芯片巨頭英飛凌今日宣稱已在美國法庭發(fā)起針對中國同行英諾賽科的專利訴訟，涉及與其氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的重要美國專利。作為全球領(lǐng)先的氮化鎵供應(yīng)商，英飛凌貴在于此先進技術(shù)。GaN是優(yōu)秀的寬體材料，擁有卓越的開關(guān)性能，可打造出更為緊湊高效且經(jīng)濟實惠的電力系統(tǒng)。

英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國專利，尋求永久禁令。據(jù)悉，該專利覆蓋GaN功率半導(dǎo)體的核心部分，和英飛凌專有的GaN器件的可靠性和性能息息相關(guān)。訴訟已被提交至加利福尼亞州中區(qū)地方法院審理。

英飛凌在起訴書中指責(zé)多個產(chǎn)品侵犯了其在美國范圍內(nèi)的廣泛專利權(quán)，涉及汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能、電動機驅(qū)動和消費電子等應(yīng)用領(lǐng)域中的GaN晶體管制造及運營。公司方面強調(diào)，這些行為未經(jīng)許可，可能給消費者和社會帶來潛在的危害。

英飛凌公司電源與傳感器系統(tǒng)部門的總裁Adamwhite表示，GaN功率晶體管的生產(chǎn)需依賴全新的半導(dǎo)體設(shè)計和工藝，經(jīng)過多年的實踐和積累，已經(jīng)無可爭議地成為了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。公司堅持保護自身知識產(chǎn)權(quán)，以確保客戶和最終用戶的權(quán)益。眾所周知，多年來，英飛凌在與GaN技術(shù)相關(guān)的研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)和制造上投入巨大。公司仍將不斷加大力度維護自己的知識產(chǎn)權(quán)，以此來保護歷年所累積的寶貴投資。

值得一提的是，日前，英飛凌順利完成對于GaN Systems的收購，成功躋身業(yè)內(nèi)前茅，鞏固了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。目前，英飛凌以逾350個專利族的實力雄踞行業(yè)領(lǐng)軍者之席。據(jù)市場分析師預(yù)測，至2028年，低壓大電流應(yīng)用的GaN收入將保持高達49%的復(fù)合年均增長率，有望突破20億美元的新高。