WitDisplay消息，漢陽大學(xué)于3月7日宣布，漢陽大學(xué)納米光電子學(xué)系ERICA教授Jong-in Shim和Dong-soo Shin教授、ZOGAN Semi的Woong-ryeol Ryu博士和韓國化學(xué)工業(yè)大學(xué)的Jong-hyeop Baek博士組成的團(tuán)隊(duì)韓國光子學(xué)與技術(shù)研究所的光學(xué)半導(dǎo)體顯示研究部門開發(fā)出技術(shù)來克服超細(xì) Micro LED 光效率和耐用性的挑戰(zhàn)。

通過這項(xiàng)研究，研究團(tuán)隊(duì)同時(shí)解決了開發(fā)超高分辨率Micro LED顯示器的最大挑戰(zhàn)：20μm以下的超細(xì)氮化物半導(dǎo)體LED芯片出現(xiàn)的低功率轉(zhuǎn)換效率以及性能顯著惡化的耐用性問題隨著駕駛時(shí)間的增加。

通過引入非接觸式光致發(fā)光和拉曼光譜分析技術(shù)，研究團(tuán)隊(duì)確定Micro LED芯片的技術(shù)問題是由刻蝕壁上出現(xiàn)的缺陷電荷與外延層應(yīng)力之間的相互作用引起的。在這項(xiàng)研究中，通過在氮化物半導(dǎo)體上外延生長氧化物半導(dǎo)體，可以控制外延應(yīng)變，使其與蝕刻壁上的缺陷電荷量無關(guān)，而蝕刻壁對工藝或操作條件敏感。

團(tuán)隊(duì)開發(fā)的直徑為20μm和10μm的藍(lán)光Micro LED為水平芯片單封裝，經(jīng)認(rèn)可測試實(shí)驗(yàn)室測得的外量子效率（EQE）分別高達(dá)53%和45%，即使在1A/cm2的低電流范圍，展現(xiàn)了世界上最好的品質(zhì)。（圖1）。此外，即使在沒有散熱的加速耐久性測試（100A/cm2，超過20小時(shí)）中，也證實(shí)了優(yōu)異的穩(wěn)定性，性能也沒有變化。（圖2）。

Jong-in Shim表示：“通過這項(xiàng)新開發(fā)的技術(shù)，我們不僅重新建立了作為下一代顯示器的核心半導(dǎo)體元件而備受關(guān)注的Micro LED的工作原理，而且還展示了世界一流的技術(shù)，我認(rèn)為這將為確保國際競爭力做出重大貢獻(xiàn)。”

這項(xiàng)研究是在韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)改進(jìn)項(xiàng)目、光融合產(chǎn)業(yè)全球競爭力強(qiáng)化項(xiàng)目和超大型模塊化顯示技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目的支持下進(jìn)行的。

審核編輯：劉清