在MEMS器件設(shè)計(jì)過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。其中，硅作為最常見的半導(dǎo)體材料，可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅，它的電阻率和方阻的測(cè)定和使用問題，有很多半導(dǎo)體初學(xué)者都沒有想明白。

電阻率和方阻

電阻率(Resistivity)是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量，是材料的固有屬性。某種材料制成的長(zhǎng)為1m、橫截面積為1m2的導(dǎo)體的電阻，在數(shù)值上等于這種材料的電阻率，單位是Ω·m（半導(dǎo)體習(xí)慣用Ω·cm）。對(duì)半導(dǎo)體硅材料來(lái)說(shuō)，電阻率與硅內(nèi)部的電子和空穴的濃度相關(guān)，與其尺寸和形狀無(wú)關(guān)。

方阻，全稱是方塊電阻（Sheet Resistance），指薄膜單位面積上的電阻，等于電阻率除以厚度，單位為Ω/□。方塊電阻有一個(gè)特性，即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長(zhǎng)是1m還是1mm，它們的方阻都是一樣。

對(duì)于硅材料，什么時(shí)候用電阻率，什么時(shí)候用方阻呢？

對(duì)硅晶圓或絕緣體上硅（SOI），規(guī)格書上通常用電阻率表征其基本電學(xué)參數(shù)。硅片一般分為高阻硅和低阻硅，高阻硅中的雜質(zhì)濃度非常低，通常在1012cm-3以下，這使得高阻硅片的電阻率非常高，在103-106Ω·cm之間。相對(duì)于低阻硅，高阻硅的制造工藝極為難，電阻越高要求的硅的純度越高，很多標(biāo)稱的高阻硅經(jīng)過退火，電阻率都有一定程度的衰減。

方阻這個(gè)概念，主要是針對(duì)薄膜提出來(lái)的，它的提出使MEMS器件電學(xué)設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)便。它好比一個(gè)正方形方塊積木，我們知道了方阻值，只要數(shù)出它的方塊數(shù)（電阻的長(zhǎng)除以寬），就很容易計(jì)算出總電阻。所以，方塊和方阻的引入，極大了方便了設(shè)計(jì)和制造人員之間的溝通。對(duì)于多晶硅或者注入單晶硅，我們甚至不需要知道注入深度（結(jié)深），只需要測(cè)定方阻值，即可輕易完成電路部分的設(shè)計(jì)。

圖1 不同尺寸方塊數(shù)相同的兩個(gè)摻雜硅總電阻相同

測(cè)定方法

四探針法是一種常用的測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率和方阻的方法，其基本原理是在樣品上放置四個(gè)探針，通過測(cè)量探針之間的電流和電壓關(guān)系，可以計(jì)算出樣品的電阻率和方阻等參數(shù)。四探針法通常用于測(cè)量薄層材料的方阻，因?yàn)樗梢韵佑|電阻的影響，并且具有較高的測(cè)量精度。

圖2 四探針法測(cè)試方阻示意圖

四根探針，間距均為s；探針適當(dāng)施加壓力，垂直落于硅片上，形成歐姆接觸；2個(gè)外側(cè)探針（1,4）之間施加電流I14，形成測(cè)試回路；2個(gè)中間探針（2,3）連接高阻抗精密電壓表，測(cè)得電位差V23；方阻計(jì)算公式為：

從公式看，四探針法測(cè)試方阻與薄膜厚度形狀無(wú)關(guān)，方便測(cè)試及讀出，無(wú)需再測(cè)定膜厚或者結(jié)深厚度去反推電阻率。

如果要測(cè)定厚度大于0.1mm，直徑2英寸以上的硅晶圓的電阻率，其計(jì)算公式為：

審核編輯：劉清