑戰(zhàn)和機(jī)遇的一年。

根據(jù)英飛凌2023年9月最新財(cái)報(bào)，英飛凌2023財(cái)年銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領(lǐng)域貢獻(xiàn)了約13%的年度營(yíng)收。根據(jù)Omdia 9月公布的最新數(shù)據(jù)，英飛凌功率半導(dǎo)體器件繼續(xù)穩(wěn)居全球第一，占據(jù)超20%的市場(chǎng)份額。

今天，小編帶著大家一起來(lái)盤(pán)點(diǎn)下2023年英飛凌在零碳道路上的高光時(shí)刻。

百舸爭(zhēng)流，唯創(chuàng)新方能立于不敗之地

綠色能源領(lǐng)域是英飛凌專(zhuān)注耕耘且市場(chǎng)影響巨大的領(lǐng)域，英飛凌的系統(tǒng)方案覆蓋了新能源發(fā)電、輸電、供電的整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈。

作為零碳技術(shù)的創(chuàng)新伙伴，英飛凌憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)積累和沉淀，以及對(duì)系統(tǒng)和應(yīng)用的深刻理解，在2023年面向綠色能源和零碳工業(yè)應(yīng)用發(fā)布了一系列功率半導(dǎo)體器件和驅(qū)動(dòng)芯片，新的參考設(shè)計(jì)板和評(píng)估板。因篇幅有限，選取幾款明星產(chǎn)品快速一覽：

業(yè)界首發(fā)，1200V H7最大電流規(guī)格達(dá)140A

2023年，英飛凌重磅發(fā)布TRENCHSTOP IGBT7單管全系列產(chǎn)品，包括T7，S7，H7三個(gè)系列，覆蓋了650V和1200V兩大電壓等級(jí)，5種不同的封裝，近40多個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，極大地豐富了用戶(hù)的選擇。

得益于IGBT7微溝槽技術(shù)，TRENCHSTOP IGBT7單管系列極大的優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，相較于市場(chǎng)上的IGBT單管元器件，英飛凌1200V H7產(chǎn)品最大電流達(dá)140A，成為業(yè)內(nèi)第一款1200V實(shí)現(xiàn)額定電流140A的IGBT分立器件，相較于英飛凌上一代1200V高速單管High Speed H3的75A最大電流規(guī)格有了大幅的提升。此外，650V H7單管的電流等級(jí)達(dá)到150A。這高規(guī)格的電流可以減少I(mǎi)GBT并聯(lián)的數(shù)量，對(duì)于減小系統(tǒng)尺寸和減輕重量有極大的幫助。該系列還擁有強(qiáng)大的防潮和抗宇宙射線能力，正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的炙手可熱的新星。

做大做強(qiáng)，

CoolSiC產(chǎn)品持續(xù)向更高電壓等級(jí)發(fā)力

2023年上市的CoolSiC 1200V MOSFET模塊（最大規(guī)格1mΩ）和CoolSiC 2000V MOSFET模塊（最大規(guī)格2.6mΩ）系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，以及成熟的62mm封裝的半橋模塊，使SiC MOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的功率密度已達(dá)極限值。而2000V的電壓等級(jí)，滿(mǎn)足現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的高耐壓要求。借助英飛凌CoolSiC芯片技術(shù)，變換器的設(shè)計(jì)可以變得更有效率，單個(gè)逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本。

煥發(fā)新生，英飛凌擴(kuò)展1200V 62mm IGBT7產(chǎn)品組合

作為溝槽柵技術(shù)的倡導(dǎo)者和先行者，英飛凌IGBT芯片技術(shù)不斷創(chuàng)新，引領(lǐng)行業(yè)的產(chǎn)品技術(shù)不斷升級(jí)。2023年正式推出搭載1200V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊，最大電流規(guī)格高達(dá)800A。基于新型微溝槽技術(shù)，1200V 62mm IGBT7模塊系列的靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載IGBT4芯片組的模塊，IGBT的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的最大過(guò)載結(jié)溫為175°C。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。

創(chuàng)新“驅(qū)動(dòng)”，EiceDRIVER增強(qiáng)型系列再添拳頭產(chǎn)品

每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片，合適的驅(qū)動(dòng)芯片總能帶來(lái)事半功倍的效果。2023年推出EiceDRIVER F3增強(qiáng)型（1ED332x）系列是一個(gè)隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列。輸出電流能力大，+6A/-8.5A的典型峰值輸出電流，可用于大功率逆變器和寬禁帶器件。具備精確的VCEsat檢測(cè)（DESAT），帶故障輸出。退飽和檢測(cè)后的軟關(guān)斷在驅(qū)動(dòng)IGBT和CoolSiC能做好短路保護(hù)。有源米勒鉗位功能使其成為使用SiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7的快速開(kāi)關(guān)單電源設(shè)計(jì)應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)UL 1577認(rèn)證以及IEC 60747-17，適用于伺服驅(qū)動(dòng)器，UPS系統(tǒng)等應(yīng)用。