什么是絕緣柵雙極晶體管？

絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導體，具有MOSFET 的高速、電壓相關柵極開關特性以及 BJT 的最小導通電阻（低飽和電壓）特性。

圖1展示了IGBT等效電路，其中雙極晶體管與MOS柵極架構一起工作，而類似的IGBT電路實際上是MOS晶體管和雙極晶體管的混合。

IGBT 具有快速開關速度和最小飽和電壓特性，應用范圍廣泛，從太陽能利用裝置和不間斷電源 (UPS) 等商業(yè)應用到感應加熱器爐灶溫度控制等消費電子領域、空調(diào)設備PFC、逆變器、數(shù)碼相機頻閃儀。

絕緣柵雙極晶體管的工作原理

IGBT集電極(C)和發(fā)射極(E)兩端用于傳導電流，柵極(G)用于控制IGBT。其工作原理是基于柵極-發(fā)射極端子和集電極-發(fā)射極端子之間的偏置。

集電極-發(fā)射極連接到Vcc，使得集電極保持在比發(fā)射極更正的電壓。結點 j1 變?yōu)檎蚱茫琷2 變?yōu)榉聪蚱?。此時，柵極上沒有電壓。由于 j2 反向，IGBT 保持關斷狀態(tài)，集電極和發(fā)射極之間不會有電流流動。

施加比發(fā)射極正的柵極電壓VG ，負電荷將由于電容而在SiO 2層正下方積聚。增加 VG會增加電荷數(shù)量，當 VG 超過閾值電壓時，電荷最終會在上 P 區(qū)形成一層 。該層形成N溝道，使N-漂移區(qū)和N+區(qū)短路。

來自發(fā)射極的電子從 N+ 區(qū)域流入 N- 漂移區(qū)域。而來自集電極的空穴則從P+區(qū)注入N-漂移區(qū)。由于漂移區(qū)電子和空穴過量，其電導率增加并開始傳導電流。因此 IGBT 導通。

絕緣柵雙極晶體管的結構

圖(a)所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成)，稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。

IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子)，對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。

絕緣柵雙極晶體管的電路圖

基于絕緣柵雙極晶體管的基本結構，使用PNP和NPN晶體管、JFET、OSFET設計了一個簡單的IGBT驅(qū)動電路，如下圖所示。 JFET晶體管用于將NPN晶體管的集電極連接到PNP晶體管的基極。這些晶體管指示寄生晶閘管創(chuàng)建負反饋環(huán)路。

RB電阻指示NPN晶體管的BE端子，以確認晶閘管沒有閂鎖，否則會導致IGBT閂鎖。晶體管表示任意兩個相鄰 IGBT 單元之間的電流結構。它讓 MOSFE支持大部分電壓。 IGBT的電路符號如下所示，包含三個端子，即發(fā)射極、柵極和集電極。