2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。

圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的展示板圖

當前，全球對于可再生能源的關注度日益提高，作為一種可持續(xù)發(fā)展的清潔能源，太陽能已被廣泛應用于家庭、工業(yè)和商業(yè)等各個領域。然而，隨著太陽能的應用范圍進一步擴大，業(yè)內(nèi)迫切需要更高效率的能源轉換技術來提升太陽能系統(tǒng)的性能。對此，大聯(lián)大品佳基于Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋（PSFB）方案，其通過先進的半導體器件及控制算法將PSFB拓撲設計的效率達到了全新水平。

圖示2-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的場景應用圖

XMC4200是一款基于Arm Cortex-M4內(nèi)核的工業(yè)級微控制器，具有16位和32位Thumb2指令集、DSP/MAC指令、浮點單元、存儲器保護單元以及嵌套矢量中斷控制器。內(nèi)部集成了16KB引導ROM，擁有多達16KB高速程序存儲器、24KB高速數(shù)據(jù)存儲器和256KB帶閃存以及豐富的通信外設，能夠在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中實現(xiàn)出色的性能。

CFD7 CoolMOS MOSFET是Infineon旗下CFD7系列具有集成快速體二極管的高壓超級結MOSFET技術的產(chǎn)品，非常適用于高功率SMPS應用，如服務器/電信/EV充電站等。通過將表面貼裝器件（SMD）封裝中的一流600V CFD7 CoolMOS MOSFET與150V OptiMOS 5同步整流器結合使用，可以在buck模式下實現(xiàn)98%的效率，在boost模式下實現(xiàn)97%的效率。

圖示3-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案的方塊圖

得益于半導體產(chǎn)品的出色性能和先進SMD封裝技術以及創(chuàng)新的堆疊磁性結構，本方案可實現(xiàn)4.34 W/cm3（71.19 W/in3）的功率密度，再一次證明了PSFB拓撲可以用作雙向DC/DC階段。并且在不改變傳統(tǒng)拓撲標準或構造的情況下，實現(xiàn)更加出色的能源效率。

核心技術優(yōu)勢

具有高功率密度、高效率；

以相移全橋（PSFB）實現(xiàn)雙向能量轉換器；

具有20μs 140%加負荷；

以CFD7系列MOS實現(xiàn)高效率可能性；

具有多種保護模式和可配置參數(shù)，提高產(chǎn)品設計靈活度。

方案規(guī)格

輸入電壓及頻率操作為：DC 380V；

輸出電壓為：60V - 40V；

降壓模式效率高達98%，升壓模式效率高達97%；

功率密度為4.34 W/cm3（71.19 W/in3）；

采用ThinPAK 封裝的Infineon CoolMOS CFD7。

審核編輯：湯梓紅