東京電子新型蝕刻機研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團市場領導地位
晶圓廠設備廠商東京電子宣布，計劃于2025年推出最新研發(fā)的蝕刻設備。
此款設備致力于在厚度達到超越400層的NAND閃存芯片上精確蝕刻通道孔。這被視為東京電子公司的一次重要突破，因當前全球范圍內僅有美國泛林集團能生產此類設備。
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
業(yè)界消息透露，相關供應商得到了來自眾多芯片制造商的積極反饋，因此預期大規(guī)模訂單將接踵而至。其中，三星自去年起即開始試用這款新設備，正考慮將在后續(xù)的第十代NAND芯片產品線中采用。
消息補充道，泛林集團愈發(fā)擔憂，他們認為隨著東京電子的新品上市，自身在蝕刻機領域的市場份額或將縮減約為10%-15%。
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