中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格驟降，外資企業(yè)仍主導(dǎo)市場(chǎng)
據(jù)悉，中國(guó)碳化硅（SiC）襯底價(jià)格近期大幅下滑，本國(guó)供應(yīng)商間激烈的競(jìng)爭(zhēng)使該趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)到2024年底。此降價(jià)趨勢(shì)源自國(guó)際半導(dǎo)體IDM等大型廠商的訂購(gòu)需求無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)供應(yīng)商生產(chǎn)能力。
盡管部分中國(guó)企業(yè)計(jì)劃加大本土供應(yīng)鏈采購(gòu)力度以降低成本，然而考慮到安全性和可靠性問(wèn)題，一些電動(dòng)汽車(chē)制造商可能不會(huì)完全依賴(lài)或提高本土供應(yīng)份額，從而使得實(shí)際自給率未如之前宣揚(yáng)的那般理想。
值得注意的是，西方主要的碳化硅供應(yīng)商如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等均享有廣大中國(guó)市場(chǎng)份額，并成為包括外國(guó)及中國(guó)合資汽車(chē)品牌在內(nèi)各大汽車(chē)制造商的首選供應(yīng)商。
盡管中國(guó)本土供應(yīng)商近日將一線產(chǎn)品的售價(jià)下調(diào)了約30%，但全球其他地區(qū)的價(jià)格尚且平穩(wěn)。以主流6英寸碳化硅襯底為例，國(guó)際供應(yīng)商報(bào)價(jià)大約在750至800美元；相較之下中國(guó)制造商的售價(jià)原本較低約5%，如今差距已拉大至約30%。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電動(dòng)汽車(chē)
+關(guān)注
關(guān)注
156文章
12198瀏覽量
232570 -
供應(yīng)鏈
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
1684瀏覽量
39035 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2837瀏覽量
49291
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱(chēng);而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
一、引言
隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要
不同的碳化硅襯底的吸附方案，對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上
碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門(mén)襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
氧化層？如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開(kāi)這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
發(fā)表于 01-04 12:37
優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控
一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn)
濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而，濕法腐蝕過(guò)程中，由于腐蝕液的選擇、腐
用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)
一、碳化硅襯底TTV控制的重要性
碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效
碳化硅襯底修邊處理后，碳化硅襯底TTV變化管控
一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn)
修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟，主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分，以提高
碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開(kāi)始逐漸落地，進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增，市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?lái)價(jià)格戰(zhàn)
，多家廠商的產(chǎn)能增長(zhǎng)速度顯著超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)2023年的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已占據(jù)全球產(chǎn)能的42%，預(yù)計(jì)到2026年，這一比例將提升至50%左右
全國(guó)最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地山東？
作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場(chǎng)上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的滲透率正在快速擴(kuò)大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率
發(fā)表于 04-11 09:28
?520次閱讀
中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來(lái)要到了
國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充，外國(guó)汽車(chē)品牌或與中國(guó)合資的汽車(chē)品牌，也主要依賴(lài)于上述供應(yīng)商進(jìn)行碳化硅
發(fā)表于 03-14 14:19
?1410次閱讀
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
發(fā)表于 03-08 08:37
中國(guó)碳化硅襯底價(jià)格下滑，國(guó)際供應(yīng)商仍為主要采購(gòu)源
據(jù)該知情人士透露，來(lái)自中國(guó)電動(dòng)車(chē)生產(chǎn)商及全球各地芯片制造巨頭的訂單，目前無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)碳化硅供應(yīng)商對(duì)產(chǎn)能的需求。部分中國(guó)企業(yè)雖然承諾會(huì)加強(qiáng)本土供應(yīng)鏈采購(gòu)，然而出于安全考慮，部分電動(dòng)車(chē)制造商未必會(huì)增加本土供應(yīng)比重
碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景：國(guó)內(nèi)外主要廠商分布圖
中國(guó)在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加?b class='flag-5'>碳化硅襯底由于其在高溫、
發(fā)表于 02-27 10:28
?1775次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論