（報告出品方/作者：海通國際）

1、碳化硅(SiC):新一代半導(dǎo)體材料，打開新能源車百億市場空間

1.1 碳化硅半導(dǎo)體材料

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于前兩代材料，碳化硅 具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻、大功率和 抗輻射電子器件。

碳化硅器件應(yīng)用場景廣闊。因其高熱導(dǎo)性、高擊穿電場強度及高電流密度，基 于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于汽車、充電設(shè)備、便攜式電源、通信設(shè)備、機 械臂、飛行器等多個工業(yè)領(lǐng)域。其應(yīng)用的范圍也在不斷地普及和深化，是一種應(yīng)用 前景非常廣泛、非常具有價值的材料。

1.2 碳化硅的優(yōu)勢分析

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度遠(yuǎn)大于前兩代。第一代和第二代半導(dǎo)體都是窄帶隙 半導(dǎo)體，而從第三代半導(dǎo)體開始，寬禁帶(帶隙大于 2.2eV)半導(dǎo)體材料開始被大 量應(yīng)用。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，具有 200 多種空間結(jié)構(gòu)，不同的結(jié) 構(gòu)對應(yīng)著不同的帶隙值，一般在 2.4eV-3.35eV 之間。碳化硅材料除寬禁帶之外，還 具有高擊穿場強、高飽和漂移速度及高穩(wěn)定性、最大功率等優(yōu)點。

1.2.1 寬禁帶:提高材料穩(wěn)定性和擊穿電場強度

禁帶寬度決定材料特性，寬禁帶提高更好性能。禁帶寬度是衡量半導(dǎo)體性能的 一個重要指標(biāo)，更寬的禁帶意味著更高的激發(fā)要求，即電子和空穴更難以形成，這 也導(dǎo)致了寬帶隙半導(dǎo)體在不需要工作時可以保持類似絕緣體的特性，這也使得其具 有更好的穩(wěn)定性，寬禁帶同時也有助于提高擊穿電場強度，進(jìn)而增強對工作環(huán)境的 承受能力，具體體現(xiàn)在具有更好的耐熱性和耐高電壓性、抗輻射性。

同時因?qū)捊麕w系中導(dǎo)帶與價帶間的高能量差，使得電子與空穴被激發(fā)后的復(fù) 合率大大降低，這就使得更多的電子和空穴可以用于導(dǎo)電或者傳熱，這也是碳化硅 具有更強的導(dǎo)熱性與導(dǎo)電能力的一個原因。

基于這些特點，碳化硅器件可以在更高強度的環(huán)境下進(jìn)行工作，也能夠更快速 地進(jìn)行散熱，極限工作溫度更高。耐高溫特性可以帶來功率密度的顯著提升，同時 降低對散熱系統(tǒng)的要求，使終端可以更加輕量和小型化。碳化硅的高禁帶寬度也使 得碳化硅器件泄漏電流比硅器件大幅減少，從而降低功率損耗;碳化硅器件在關(guān)斷 過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，開關(guān)損耗低，大幅提高實際應(yīng)用的開關(guān)頻率。

1.2.2 高擊穿電壓:帶來更大的工作區(qū)間及功率范圍

擊穿電壓越高，工作區(qū)間及功率范圍越大。擊穿電壓指的是使電介質(zhì)擊穿的電 壓。對于半導(dǎo)體來說，一旦電壓到達(dá)了擊穿電壓就意味著半導(dǎo)體失去了其介電性 能，因內(nèi)部結(jié)構(gòu)被破壞而呈現(xiàn)出類似與導(dǎo)體的性能，進(jìn)而無法工作。所以更高的擊 穿電場意味著更大的工作區(qū)間及功率范圍，即擊穿電場越高越好。

碳化硅器件功率更大、體積更小，能量損失更低。碳化硅材料因其更高的擊穿 電壓特性，可以廣泛地應(yīng)用于大功率器件的制備，這是硅基半導(dǎo)體所無法替代的優(yōu) 勢。碳化硅更高的電擊穿允許碳化硅功率器件具有更薄更重?fù)诫s的阻擋層，這使得 同等要求下使用碳化硅材料可以將器件做的更薄，這可以起到節(jié)省空間、提高單位 能量密度的作用。此外，高擊穿電場還可以使得碳化硅在外電壓中的導(dǎo)通電阻更 小，而更小的導(dǎo)通電阻意味著更低的能量損失。

1.2.3 高飽和漂移速度:能量損耗更小

碳化硅因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，具有更高的飽和漂移速度。漂移速度反應(yīng)的是載流子在 外電壓下的遷移速度，理論上講漂移速度是可以隨著外界電場的增加而無限提高 的，但實際上隨著外加電場的增加，材料內(nèi)部載流子之間的碰撞也會隨之增加，所 以會存在一個飽和的漂移速度。在碳化硅材料中，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有很好的緩沖碰撞 的能力，所以具有更高的飽和漂移速度。

高飽和漂移速度帶來更小的能量損耗。高飽和漂移速度意味著載流子能更快地 遷移，以及更低的電阻。這也使得碳化硅材料中的能量損耗大大減小。與硅相比， 相同規(guī)格的碳化硅基 MOSFET 和硅基 MOSFET 相比，導(dǎo)通電阻降低為 1/200，尺寸 減小為 1/10;相同規(guī)格的使用碳化硅基 MOSFET 和使用硅基 IGBT 的逆變器相比， 總能量損失小于 1/4。這些特點為碳化硅材料在光伏逆變器、高頻器件中的應(yīng)用提 供了有力的支撐。

2.碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

國外廠商多以 IDM 模式布局，國內(nèi)企業(yè)專注單個環(huán)節(jié)。碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈依次可分 為:襯底、外延、器件、終端應(yīng)用。國外企業(yè)多以 IDM 模式布局全產(chǎn)業(yè)鏈，如 Wolfspeed、Rohm 及意法半導(dǎo)體(ST)，而國內(nèi)企業(yè)則專注于單個環(huán)節(jié)制造，如襯 底領(lǐng)域的天科合達(dá)、天岳先進(jìn)，外延領(lǐng)域的瀚天天成、東莞天域，器件領(lǐng)域的斯達(dá) 半島、泰科天潤。

襯底與外延占據(jù) 70%的碳化硅器件成本。受制于材料端的制備難度大，良率 低，產(chǎn)能小，目前產(chǎn)業(yè)鏈的價值集中于襯底和外延部分，前端兩部分占碳化硅器件 成本的 47%、23%，而后端的設(shè)計、制造、封測環(huán)節(jié)僅占 30%。

2.1 襯底:行業(yè)呈現(xiàn)一超格局

行業(yè)呈現(xiàn)一超格局，Wolfspeed 占據(jù) 62%市場份額。自 2018 年特斯拉首次將碳 化硅器件導(dǎo)入 Model3 代替 IGBT 模塊，便打開了碳化硅在新能源車領(lǐng)域的應(yīng)用，行 業(yè)迅速進(jìn)入升溫期。目前碳化硅襯底市場呈現(xiàn)一超格局，Wolfspeed(原 Cree)以

62%的市占率高居第一，II-VI、Rohm 則以 14%和 13%的市占率位列第二、三位， CR3 接近 90%。國內(nèi)廠商天科合達(dá)市占率僅為 4%。

碳化硅襯底可分為導(dǎo)電型和半絕緣型。導(dǎo)電型是指電阻率在 15~30mΩ·cm 的碳 化硅襯底，將其進(jìn)行外延后可進(jìn)一步制成功率器件，應(yīng)用于新能源車、光伏、智能 電網(wǎng)等領(lǐng)域。半絕緣型則是指電阻率高于 105mΩ·cm 的碳化硅襯底，主要用于制造 氮化鎵微波射頻器件，作為無線通訊領(lǐng)域的基礎(chǔ)零部件。

碳化硅襯底是由高純硅、碳粉經(jīng)過合成成 SiC 微粉后，通過物理氣相沉積法 (PVT)生長成為晶錠，之后加工得到標(biāo)準(zhǔn)直徑尺寸的碳化硅晶體，再經(jīng)過切磨拋 工藝獲得表面無損傷的碳化硅拋光片，最后對其進(jìn)行檢測、清洗形成可交付下游外 延廠商使用碳化硅襯底。

2.1.1 原料合成:各家襯底廠商自產(chǎn)為主

高純 SiC 粉末可使用氣相法、液相法及固相法合成，目前產(chǎn)業(yè)中主要使用固相 法中自蔓延高溫合成法，即將固態(tài)的 Si 源和 C 源作為原料，使其在 1400~2000°C 的高溫下持續(xù)反應(yīng)，最后得到高純 SiC 粉體。這種方法原料便宜，合成質(zhì)量穩(wěn)定， 合成效率高。目前各家襯底廠商基本自產(chǎn)高純 SiC 粉末。

2.1.2 晶錠生長:目前行業(yè)內(nèi)以 PVT 法為主，整體良率較低

90%襯底企業(yè)選擇 PVT 法。碳化硅單晶主要有物理氣相傳輸法(PVT)、高溫化學(xué) 氣相沉積(HTCVD)法和液相外延法(LPE)法，目前 PVT 法由于設(shè)備易于制造、長晶過 程更好控制以及成本較低等優(yōu)點，是業(yè)內(nèi)最成熟的工藝。其原理是通過將處于

2000°C以上的 SiC 原料升華分解成氣相物質(zhì)，這些氣相物質(zhì)輸運到溫度較低的籽晶 處，結(jié)晶生成 SiC 單晶。業(yè)內(nèi) 90%的企業(yè)都使用 PVT 法。

HTCVD 法的原理是將 Si 源和 C 源氣體在 2100°C左右的高溫環(huán)境下發(fā)生化學(xué)反 應(yīng)生成 SiC，這種長晶法可實現(xiàn)晶體長時間持續(xù)生長，但設(shè)備成本高，且生長速度 也很慢。業(yè)內(nèi)使用 HTCVD 法的有 Norstel 和日本電裝。

LPE 法通過在高溫純硅溶液中將碳溶解其中，從過飽和液中析出碳化硅晶體。LPE 適用于制備高質(zhì)量大尺寸碳化硅襯底，但是生長速度極其緩慢，材料要求也 高，應(yīng)用廠家有住友金屬。

PVT 法生長速度慢、厚度低，且良率較低。根據(jù)劉得偉等人在《PVT 法生長 6 英寸 4H-SiC 晶體的工藝研究》文中數(shù)據(jù)，在不同原料區(qū)溫度下，80 小時生長時間內(nèi) 晶錠厚度 8-15mm，并且由于粉源石墨化的影響，晶錠長度限制在 50mm 左右。且 碳化硅晶體的生長環(huán)境復(fù)雜、工藝控制難度大，整體良率較低，據(jù)天岳先進(jìn)招股書 中披露，公司晶棒環(huán)節(jié)整體良率在 50%。

2.1.3 切磨拋:SiC 晶錠硬度高、脆性大，加工困難

生長完成的 SiC 晶錠在經(jīng)過初加工定型后，還需要經(jīng)過切磨拋環(huán)節(jié)制成碳化硅 拋光片。受加工技術(shù)的制約，目前高表面質(zhì)量碳化硅晶片的加工效率較低，據(jù)天岳 先進(jìn)招股書中披露，公司襯底環(huán)節(jié)整體良率在 75%。

國內(nèi)切割環(huán)節(jié)主要用固結(jié)磨料多線切割。由于碳化硅硬度高、脆性大、化學(xué)性 質(zhì)穩(wěn)定，無法使用傳統(tǒng)鋸切工具。國內(nèi)目前最多使用固結(jié)磨料多線切割法來加工， 將金剛石磨料固結(jié)在金屬絲上，隨鋸絲運動實現(xiàn)磨粒的鋸切加工。目前國內(nèi)外正在 研究激光切割、冷分離和電火花切片等技術(shù)。

研磨主要是為了去除晶片切割后表面的缺陷，并達(dá)到預(yù)定厚度，同時將晶片的 翹曲、彎曲、總厚度變化、表面粗糙度降至最小。目前主要用單面減薄技術(shù)以及雙 面研磨，使用的磨料通常為碳化硼或金剛石。

拋光主要通過配比好的拋光液對研磨片進(jìn)行機械拋光和化學(xué)拋光(CMP)，用 來消除表面劃痕、降低表面粗糙度及消除加工應(yīng)力等，使研磨片表面達(dá)到納米級平 整度。最后通過檢測、清洗，將襯底交付給下游外延環(huán)節(jié)。

2.2 外延:可滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷碾娮璧?a target="_blank">參數(shù)要求

外延可滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷?shù)要求。外延是指在碳化硅襯底上生長了一 層與襯底晶相同的單晶薄膜(外延層)的過程。為了滿足 SiC 器件在不同應(yīng)用領(lǐng)域 對電阻等參數(shù)的特定要求，必須在襯底上進(jìn)行滿足條件的外延后才可制作器件，因 此外延質(zhì)量的好壞將會影響 SiC 器件的性能。目前 SiC 襯底上常見外延有 SiC 同質(zhì)外 延和 GaN 異質(zhì)外延，前者用于功率器件，后者用于射頻器件。

目前主要使用 CVD 法進(jìn)行外延。目前碳化硅外延技術(shù)主要采用化學(xué)氣相沉積法 (CVD)，可以在較高生長速率下獲得高質(zhì)量外延層。通常采用 H2 作為載氣，硅烷 (SiH4)和丙烷(C3H8)作為 Si 源與 C 源，在淀積室發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后生成 SiC 分子并沉積 在碳化硅襯底上。

國內(nèi)還欠缺高電壓器件所需的厚膜技術(shù)。外延層厚度及摻雜濃度是制作外延層 時最基本的兩個參數(shù)，兩者共同決定了器件的電壓檔級。電壓等級越高，厚度越 厚，摻雜濃度越低。通常來說每 1000V 電壓需要 10μm 的外延層，國內(nèi)外延技術(shù)可 滿足中低壓器件的需求，高壓器件需要的厚膜方面缺陷還較多。

目前外延片的制備環(huán)節(jié)受限于設(shè)備交付環(huán)節(jié)，無法快速放量。外延生長設(shè)備目 前被意大利的 LPE 公司、德國 AIXTRON 公司以及日本 Nuflare 和 TEL 公司所壟斷， 主流 SiC 高溫外延設(shè)備交付周期已拉長至 1.5-2 年左右。國內(nèi)目前有晶盛機電，北方 華創(chuàng)等企業(yè)開始小批量生產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備。

3.碳化硅下游使用情況

3.1 新能源車

新能源車領(lǐng)域?qū)?SiC 功率器件帶來巨大增量。在新能源車上，碳化硅器件 主要使用在主驅(qū)逆變器、OBC(車載充電機)、DC-DC 車載電源轉(zhuǎn)換器和大功率 DCDC 充電設(shè)備。隨著各大車企相繼推出 800V 電壓平臺，為滿足大電流、高電壓的 需求，電機控制器的主驅(qū)逆變器將不可避免的由硅基 IGBT 替換為 SiC-MOS，帶來巨 大增長空間。

電機控制器中功率模塊占整車成本 8%。電機控制器在新能車成本中占比 20%，是除電池外占比最大的一個部件，負(fù)責(zé)把動力電池輸出的高壓直流電轉(zhuǎn)換成 頻率和電流可變的三相交流電，給驅(qū)動電機供電，改變電機的轉(zhuǎn)速和扭矩，同時在 能量回收時把電機的三相交流電整流成直流電給動力電池充電。而功率模塊占其成 本 41%，折合占整車成本 8%。

使用碳化硅器件能帶來好處:

1) 提升加速度。碳化硅器件的使用能讓驅(qū)動電機在低轉(zhuǎn)速時承受更大輸入功率， 且因其高熱性能，不怕電流過大導(dǎo)致的熱效應(yīng)和功率損耗。在車輛起步時，驅(qū) 動電機能夠輸出更大扭矩，獲得更強的加速能力。

2) 增加續(xù)航里程。SiC 器件可以通過導(dǎo)通/開關(guān)兩個維度降低損耗，從而實現(xiàn)增加 電動車?yán)m(xù)航里程的目的。結(jié)合英飛凌的研究數(shù)據(jù)，在 25°C結(jié)溫下，SiC-MOS 關(guān) 斷損耗大約是 Si-IGBT 的 20%;在 175°C的結(jié)溫下，SiC-MOS 關(guān)斷損耗僅為 Si- IGBT 的 10%。綜合來說，新能源車使用 SiC 器件能夠增加 5-10%續(xù)航里程。

3) 實現(xiàn)輕量化。得益于 SiC 的優(yōu)越性能，SiC 器件可在以下方面可達(dá)到縮小體積的 效果:1)封裝尺寸更小、2)減少濾波器和無源器件如變壓器、電容、電感等 的使用、3)減少散熱器體積、4)同樣續(xù)航范圍內(nèi)，可以減少電池容量。以羅 姆公司設(shè)計的 SiC 逆變器為例，使用全 SiC 模組后，主逆變器尺寸降低 43%，重 量降低 6kg。

4) 降低系統(tǒng)成本。目前 SiC 器件的價格是硅基器件的 4-6 倍，但采用 SiC 器件實現(xiàn) 了電池成本的大幅下降和續(xù)航里程的提升，綜合降低了整車成本。使用 SiC- MOS 的驅(qū)動逆變器，器件帶來的成本增加約為 75~200 美元，然而從電池、無 源元器件、冷卻系統(tǒng)節(jié)省的成本在 525~850 美元，系統(tǒng)性成本顯著下降。相同 里程條件下，采用 SiC 逆變器單車可節(jié)省至少 200 美元。

3.2 光伏逆變器

碳化硅功率器件能提高光伏逆變器轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。光伏發(fā)電方面， 目前基于硅基器件的傳統(tǒng)逆變器成本約占系統(tǒng) 10%左右，卻是系統(tǒng)能量損耗的主要 來源之一。使用 SiC-MOS 為基礎(chǔ)材料的光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可從 96%提升至 99% 以上、能量損耗降低 50%以上、設(shè)備循環(huán)壽命提升 50 倍，從而能夠縮小系統(tǒng)體 積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本。高效、高功率密度、高可 靠和低成本是光伏逆變器的未來發(fā)展趨勢。在組串式和集中式光伏逆變器中，碳化 硅產(chǎn)品預(yù)計會逐漸替代硅基器件。目前國內(nèi)在光伏領(lǐng)域應(yīng)用碳化硅光伏逆變器的很 少，但在全球范圍內(nèi)已經(jīng)有光伏逆變器公司開始應(yīng)用碳化硅光伏逆變器，比如西班 牙 Ingeteam 公司的 TLM 系列。

3.3 軌道交通

在軌道交通方面，軌道交通車輛中大量應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，其牽引變流器、 輔助變流器、主輔一體變流器、電力電子變壓器、電源充電機都有使用碳化硅器件 的需求。其中，牽引變流器是機車大功率交流傳動系統(tǒng)的核心裝備，將碳化硅器件 應(yīng)用于軌道交通牽引變流器，能極大發(fā)揮碳化硅器件高溫、高頻和低損耗特性，提 高牽引變流器裝置效率，符合軌道交通大容量、輕量化和節(jié)能型牽引變流裝置的應(yīng) 用需求，提升系統(tǒng)的整體效能。

3.4 智能電網(wǎng)

智能電網(wǎng)方面，相比其他電力電子裝置，電力系統(tǒng)要求更高的電壓、更大的功 率容量和更高的可靠性，碳化硅器件突破了硅基功率半導(dǎo)體器件在大電壓、高功率 和高溫度方面的限制所導(dǎo)致的系統(tǒng)局限性，并具有高頻、高可靠性、高效率、低損 耗等獨特優(yōu)勢，在固態(tài)變壓器、柔性交流輸電、柔性直流輸電、高壓直流輸電及配 電系統(tǒng)等應(yīng)用方面推動智能電網(wǎng)的發(fā)展和變革。

3.5 射頻領(lǐng)域

在射頻器件方面，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具備了碳化硅的高導(dǎo) 熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，突破了砷化鎵和硅基 LDMOS 器件的固有缺陷，能夠滿足 5G 通訊對高頻性能和高功率處理能力的要求，碳化硅 基氮化鎵射頻器件已逐步成為 5G 功率放大器尤其是宏基站功率放大器的主流技術(shù) 路線。

4.碳化硅襯底全球市場空間測算

碳化硅襯底是碳化硅器件制備必不可少、也是目前成本最高的一環(huán)，分析碳化 硅襯底的市場空間有著重要的意義。在這里，我們對全球碳化硅襯底 2021 年到 2025 年在新能源汽車、光伏領(lǐng)域的市場空間、襯底需求量進(jìn)行了測算，并以此為參 比預(yù)測出了碳化硅襯底的總市場空間及襯底需求量。

4.1 新能源汽車領(lǐng)域:25 年需求量或達(dá) 300 萬片，市場空間超 100 億元

針對新能源車領(lǐng)域的碳化硅襯底市場預(yù)測，我們對關(guān)鍵參數(shù)做出以下假設(shè):

單片價格:目前 6 英寸碳化硅平均售價為 1000 美金，約 6400 元/片，由于未 來 6 英寸上的技術(shù)路線發(fā)展以及進(jìn)一步規(guī)模經(jīng)濟的形成，預(yù)期碳化硅價格總體呈現(xiàn) 降低趨勢，對于具體的價格趨勢，我們對 2021-2025 年襯底價格下降幅度進(jìn)行以下 三種假設(shè):1)10%降幅;2)15%降幅;3)20%降幅。

單車消耗襯底數(shù):考慮到未來價格下降后將逐步增加碳化硅在新能源車上的應(yīng) 用場景，以目前 Model 3 單車用 48 個碳化硅 MOSFET 芯片計算，單車用 6 英寸襯底 數(shù)約 0.16 片，之后逐漸增長到 2025 年的 0.4 片。

滲透率:這里的滲透率定義為采用 SiC 器件為主體的新能源汽車銷量在全部新 能源汽車銷量中的占比。2021 年的滲透率為 14%，預(yù)期 2021-2025 的滲透率增速為 6%。

結(jié)合以上數(shù)據(jù)及假設(shè)，在 10%/15%/20%三種價格降幅預(yù)期下，新能源車領(lǐng)域的 碳化硅襯底市場或?qū)⒎謩e達(dá)到 128/102/80 億元，相應(yīng)襯底需求量達(dá)到 304 萬片。

4.2 光伏領(lǐng)域:25 年需求量或超 50 萬片，市場空間達(dá) 20 億元

全球新增裝機量:碳化硅襯底在光伏行業(yè)中主要應(yīng)用于光伏逆變器，2020 年全 球裝機量為 137GW，2025 年預(yù)期可超過 400GW，按 400GW 作為參考。2021 年數(shù) 據(jù)參考陽光電源年報相關(guān)數(shù)據(jù)換算，約為 156GW。假設(shè)在這段區(qū)間內(nèi)光伏裝機量加 速增長。

IGBT 成本占比:根據(jù)天科合達(dá)招股說明書披露的數(shù)據(jù)，硅基 IGBT 的成本占比 約為光伏逆變器總成本的 10%，假設(shè)硅基 IGBT 的成本比例在未來幾年內(nèi)占比維持不 變。

逆變器價格:2021 年陽光電源光伏逆變器材料基本均為硅基材料，銷量為 47GW,相關(guān)業(yè)務(wù)營業(yè)收入為 90.5 億元，故硅基光伏逆變器價格約為 0.19 元/W。根 據(jù)陽光電源 2017-2021 年的逆變器價格變化數(shù)據(jù)，平均每年價格約下降 0.02 元/W。故預(yù)期在未來價格會逐漸降低，假設(shè)按照 0.02 元/W 每年的速度下降到 0.13 元/W。

碳化硅/硅價格比:目前碳化硅器件和硅基器件的價格比約為 4，而在未來預(yù)期 成本替代比會降低，下降比例應(yīng)該與價格變化幅度正相關(guān)，故假設(shè)成本替代比例每 年遞減。

襯底成本比例:目前襯底占比為 46%，預(yù)期占比比例每年按照 3%的速度遞 減。

滲透率:這里的滲透率指的是碳化硅光伏逆變器在總逆變器中的占比。參考 CASA 數(shù)據(jù)，2021 年滲透率為 10%，預(yù)期每年滲透率按照 10%的速度增長。到 2025 年達(dá)到 50%。

結(jié)合以上數(shù)據(jù)及假設(shè)，得到如下圖所示的測算表:市場空間的年復(fù)合增長率為 39%、需求量的年復(fù)合增長率為 58%。到 2025 年市場空間達(dá)到 20 億元，襯底需求 量超過 50 萬片。

4.3 總市場測算

根據(jù) Wolfspeed 投資者報告中的數(shù)據(jù)，2021 年新能源汽車+光伏在碳化硅總市 場里占比為 77%，2027 年預(yù)期達(dá)到 86%。故本部分測算中 2021 年占比為 77%，按 照市場占比每年 2%的速度增長，預(yù)期 2025 年達(dá)到 85%。根據(jù)以上數(shù)據(jù)反推出總體 數(shù)據(jù)，可以得到從 2021 年到 2025 年全球碳化硅襯底總市場規(guī)模將從 19 億元增長 至 143 億元，需求量將從 30 萬片增長至 420 萬片。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關(guān)信息，請參閱報告原文。）

審核編輯：湯梓紅。