開關(guān)電源芯片SF1538DP帶來多重禮遇

工程師們在開關(guān)電源適配器的新產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計過程中，通常會為所設(shè)計的新產(chǎn)品添加一些保護措施，以此來避免開關(guān)電源適配器在使用過程中出現(xiàn)短路或元件損壞、使其工作壽命縮短。能夠讓適配器的使用壽命得到延長，其中一個有效方式，就是選擇更安全、更高效的開關(guān)電源芯片。今天就為大家分享一顆來自深圳銀聯(lián)寶科技的優(yōu)質(zhì)開關(guān)電源芯片SF1538DP！

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開關(guān)電源芯片SF1538DP主要特性如下：

*內(nèi)置高功率MOSFET管，耐壓650V

*可編程外部過溫保護OTP

*專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗

*內(nèi)置軟啟動，管腳浮空保護

*超低啟動電流

*內(nèi)置頻率抖動改善EMI

*內(nèi)置同步斜率補償，逐周期電流限制

*內(nèi)置前沿消隱

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開關(guān)電源芯片SF1538DP在230VAC（±15%）下，典型輸出功率18W-26W；在85-265VAC下，典型輸出功率15W-18W。支持手持數(shù)碼適配器，電視、電腦輔助電源，手機、平板充電器，LED驅(qū)動電源和替代線性電源等應(yīng)用。

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開關(guān)電源芯片SF1538DP主引腳說明：

1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。

2 VDD 芯片供電腳。

3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。

4 CS 電流采樣輸入腳。

5-6 Drain 內(nèi)置功率MOSFET漏極。

7-8 GND 芯片參考地。

副邊反饋控制(SSR)方案，空載范圍大都可以空載在±0.2V以內(nèi)，動態(tài)調(diào)整率較好。比如在充電器領(lǐng)域，直接對電池充電的應(yīng)用，一般會對空載電壓精度要求高，可以選擇副邊電源IC+恒流芯片來做。選擇開關(guān)電源芯片SF1538DP既可達到要求，又可以節(jié)約成本，何樂而不為？！