益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC產(chǎn)線
浙江益中封裝技術(shù)有限公司宣布其一期擴(kuò)建項(xiàng)目正式開工。這一重要項(xiàng)目標(biāo)志著其在車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了實(shí)質(zhì)性的一步。
據(jù)悉，該擴(kuò)建項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)一條先進(jìn)的封裝產(chǎn)線，專門用于生產(chǎn)Si/SiC器件。這一產(chǎn)線將采用業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)和設(shè)備，以確保產(chǎn)品的高品質(zhì)和可靠性。
擴(kuò)建項(xiàng)目的總面積達(dá)到5800平方米，預(yù)計(jì)總投資超過億元。這一規(guī)模的投資充分展現(xiàn)了對(duì)車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)的長(zhǎng)期承諾和信心。
按照規(guī)劃，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)在2024年6月投產(chǎn)，屆時(shí)將具備年產(chǎn)超3.96億顆單管產(chǎn)品的能力。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27790瀏覽量
223172 -
封裝技術(shù)
+關(guān)注
關(guān)注
12文章
555瀏覽量
68045 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2901瀏覽量
62994
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工
芯動(dòng)能第100萬只車規(guī)級(jí)電驅(qū)雙面散熱塑封模塊成功下線
日前，常州芯動(dòng)能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯動(dòng)能”）產(chǎn)線第100萬只車規(guī)級(jí)電驅(qū)雙面散熱塑封模塊成功下線！成為國(guó)內(nèi)第二家大批量生產(chǎn)車
吉利封測(cè)項(xiàng)目正式開工
封測(cè)基地項(xiàng)目，項(xiàng)目共分兩期實(shí)施建設(shè)。其中，一期擴(kuò)建項(xiàng)目主要建設(shè)一條車規(guī)級(jí)Si/SiC器件先進(jìn)封裝
方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達(dá)16.8萬片
生產(chǎn)線，長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能為每月6萬片。值得注意的是，方正微電子目前所建成的車規(guī)級(jí)SiC MOS生產(chǎn)能力在中國(guó)位居首位。
LM2904B車規(guī)運(yùn)放如何選型？
現(xiàn)在有用到TI車規(guī)的一款運(yùn)放，型號(hào)為L(zhǎng)M2904VQPWRQ1，壓擺率為0.3V/us，現(xiàn)在需求一款PIN對(duì)PIN兼容運(yùn)放，要求車規(guī)，壓擺率為2V/us~5V/us，性價(jià)比要高
發(fā)表于 07-29 06:52
瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破，車規(guī)級(jí)產(chǎn)品正式量產(chǎn)
Ω SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）成功通過了車規(guī)級(jí)可靠性（AEC-Q101）測(cè)試認(rèn)證，這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻芯電子在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
長(zhǎng)電科技首座大規(guī)模生產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片成品的先進(jìn)封裝基地即將落地
目前，長(zhǎng)電科技在上海臨港加速建設(shè)公司首座大規(guī)模生產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片成品的先進(jìn)封裝基地，以服務(wù)國(guó)內(nèi)外汽車電子領(lǐng)域客戶和行業(yè)合作伙伴。該項(xiàng)目作為專業(yè)的汽車芯片封測(cè)工廠，將配備高度自動(dòng)化的汽車芯片專用生產(chǎn)
TMC2024丨車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新
聚焦車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢(shì) 21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報(bào)告 15+車規(guī)級(jí)SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示 1場(chǎng)高層閉門會(huì) ?
發(fā)表于 06-18 15:26
?4013次閱讀
瞻芯電子推出一款車規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG3
聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉(cāng)工廠迎來首次批產(chǎn)
2024年3月，聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉(cāng)工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋，也標(biāo)志著聯(lián)合電子同時(shí)擁有了40
多款產(chǎn)品通過車規(guī)認(rèn)證，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET加速上車
潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場(chǎng)，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國(guó)內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車
納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC—NCA1462-Q1
納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC（信號(hào)改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。
納芯微發(fā)布車規(guī)級(jí)CAN SIC NCA1462-Q1
近日，領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商納芯微宣布，成功研發(fā)并推出了一款基于自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC（信號(hào)改善功能）——NCA1462-Q1。這款產(chǎn)品的推出，不僅滿足了ISO
瞻芯電子1200V/650V SiC塑封半橋模塊獲車規(guī)認(rèn)證
在科技不斷進(jìn)步和新能源汽車產(chǎn)業(yè)迅速崛起的當(dāng)下，高效、穩(wěn)定且符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的電子元器件成為市場(chǎng)的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）憑借其深厚的碳化硅（SiC）半導(dǎo)體技術(shù)積累，成功開發(fā)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論